一种钴酸锂烧结工艺
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118978188A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411352470.4

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种钴酸锂烧结工艺,属于钴酸锂材料技术领域,包括以下步骤:步骤1、将四氧化三钴、碳酸锂和氢氧化铝混合均匀,得到一次混合物料;步骤2、将一次混合物料进行烧结,粉碎,干燥得到一次烧结物料;步骤3、将一次烧结物料与钛白粉进行混合均匀,得到二次混合物料;步骤4、将二次混合物料进行烧结,粉碎,干燥,即得。经过本发明中原料组分的选择以及烧结温度的调控,最终得到的钴酸锂颗粒光滑,且循环稳定和导电性能优良,可以更好地应用在锂离子电池领域中。

    一种钴锰酸锂的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN118978187A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411184677.5

    申请日:2024-08-27

    Inventor: 蔡敏 吴春燕

    Abstract: 本发明涉及新能源材料技术领域,特别涉及一种钴锰酸锂的制备方法及其应用。本发明钴锰酸锂材料的化学式LiCoxMn1‑xO2经过球墨制备前驱体,超声波伴随的水热合成前驱体,再经过高温固相烧结得到所需钴锰酸锂正极材料,并制成电池进行测试。本发明采用水热‑高温固相法制备钴锰酸锂,同时采用超声波处理伴随水热法制备前驱体,减少了前驱体的制备过程中的颗粒团聚,以达到稳定颗粒粒径减小锂离子的迁移距离的目的,使电池性能发挥稳定,提高电池循环性能。采用锰源和钴源大比例混合,钴源的大比例加入可以即保证了电池克容量相对较高,而锰的大比例掺入也保证了电池的安全性,钴锰酸锂的综合性能相较纯钴酸锂和纯锰酸锂电池效果更好。

    导电性膏
    26.
    发明公开
    导电性膏 审中-实审

    公开(公告)号:CN118901111A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202380028706.6

    申请日:2023-05-11

    Abstract: 本发明提供一种即使层叠陶瓷电容器的内部电极被薄层化也能够将覆盖率维持得比较高的内部电极用的导电性膏。一种用于形成经过烧成工序而制造的层叠陶瓷电容器(1)的内部电极(4、5)的导电性膏,包含导电性金属粉末、陶瓷粉末、有机溶剂以及有机粘合剂,导电性金属粉末包含铜,陶瓷粉末的至少一部分是包含ABO3中的A位的元素的6配位下的离子半径相对于铜的6配位下的离子半径的比率处于0.96以上且1.04以下的、特定离子半径的ABO3型的氧化物的粉末。

    一种低残碱高镍三元正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118894557A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410936087.7

    申请日:2024-07-12

    Abstract: 本发明涉及一种低残碱高镍三元正极材料及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1.将镍钴锰氢氧化物三元前驱体固体粉末与LiOH·H2O搅拌混合均匀后煅烧,自然冷却至室温后得到高镍三元正极材料;S2.向乙醇中加入硼酸及其衍生物并搅拌至完全溶解后,得到含有硼酸根的乙醇溶液;将所述高镍三元正极材料加入到含有硼酸根的乙醇溶剂中并搅拌混合均匀,用乙醇冲洗,得到悬浊液;S3.将所述悬浊液与羟基氧化钴、纳米氧化铝加入到沙浴旋转蒸发仪中,旋转蒸发至粉体完全干燥,然后热处理并自然冷却至室温,得到表面有包覆层的高镍三元正极材料。本发明有效解决酸洗后三元材料因部分活性物质流失、晶体结构被破坏而导致材料循环、电容量等性能下降的问题。

    一种双层改性锂硫电池复合隔膜的制备方法

    公开(公告)号:CN118888970A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410923756.7

    申请日:2024-07-10

    Applicant: 青岛大学

    Abstract: 本发明公开了一种双层改性锂硫电池复合隔膜的制备方法,依次经过二维材料的制备、Co/CoN4@KB复合材料的制备、Co/CoN4@KB‑二维材料双层复合隔膜的制备而得到,制备方法简单,过程易于控制,合成条件温和、成本低廉,在二维材料上进一步构建了多硫化物的吸附‑催化层,该材料具有多硫化物分阶吸附转化能力和丰富的活性位点,并提高了离子和电子的输送能力,提高锂硫电池倍率性能和循环稳定性。本发明制备的双层复合隔膜适用于作为锂硫电池改性隔膜。

    一种钨掺杂钼酸钴材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118854349A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410893407.5

    申请日:2024-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种钨掺杂的钼酸钴材料及其制备方法和应用。该钨掺杂的钼酸钴材料包括导电基底和生长在导电基底上的钨掺杂的钼酸钴纳米片,呈现交错的片层结构,形成纳米片阵列,钨掺杂的钼酸钴的结构式为CoMo1‑xWxO4,其中x为0.03‑0.20。通过将钴盐、钼酸盐、尿素和氟化铵混合后,再加入钨酸盐,最后与导电基底混合进行水热反应制备得到。该钨掺杂的钼酸钴材料具有丰富的活性位点和稳定的材料结构,展示出了优异的中性水氧化催化活性和耐久性;且制备过程简单,无需烧结即可形成形貌均一且尺寸较大的纳米片结构,条件温和,降低了生产能耗,有利于工业化推广应用。

Patent Agency Ranking