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公开(公告)号：CN1975542A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610121898.3
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其包括：开关薄膜晶体管，用于传输数据信号；以及驱动薄膜晶体管，用于驱动有机场致发光装置，使得一定量的电流根据数据信号流经有机场致发光装置，其中，对于单位面积的有源沟道，形成在驱动薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在开关薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数大至少一个或更多个。
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公开(公告)号：CN1276400C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410003328.5
申请日：2004-01-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/00 , G09G3/00 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1296 , H01L27/3276
Abstract: 提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。
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公开(公告)号：CN1577418A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071242.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号：CN1574354A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410004153.X
申请日：2004-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/092 , G02F1/136 , G09G3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约－30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1573843A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410005025.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , G09G3/00 , H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。
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公开(公告)号：CN1536542A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200310124059.3
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/7866
Abstract: 一种平板显示器，它能够降低驱动薄膜晶体管(TFT)的开态电流，保持开关TFT的高开关性质，用驱动TFT保持均匀的亮度，以及在相同的电压被施加到开关TFT和驱动TFT而不改变有源层的尺寸的情况下保持发光器件的寿命。此平板显示器包括发光器件、包括具有用来将数据信号传送到发光器件的沟道区的半导体有源层的开关薄膜晶体管、以及包括具有用来驱动发光器件的沟道区的半导体有源层的驱动薄膜晶体管。预定的电流量根据数据信号而流过发光器件。开关薄膜晶体管的沟道区的晶粒的尺寸或形状之一不同于驱动薄膜晶体管的沟道区中的晶粒。
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公开(公告)号：CN1530895A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310124064.4
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L29/04
Abstract: 一种平板显示器，它能够根据驱动TFT的有源层的晶粒之间的差别而将白色平衡调节到恰当的水平而无须改变驱动TFT有源层的尺寸。借助于将最佳电流量馈送到各个子象素，此平板显示器还能够得到适当的亮度。此平板显示器具有多个象素。各个象素包括多个子象素，且各个子象素具有自发光元件和驱动薄膜晶体管。各个驱动薄膜晶体管具有半导体有源层，此半导体有源层具有连接到相应子象素的自发光元件的沟道区，以便将电流馈送到各个自发光元件。至少半导体有源层的沟道区对不同的子象素具有不同尺寸和形状的晶粒。
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公开(公告)号：CN1527405A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410003656.5
申请日：2004-02-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , H05B33/00
CPC classification number: H01L21/02532 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/0268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672 , H01L29/78696 , Y10S438/945
Abstract: 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1512596A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310109779.2
申请日：2003-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，包含轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，形成薄膜晶体管，以便多晶硅衬底中的主晶粒边界不位于轻掺杂漏区(LDD)或偏移区中。
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