公开(公告)号：CN109155252A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031969.7

申请日：2017-05-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种实施方式的方法(MT)，在处理对象的晶片(W)的被处理层(J1)的蚀刻前，在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上，通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出被处理层(J1)上所设置的掩模(J2)的槽宽度与该槽宽度的基准值的差值，在步骤(SB6)中，利用表示被处理层(J1)的温度与形成的膜的膜厚的对应的对应数据(DT)调节被处理层(J1)的温度，以使其成为与多个区域(ER)的每一区域对应的膜厚的膜的形成所需要的温度，利用与(ALD)法同样的膜形成处理在掩模(J2)按每一原子层形成膜，将与差值对应的膜厚的膜(J3)形成与掩模(J2)，按多个区域(ER)的每一区域将槽宽度修正为基准值。

公开(公告)号：CN105390388B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201510542345.4

申请日：2015-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供相对于由氮化硅构成的第二区域有选择地蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。一实施方式的方法包括：(a)第一步骤，将具有第一区域和第二区域的被处理体暴露于包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中，蚀刻第一区域，且在第一区域和第二区域上形成包含碳氟化合物的堆积物；和(b)第二步骤，利用堆积物中包含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域。在该方法的第一步骤中，等离子体由脉冲状的高频电力生成。此外，交替反复进行第一步骤和第二步骤。

公开(公告)号：CN108511339A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810165922.6

申请日：2018-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明的目的在于提供一种使有机膜各向异性地堆积于被处理体上所形成的凹部的图案的上部的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法具有：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，由供给来的所述第一气体生成等离子体，使包含有机物的化合物堆积于被处理体上所形成的规定膜的图案上，其中，所述第一气体中的、所述含碳气体相对于所述非活性气体的比率为1％以下。

公开(公告)号：CN105244372B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201510378428.4

申请日：2015-07-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边光 ,  本田昌伸 ,  辻晃弘

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明提供对被处理体进行处理的方法。一实施方式的方法为对被处理体进行处理而形成从氧化区域通过两个隆起区域之间到达基底层的开口的方法。该方法包括：(1)在氧化区域形成使氮化区域的第二部分在两个隆起区域之间露出的开口的工序；和(2)对开口内的氧化硅制的残渣和第二部分进行蚀刻的工序。在对残渣和第二部分进行蚀刻的工序中，通过将被处理体暴露于包含含有氢气体和NF3气体的混合气体的等离子体中使残渣和第二部分变质，而形成变质区域，并将该变质区域除去。

公开(公告)号：CN103928285A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410016335.2

申请日：2014-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸 ,  市川裕展

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在第一构件的表面上形成氧化硅膜。在等离子体处理工序中，在第一构件的表面上形成氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在将经等离子体处理过的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自第一构件的表面去除氧化硅膜。

公开(公告)号：CN101546685B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200910127092.9

申请日：2009-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  增泽健二 ,  中山博之 ,  岩田学 ,  佐藤学 ,  成重和树

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。

公开(公告)号：CN102254813A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110191042.4

申请日：2009-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山昇一郎 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ArF光致抗蚀剂的表面以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、LER、LWR的发生，精度良好地形成希望形状的图案。以ArF光致抗蚀剂层(102)作为掩模利用处理气体的等离子体对形成于被处理基板上的SiN层(104)或者氧化硅层进行蚀刻。处理气体含有PFC气体和CF3I气体，CF3I气体的流量是，以相对于PFC气体的全部气体流量为1/3以上的流量添加CF3I气体，并且，向被处理基板施加13.56MHz以下的第一频率的高频偏压。

公开(公告)号：CN101276738B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200810086916.8

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834

Abstract: 本发明提供一种能够保持长时间地抑制在收容室内流动的直流电流值的降低的等离子体处理装置，该等离子体处理装置(10)包括：收容基板(W)并对其进行蚀刻处理的收容室(11)；向该收容室(11)内的处理空间(PS)供给高频电力的基座(12)；向处理空间(PS)施加直流电压的上部电极板(39)；沿排气流路(18)设置的接地电极(45)；和对处理空间(PS)、排气流路(18)进行排气的排气装置，而且，该等离子体处理装置(10)在收容室(18)内具有遮蔽部件(46)，其被配置成沿排气流介于该排气流和接地电极(45)之间，并且在该遮蔽部件(46)与接地电极(45)之间形成有截面呈长方形的槽状空间(47)。

公开(公告)号：CN1732558B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200380107612.0

申请日：2003-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 本田昌伸 ,  松山升一郎 ,  永关一也 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/3341

Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10-16cm2以上的电离促进气体。

公开(公告)号：CN100345257C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN02818449.1

申请日：2002-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小野博夫 ,  达下弘一 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  林大辅

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32688

Abstract: 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。