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公开(公告)号：CN118435327A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280084608.X
申请日：2022-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318
Abstract: 本发明的基片处理方法包括准备基片的工序。基片具有：第一区域；和用于在该第一区域上提供开口的第二区域。基片处理方法还包括：使用从第一气体生成的第一等离子体，优先在第二区域的顶部上形成顶部沉积物的工序。基片处理方法还包括：在顶部沉积物的表面和界定开口的侧壁面形成厚度沿着该开口的深度方向减少的第一膜的工序。
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公开(公告)号：CN117276067A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310701815.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在掩模上形成具有期望的形状或期望的特性的含金属沉积物。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板；工序(b)，在工序(a)后，通过从包含含金属气体和含氢气体的第一处理气体生成的第一等离子体来在掩模上形成含金属沉积物；工序(c)，在工序(b)后，通过从与第一处理气体不同的第二处理气体生成的第二等离子体来使含金属沉积物变形或改性；以及工序(d)，在工序(c)后，对蚀刻对象膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN116705602A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310912618.4
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体处理装置，实行包括以下工序的处理：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀刻工序，其将形成有保护膜的含金属膜作为掩模，利用第二处理气体的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN116705601A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310137724.X
申请日：2023-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜作为掩模来对含硅膜进行蚀刻，蚀刻的工序包括：向腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向等离子体生成部供给源RF信号，来从处理气体生成等离子体；以及向基板支承部供给偏压RF信号，在蚀刻的工序中，一边在掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从处理气体生成的氟化氢来蚀刻含硅膜。
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公开(公告)号：CN109755123B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201811317005.1
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体蚀刻方法包括：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀刻工序，其将形成有保护膜的含金属膜作为掩模，利用第二处理气体的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110391140A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910292084.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够提高第一区域相对于第二区域的蚀刻的选择性的方法。一实施方式的方法相对于基片的第二区域选择性地蚀刻基片的第一区域，其中，该第二区域由与第一区域的材料不同的材料形成。在该方法中，在基片上形成沉积膜。沉积膜利用从第一气体生成的等离子体所包含的化学种形成。接着，对形成有沉积膜的基片供给前体气体。由前体气体所包含的前体在基片上形成吸附膜，接着，对形成有沉积膜和吸附膜的基片供给来自由第二气体生成的等离子体的离子，使第一区域的材料与沉积膜所包含的化学种反应，来蚀刻第一区域。吸附膜用于降低第一区域的蚀刻期间的第二区域的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN107078050A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060311.X
申请日：2015-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522 , H05H1/46
Abstract: 一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤；和利用含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对第一区域进行蚀刻的步骤。在该方法中，交替反复执行1次以上的流程和使含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。
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公开(公告)号：CN103928285B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410016335.2
申请日：2014-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在第一构件的表面上形成氧化硅膜。在等离子体处理工序中，在第一构件的表面上形成氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在将经等离子体处理过的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自第一构件的表面去除氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN104810272A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510206545.2
申请日：2008-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供等离子体蚀刻方法，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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公开(公告)号：CN101370349A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810135193.6
申请日：2008-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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