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公开(公告)号：CN101752444B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200810240351.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。
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公开(公告)号：CN101752444A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810240351.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。
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公开(公告)号：CN101740384A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226288.9
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN100555660C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610127920.5
申请日：2006-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN101471244A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304215.2
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01F41/14 , H01F41/22
Abstract: 本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获得了具有较好的磁学性能和半导体性能的稀磁半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN100495724C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610112889.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。
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公开(公告)号：CN101373798A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120608.8
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/06
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂InaGa1－aN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层的上面；一p型掺杂InaGa1－aN层制作在n型掺杂InaGa1－aN层的上面；一p型重掺杂InbGa1－bN层制作在p型掺杂InaGa1－aN层的上面；一n型重掺杂InbGa1－bN层制作在p型重掺杂InbGa1－bN层的上面；一n型掺杂IncGa1－cN层制作在n型重掺杂InbGa1－bN层的上面；一p型掺杂IncGa1－cN层制作在n型掺杂IncGa1－cN层的上面。
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公开(公告)号：CN101266999A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710064383.9
申请日：2007-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂AlxInyGazN层，该AlxInyGazN层制作在氮化铝第二插入薄层的上面。
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公开(公告)号：CN101230487A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710062979.5
申请日：2007-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单晶薄膜表面平整，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN108269866B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810091655.2
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/075
Abstract: 本发明提供了一种混合极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层的极性为Ga面极性、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明使得极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。
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