公开(公告)号：CN109599367A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811564982.1

申请日：2018-12-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 项金娟 ,  王晓磊 ,  李亭亭 ,  王文武 ,  赵超

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：形成第一预备半导体结构，预备半导体结构包括NMOS区和PMOS区，且NMOS区和PMOS区的裸露表面具有凹槽；在第一预备半导体结构的裸露表面上设置刻蚀停止层，刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物。该制作方法中，在具有凹槽的裸露表面上设置刻蚀停止层，该刻蚀停止层包括钽、氮和非钽金属形成的化合物，该刻蚀停止层的电阻率相对于现有技术中的Ta3N5较低，从而减小了现有技术中的栅叠层中的寄生电容，从而使得器件的电性能较好。

公开(公告)号：CN107275220A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710439044.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李亭亭 ,  项金娟 ,  唐波 ,  李俊峰 ,  赵超 ,  林福江

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/66545

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的形成方法，其包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成假栅、栅极侧墙和源漏区；去除假栅，以在假栅所在位置形成栅极沟槽；在栅极沟槽底部形成栅极介质层；向形成有栅极介质层的栅极沟槽内填充栅极材料，以在栅极介质层上方形成栅极功函数层；栅极材料为功函数值能够调节的材料。如此，本申请实施例采用功函数可调的栅极材料形成半导体器件的栅极结构，因此，通过本申请实施例提供的半导体器件的形成方法，能够较好地控制半导体器件的阈值电压，进而有利于提高整个半导体器件的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN114057157B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202010779451.5

申请日：2020-08-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 贺晓彬 ,  李俊峰 ,  刘金彪 ,  李亭亭 ,  高建峰

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及微电子机械系统设计及加工技术领域，具体涉及一种在湿法腐蚀衬底硅中保护正面电路的方法及微电子机械器件，包括以下步骤：在衬底硅的背面生长硬掩模；对衬底硅的背面进行图案化处理；在硬掩模上形成图案；在所述衬底硅的正面涂敷SU‑8胶进行保护；使用四甲基氢氧化胺腐蚀所述衬底硅的背面；去除所述衬底硅正面涂敷的SU‑8胶。使得衬底硅的正面电路在TMAH腐蚀过程中不受侵蚀，同时还可以保证在涂敷过程中衬底硅的正面电路不受损伤，能有效的保护MEMS器件，为MEMS的发展带来更广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119108268A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411521958.5

申请日：2024-10-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 贺晓彬 ,  李亭亭 ,  刘金彪 ,  韩江浩 ,  罗军 ,  李俊峰 ,  杨涛

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/20 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种窄沟槽二次成像方法。本发明的窄沟槽二次成像方法，包括如下步骤：S1：在衬底的氮化硅层上生长第一氧化硅层，光刻、刻蚀，形成第一宽沟槽图形；S2：继续生长第一氧化硅层，刻蚀氮化硅层上生长的氧化硅，形成第一窄沟槽图形；S3：将第一窄沟槽图形填平，在填平层上生长第二氧化硅层，光刻、刻蚀，形成第二宽沟槽图形；S4：继续生长第二氧化硅层，刻蚀填平层上生长的氧化硅，形成第二窄沟槽图形；S5：对填平层和第一氧化硅层进行刻蚀，去除第二氧化硅层和填平层，形成具有第一窄沟槽图形和第二窄沟槽图形的高密度凹槽结构。本发明的窄沟槽二次成像方法能够制备小尺寸沟槽图形并精确控制沟槽的宽度。

公开(公告)号：CN118224864A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410390195.9

申请日：2024-04-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李亭亭 ,  贺晓彬 ,  蒋浩杰 ,  王晓磊 ,  李俊峰 ,  杨涛 ,  罗军

IPC: F27B9/30 ,  C30B31/18 ,  C30B31/10 ,  C30B31/14 ,  C30B31/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/22 ,  G01C15/00

Abstract: 本发明公开一种扩散炉支撑桨的校准方法和扩散炉，涉及半导体制备技术领域，用于提升支撑桨的校准效率和精准性。校准方法包括在支撑桨上设置多个定位点，多个定位点形成至少两条相互平行的定位线，定位线平行于支撑桨的支撑面，两条定位线关于支撑桨的平行于支撑桨长度方向的中垂面对称设置；在定位线平行于水平面时，在炉体的一端内壁上设置与定位线相对应的目标点，两个目标点关于炉体的竖直方向的轴截面对称设置；将支撑桨放入炉体内，使得两条定位线的延长线经过对应的目标点。扩散炉包括支撑桨、炉体、石英舟、传输机构和校准件，支撑桨上设置有多个定位点，炉体上设置有与定位线相对应的目标点。校准件用于校准定位线与目标点是否共线。

公开(公告)号：CN117936404A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410044892.9

申请日：2024-01-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李亭亭 ,  贺晓彬 ,  王晓磊 ,  熊文娟 ,  蒋浩杰 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种膜厚监控方法、装置及设备，涉及集成电路技术领域，用于解决现有技术中膜厚监控准确度低、监控效率低的问题。包括：获取集成电路制造过程中目标器件的待监控膜层结构；确定目标器件中其他膜层结构与待监控膜层结构之间的相关度；对相关度小于预设阈值的膜层结构进行分类，得到基础膜层结构以及辅助膜层结构；在测试区域将辅助膜层结构进行删减，并优化，得到优化后的器件结构；对优化后的器件结构中的待监控膜层结构的膜层厚度进行监控，得到目标监控结果。本发明提供的技术方案中，在测试区域中精简目标器件的结构，以减少其他膜层对待监控膜层的影响，膜层数量减少，提高器件膜厚的监控效率以及监控准确率。

公开(公告)号：CN117928453A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410045516.1

申请日：2024-01-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李亭亭 ,  贺晓彬 ,  王晓磊 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC: G01B21/08 ,  G01B21/00

Abstract: 本发明公开一种样品膜厚自动测试系统及方法，涉及集成电路技术领域，用于解决现有技术中无法兼容不匹配机台固定尺寸大小之外的样品的测试，针对不规则样品的测试效率低、测试成本高的问题。包括：自动测试机台；设置在自动测试机台上的自动手臂；自动手臂的一端固定在自动测试机台上；设置在自动手臂另一端的样品托；样品托上设置有多个真空吸附点位，用于不同样品的吸附固定；样品托具有自动感应功能，用于定位样品托上的待测样品的位置信息，以确定测试点位；自动测试机台基于测试点位对样品托上的待测样品进行自动测试。本发明对于大小不一，规则不一的样品都能够被兼容在自动测试机台上进线相关测试；在提高测试速度的同时降低了测试成本。

公开(公告)号：CN117912936A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311723777.6

申请日：2023-12-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 贺晓彬 ,  杨涛 ,  唐波 ,  李亭亭 ,  刘金彪 ,  李俊峰 ,  罗军

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种梯形凹槽的刻蚀方法及金属线条的制备方法，涉及半导体技术领域，以在利用电子束胶形成梯形凹槽时，能够对梯形凹槽的开口进行单独调整，从而提高梯形凹槽的形貌质量。所述梯形凹槽的刻蚀方法包括：在衬底上形成显影可溶层。在显影可溶层上形成电子束胶层。通过电子束对电子束胶层进行曝光处理。依次对电子束胶层以及显影可溶层进行显影处理，形成梯形凹槽；其中，梯形凹槽的底部开口大小是通过调整对显影可溶层的显影时间来实现的。所述金属线条的制备方法包括采用上述技术方案所提的刻蚀方法在衬底上形成梯形凹槽；向梯形凹槽内溅射金属；剥离电子束胶，形成金属线条。

公开(公告)号：CN112731773B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202011623770.3

申请日：2020-12-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 贺晓彬 ,  李亭亭 ,  唐波 ,  刘金彪 ,  李俊峰 ,  杨涛

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机、调焦方法及装置，通过增设光学聚焦测试装置，将探测光照射到所述待曝光样品的当前曝光单元内，并采集所述当前曝光单元对应的反射光图像，然后基于当前曝光单元对应的反射光图像，得到当前曝光单元的位置信息，进而根据该位置信息调整当前曝光单元电子束曝光的焦点位置。这样能够有效地提高电子束曝光机的调焦准确性，有利于减小束斑尺寸，提高电子束曝光的分辨率。

公开(公告)号：CN117005036A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210467782.4

申请日：2022-04-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 郭世根 ,  李亭亭 ,  蒋浩杰 ,  项金娟 ,  贺晓彬 ,  王晓磊

IPC: C30B31/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/673

Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟以及具有晶舟的扩散炉，该晶舟包括沿晶舟周向间隔开的至少三个支撑柱和至少一个支撑架，支撑架设置在支撑柱上；其中，支撑架相反的两侧上分别设置有第一支撑部和第二支撑部，第一支撑部和第二支撑部均设置成装载晶圆。根据发明实施例的晶舟，将晶舟的两侧设置为均可以装载晶圆，先将晶圆装载到第一支撑部上，当加工过程中第一支撑部与晶圆之间发生摩擦产生细小的颗粒影响晶圆品质时，可以将晶舟翻转过来使用，将晶圆装载到第二支撑部上，继续进行加工，节省了晶舟更换清洗的费用，降低了在晶舟上的投入成本，提升了扩散炉的生产效率。