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公开(公告)号：CN100381526C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1551306A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410028267.8
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/52 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/7682
Abstract: 提供一种组合物，所述组合物通过烷氧基硅烷的水解和缩合形成，所述组合物含有减少量的金属和卤素杂质，可应用作为电子材料。也提供一种具有低介电常数的绝缘膜，通过应用组合物并焙烧进行生产。更具体地，提供一种用于制造成膜组合物的方法，包括在有机溶剂中，及在作为催化剂的氢氧化三烷基甲铵的存在下，烷氧基硅烷或烷氧基硅烷的部分水解产物的水解和缩合步骤，其中烷氧基硅烷选自如上通式(1)～(4)表示的化合物，并且，由如下通式(5)代表氢氧化三烷基甲铵。提供由该方法得到的成膜组合物，和具有低金属和卤素杂质的低介电常数膜，所述膜通过在基质上施加该成膜组合物并焙烧而生产。
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公开(公告)号：CN1542071A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1501454A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114943.9
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/04
CPC classification number: H01L23/5222 , C08K3/34 , C08L83/02 , C09D183/04 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/249953 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4－n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。
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公开(公告)号：CN116325194A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180071541.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明是一种发光二极管供给基板的制造方法，该发光二极管供给基板用于转移多个发光二极管，其特征在于，包括：第一搭载工序，在供给基板上搭载多个发光二极管；选择去除工序，选择性去除所述供给基板上的不良发光二极管；以及第二搭载工序，将正常发光二极管转移至所述供给基板上的之前配置有所述不良发光二极管的位置。由此，能够提供一种发光二极管供给基板的制造方法，其能够制造发光二极管供给基板，该发光二极管供给基板能够将多个正常发光二极管转移至供给目的地。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103424983B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201310182144.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
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公开(公告)号：CN106324978A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610509880.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及无机材料膜、光掩模坯料及光掩模的制造方法。能够确保与以往的铬系材料膜同等的特性并且能够提高干蚀刻速度。如果是以0.1原子％以上且11.5原子％以下的浓度范围含有锡的无机材料膜，则可以避免锡局部存在而形成粒子、该粒子成为光学膜中的缺陷的问题。本发明的无机材料膜为通过溅射成膜的包含铬系材料的光掩模坯料用的无机材料膜，该无机材料膜包含具有导电性的遮光层，该遮光层含有0.1原子％以上且11.5原子％以下的锡和15原子％以下的氧。另外，氧浓度的下限例如为3原子％。另外，无机材料膜具有导电性，但利用电阻率进行评价时，优选为5000Ω/cm2以下。
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公开(公告)号：CN105518529A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049627.4
申请日：2014-07-24
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/66 , H01L21/673
CPC classification number: G03F1/66 , H01L21/67359 , H01L21/67393
Abstract: 本发明抑制对光阻图案产生的影响并且更确实地降低因在保管、搬送或容器操作的过程中所有可能产生的尘埃或粒子的附着引起的光罩基底的污染，提高光罩基底的质量及良率。本发明涉及一种光罩基底衬底收纳容器(1)，其收纳、搬送或保管光罩基底衬底(2)，且其构成零件中的至少1个包含以40℃保持60分钟下通过动态顶空法测定的己内酰胺量以正癸烷换算计每树脂单位重量成为0.01ppm以下的热塑性树脂，并且该构成零件的表面电阻值为1.0E+13欧姆以下。
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公开(公告)号：CN104698738A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738666.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
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公开(公告)号：CN103424983A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182144.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
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