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公开(公告)号：CN1743129A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510105684.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属涂层高温超导制备领域。目前制备银带经过高温在结晶退火后非常软，且表面凹凸不平，给后续高温超导膜的制备带来很大难度，超导膜层无法均匀沉积在银基带上，超导长带的制备更为困难。本发明步骤：使用的银原材料为商业银铸锭，纯度为重量百分比99.9％～99.99％；采用真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，在银为液态的情况下保持高真空3～8×10－3Pa持续3～10分钟，然后浇铸成银坯，切成3.5mm－4.5mm厚的银板，脱气后的氧含量降至10～30ppm；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～20％，总变形量为92％～97％；采用三氟乙酸盐热分解法在冷轧银基带上沉积YBa2Cu3O7－δ超导膜。本发明可重复制备有较好双轴织构的超导膜，且超导膜非常平整，有较高的临界电流值。
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公开(公告)号：CN1219907C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200310117045.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22F1/14
Abstract: 一种多晶织构银基带制备方法，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。本发明的制备方法，特征在于包括以下步骤：采用现有的真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，然后浇铸成银坯，切成3.5mm-4.5mm厚的银板；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～40%，总变形量为90～97%；700℃～920℃在空气、氩气、氧气或者氩气和体积百分比2～15%空气的混合气氛任选其一的气氛中退火0.5～10小时。经过研究发现以重复制备具有很强单组分{110} 双轴织构；在氩气和体积百分比2～15%空气的混合气氛中退火还可以得到具有平整表面的银基带。制出的银带进行表面处理后，采用三氟乙酸盐热分解法制备超导薄膜，制备出成分单一，高度c-轴取向及良好面内取向的薄膜。
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公开(公告)号：CN115347075B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210521543.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 一种通过表面掺杂来提高二维材料KP15电学性能的方法属于光电材料与器件领域。本发明通过在材料表面掺杂有机分子，调控了KP15的导电类型以及载流子浓度，使其电学性能大大提高。本发明方法简单、效果显著，不会对材料本身造成伤害，并且具有可逆性，可推广应用于其它二维材料的掺杂中。此外，本发明增强了KP15材料的导电性，为其偏振光电探测器的应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN113707752A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110841776.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于二维材料CrPS4异质结的可见‑近红外光电探测器的构筑及其制备方法，红磷、金属铬粉、硫粉三种混合粉末放入石英管中并采用氩气密封，密封好的石英管放入双温区加热炉中生长二维材料，高温区温度为700‑800℃，低温区温度为600‑700℃，保温10天后，得到亮黑色的CrPS4。采用机械剥离的方法剥离二维材料CrPS4，叠层过渡族金属硫化物二硫化钼，形成CrPS4‑MoS2异质结，异质结具有良好的整流特性、快的响应速度以及可见‑近红外光电探测特性，可以在室温下使用，不需要冷却系统。CrPS4‑MoS2异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用，更好的满足下一代集成电路的发展要求。
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公开(公告)号：CN110556221B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910742765.5
申请日：2019-08-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有大磁熵变和宽工作温区的Mn5Ge3/(Mn,Fe)5Ge3类单晶异质结室温磁制冷材料及其制备工艺。以单质Mn、Fe、P、Ge和Sn为原材料，按照Mn2‑xFexP1‑yGeySn12(0.80≤x≤0.90,0.20≤y≤0.26)的成分配比将原材料混合并封装在充入Ar气的石英管中，经过高温保温、缓慢降温、倾倒熔融金属Sn以及酸洗分离等过程，首次成功制备出了直径约为100～300μm、长度最大可达1cm的针状Mn5Ge3/(Mn,Fe)5Ge3类单晶异质结室温磁制冷材料。该室温磁制冷材料具有大磁熵变、宽工作温区、大制冷能力以及无需后续加工且耐酸腐蚀等优点，可直接用做室温磁制冷工质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103194654B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310111654.7
申请日：2013-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种室温磁制冷材料及其制备工艺，磁制冷材料的化学通式（原子百分比）为：Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y)Al(z)，x的范围为：0.79～0.91；y的范围为:0.2～0.28；z的范围为：0.005～0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是：所制备的磁制冷材料，通过添加Al元素，形成间隙原子存在于Fe2P晶体结构相中，稳定了相结构，提高了材料的居里温度。同时，材料的转变温区基本不变、磁熵略有增加或基本不变，滞后略有减少，改善了材料的磁热效应，可应用于磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN102965562B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210437781.1
申请日：2012-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有巨磁热效应的磁制冷材料及其制备工艺。磁制冷材料的化学通式（原子百分比）为：Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z) Zn(z)，一种具有巨磁热效应的磁制冷材料，其特征在于：所涉及的磁制冷材料的化学通式为： Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y-z)Zn(z)，x的范围为：0.8~0.9；y的范围为:0.2~0.27；z的范围为：0.001～0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是：所制备的磁制冷材料，通过添加Zn元素，改善了材料的磁热效应，其磁熵变增大，滞后减小，可应用于磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN102517488A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110397642.6
申请日：2011-12-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种磁制冷材料及其制备工艺，具体涉及一种具有巨磁热效应的磁制冷材料及其制备工艺。磁制冷材料的化学通式(原子百分比)为：Mn(2-x)Fe(x)P(1-y)Ge(y)B(z)，x的范围为：0.8～0.9。y的范围为：0.2～0.27。z的范围为：0.01～0.02。制备工艺为球磨机球磨+烧结技术。其优点是：所制备的磁制冷材料，通过添加B元素，形成间隙原子存在于Fe2P结晶结构相中，稳定了相结构，改善了材料的磁热效应，其工作温度得以提高，磁熵变增大，可应用于磁制冷技术中。
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公开(公告)号：CN101434394B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810239385.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 多元稀土硼化物(LaxBa1-x)B6阴极材料及其制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物的研究很少，且制备工艺复杂。本发明阴极材料的组成为(LaxBa1-x)B6，0.3≤x≤0.7。本发明采用直流电弧蒸发法分别制得LaH2和BaH2纳米粉末后，与原料B粉末在低氧环境下混合，采用放电等离子烧结，在压力30～60MPa，升温速率90～150℃/min，烧结温度1350～1650℃，保温5～15min条件下，制备多元稀土硼化物(LaxBa1-x)B6阴极材料。本发明所提供的方法烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的阴极材料单相、高纯、致密。
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