公开(公告)号：CN100504564C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710025127.9

申请日：2007-07-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 钱波 ,  陈三 ,  陈坤基 ,  张贤高 ,  刘奎 ,  丁宏林 ,  李伟 ,  徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  黄信凡

IPC: G02F1/35 ,  G01N21/64

Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a-SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5-9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。

公开(公告)号：CN100464472C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200710020973.1

申请日：2007-04-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  陈三 ,  钱波 ,  李卫 ,  张贤高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  黄信凡

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a-SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射层的a-SiNx/a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a-SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。

公开(公告)号：CN100437353C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410065998.X

申请日：2004-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  张永军 ,  刘嘉瑜 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  李卫 ,  徐骏

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  B82B3/00

Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a-Si)/氮化硅(SiNX)、(a-SiC)/(SiNX)、(a-Ge)/(SiNX)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a-Si/SiNX多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。

公开(公告)号：CN101162753A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710134577.1

申请日：2007-11-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 万能 ,  徐骏 ,  林涛 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  黄信凡 ,  马忠元

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法，属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退火。实验证明，采用本发明的方法可以使稀土离子的发光产生数量级的增强，可以与半导体工业相兼容，具有操作方便、快捷、成本低廉、制备条件温和、工艺重复性好、效果明显等优点，完全可以应用于未来的硅基光电子领域。

公开(公告)号：CN101030695A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710020973.1

申请日：2007-04-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  陈三 ,  钱波 ,  李卫 ,  张贤高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  黄信凡

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

Abstract: 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a－SiNz的受DBR三维限制微腔；其中设有两个DBR位于有源层两侧，微腔的谐振波长为λ，DBR包括6±2个周期的低折射率层和高折射率层的a－SiNx/a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射率层之间a－SiNx薄膜，厚度为λ/(2n)。

公开(公告)号：CN1976068A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610098062.6

申请日：2006-11-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 马忠元 ,  徐岭 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  徐骏 ,  陈坤基 ,  冯端

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a－Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。

公开(公告)号：CN1242454C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03131685.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  黄信凡 ,  闵乃本 ,  骆桂蓬 ,  王明湘 ,  徐骏 ,  李伟

IPC: H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a-Si)薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a-Si薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a-Si:H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。

公开(公告)号：CN1484278A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03131685.9

申请日：2003-06-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  黄信凡 ,  闵乃本 ,  骆桂蓬 ,  王明湘 ,  徐骏 ,  李伟

IPC: H01L21/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00

Abstract: 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a－Si)薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a－Si薄膜或a－SiNx∶H/a－Si∶H/a－SiNx∶H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a－Si∶H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。