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公开(公告)号：CN117577750A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311812460.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；发光柱，位于部分所述GaN缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光柱包括具有纳米孔的N型GaN柱以及位于所述N型GaN柱表面的I nGaN/GaN发光量子点柱；P型GaN层，位于所述发光柱的表面。所述LED芯片结构的发光效率高。
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公开(公告)号：CN116344718A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310243681.3
申请日：2023-03-14
Abstract: 本发明涉及显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。显示面板包括：电路板；位于电路板的一侧表面的倒装发光芯片阵列，倒装发光芯片阵列包括阵列排布的若干倒装发光芯片；位于倒装发光芯片阵列背离电路板的一侧的透镜阵列，透镜阵列包括阵列排布的若干凹透镜，凹透镜与倒装发光芯片相对设置，凹透镜的凹陷区朝向倒装发光芯片，倒装发光芯片在电路板的正投影位于凹陷区在电路板的正投影内。倒装发光芯片发出的光照射到凹透镜的折射面从而发生收敛，减小了Micro‑LED芯片发出的光的角度范围，不仅降低了显示面板中不同颜色的串扰程度，还提高了该Micro‑LED芯片所对应的显示区域的亮度，提高了显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN115274942B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
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公开(公告)号：CN116053383A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310082604.4
申请日：2023-01-30
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，其中，Micro‑LED芯片包括：衬底层；N型半导体层，位于所述衬底层一侧表面；有源层，位于部分所述N型半导体层背离所述衬底层的一侧表面；P型半导体层，位于所述有源层背离所述N型半导体层的一侧表面；氢钝化层，覆盖所述P型半导体层的侧壁和所述有源层的侧壁。所述Micro‑LED芯片的发光效率高且可以避免漏电流的产生。
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公开(公告)号：CN115274942A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113437191B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110629473.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及其制备方法，该激光器阵列包括LED外延结构、n电极和p电极，LED外延结构包括按序设置的n型氮化镓层、量子阱、p型铝镓氮层和p型氮化镓层，p电极和n电极分别与p型氮化镓层和n型氮化镓层电性连接；LED外延结构具有于厚度方向上由p型氮化镓层深入至至少贯穿量子阱的纳米孔的阵列，纳米孔内填充有环形的电介质层和位于电介质层之内的金属柱。本发明利用LED的电注入方式实现激光器的电注入，利用金属与量子阱中的激子发生近场耦合所形成的等离极化激元，在介电层内形成回音壁式等离激元共振模式，打破常规光学器件的衍射极限，并大幅降低激光器的激射阈值。
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公开(公告)号：CN110880522B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910972267.X
申请日：2019-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于极性面和非极性面生长的微型LED集成全色显示芯片及其制备方法，其器件结构包括：衬底，图形化的n型氮化镓层，多量子阱有源层，p型氮化镓层，绝缘层，n型电极和p型电极，红光波长转换材料。在图形化的n型氮化镓层的极性面和非极性面上同时外延多量子阱有源层，分别获得绿光和蓝光微型LED发光单元。每个像素单元包含一个绿光微型LED发光单元和两个蓝光微型LED发光单元，通过使用红光波长转换材料将其中一个蓝光微型LED发光单元转换为红光微型LED发光单元，从而在同一晶圆上得到红绿蓝RGB模块，集成RGB像素单元，并将该结构倒装结合至集成电路控制板，实现全色显示。
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公开(公告)号：CN111063753B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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公开(公告)号：CN112864289A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110188161.8
申请日：2021-02-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种低电流Micro LED芯片外延结构，包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/InGaN量子阱有源层以及p型GaN层，其中所述InGaN/InGaN量子阱有源层的周期数为2个，且所述InGaN/InGaN量子阱有源层之上不设置电子阻挡层。跟传统工作在大电流、大功率下的LED外延结构相比，本发明提供的Micro‑LED芯片的外延结构及其制备方法可提高电子与空穴的注入效率、载流子匹配效果、内量子效率，最终提高了Micro‑LED芯片的整体发光效率，可解决Micro‑LED芯片随着尺寸减小而效率降低的难题，在超高分辨率的Micro‑LED新型显示技术中具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111063753A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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