公开(公告)号：CN206947327U

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201720906078.9

申请日：2017-07-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  颜俊 ,  蔡涵 ,  夏雁鸣 ,  罗荣峰 ,  王玮

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型公开了一种内嵌金属微通道的转接板，包括相互键合的第一衬底和第二衬底，以及设置于所述第一衬底中的金属微通道；所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成；在集成高密度芯片的过程中，转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构，金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构，然后在第一衬底表面集成高密度芯片，高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配，通过金属微通道导热。转接板导热效果良好，封装尺寸小，工艺简单，成本可控。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN212848377U

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202020918472.6

申请日：2020-05-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  练婷婷 ,  金玉丰 ,  王玮

IPC: H01L23/46 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本实用新型在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。

公开(公告)号：CN207134348U

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201721177329.0

申请日：2017-09-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  蔡涵 ,  李继伟 ,  罗荣峰 ,  颜俊 ,  龚丹 ,  夏雁鸣 ,  秦利锋 ,  王玮 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本实用新型利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利