公开(公告)号：CN114383821A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111665174.6

申请日：2021-12-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 高娜 ,  胡汛 ,  钟志白 ,  沈鹏 ,  黄凯 ,  康俊勇 ,  张荣

IPC: G01M11/02 ,  G01N21/31 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明提出了基于三维成像的微小尺寸LED芯片测试系统，其构成包括压电驱控六轴探针台、马达驱控器、支架、底座、显微相机、信号采集器、光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机；本发明压电驱控六轴台以小步进发生位移，同步结合三维显微成像实现探针与芯片的精准定位，所述三维成像包括正面和截面显微成像，根据观测到的成像可以对探针与芯片的局部接触进行全方位控制；微芯片阵列在不同工作区间的整体出射光强度、光谱分布信息及电学特性，可通过数字源表光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机等测量组件获得，特别是运用机器视觉对图像的深度处理，有效实现了对高密度微LED阵列中单元器件发光均匀性的快速识辨及分析。

公开(公告)号：CN110880522B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201910972267.X

申请日：2019-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  黄长峰 ,  李金钗 ,  康俊勇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种基于极性面和非极性面生长的微型LED集成全色显示芯片及其制备方法，其器件结构包括：衬底，图形化的n型氮化镓层，多量子阱有源层，p型氮化镓层，绝缘层，n型电极和p型电极，红光波长转换材料。在图形化的n型氮化镓层的极性面和非极性面上同时外延多量子阱有源层，分别获得绿光和蓝光微型LED发光单元。每个像素单元包含一个绿光微型LED发光单元和两个蓝光微型LED发光单元，通过使用红光波长转换材料将其中一个蓝光微型LED发光单元转换为红光微型LED发光单元，从而在同一晶圆上得到红绿蓝RGB模块，集成RGB像素单元，并将该结构倒装结合至集成电路控制板，实现全色显示。

公开(公告)号：CN111293134A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010081740.8

申请日：2020-02-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 高娜 ,  卢诗强 ,  冯向 ,  黄凯 ,  李书平 ,  康俊勇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上通过图形化光刻、感应耦合等离子体刻蚀等技术，形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成发光波长分别为580～680nm、480～580nm及380～480nm的红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明极大地简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，且可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。

公开(公告)号：CN108878547B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201810708469.9

申请日：2018-07-02

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  阳超 ,  高娜 ,  卢诗强 ,  康俊勇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。

公开(公告)号：CN103474503B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310461747.2

申请日：2013-09-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  高娜 ,  黄凯 ,  陈雪 ,  林伟 ,  李书平 ,  陈航洋 ,  杨旭 ,  李金钗

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0248

Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。

公开(公告)号：CN103346232A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310268722.0

申请日：2013-06-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄凯 ,  陈雪 ,  康俊勇 ,  高娜 ,  杨旭

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: 一种深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列，在n-AlGaN层上设有n型电极，在p-GaN盖层上设有p型电极。在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。

公开(公告)号：CN119767869A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411985256.2

申请日：2024-12-31

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  徐溢聪 ,  万子昂 ,  陈孟瑜 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H10F77/20 ,  H10F71/00 ,  H10F30/222 ,  H10F30/28

Abstract: 本发明涉及半导体结构技术领域，公开了一种可调谐双波段紫外光电探测器及其制备方法，可调谐双波段紫外光电探测器包括衬底；缓冲氮化镓层，位于衬底的一侧表面；P型氮化镓层，位于缓冲氮化镓层背向衬底一侧的表面；氧化镓层，位于P型氮化镓层背向缓冲氮化镓层的一侧表面；第二电极，位于氧化镓层的侧部的P型氮化镓层表面；第二电极与P型氮化镓层形成电接触；叉指电极，位于氧化镓层背向P型氮化镓层的一侧表面；叉指电极包括第一电极和第三电极，第一电极和第三电极分别与氧化镓层形成电接触。与相关技术相比，本发明可以在单个光电探测器上实现可调谐的双波段紫外光探测，提高探测效率，扩宽器件的应用场景。

公开(公告)号：CN119092609A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411266439.9

申请日：2024-09-10

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 毕朝霞 ,  刘春煜 ,  黄凯 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种抗静电的LED器件及其制备方法。器件结构依次包括：衬底层；第一半导体层；第一应力释放层；第二应力释放层；有源层；第二半导体层；电极层；还包括：第一抗静电层，位于所述第一应力释放层和第二应力释放层之间，所述第一抗静电层为n型掺杂GaN层；其中，第一半导体层和第二半导体层是导电类型相反的半导体层；第一抗静电层的硅掺杂浓度与第一应力释放层的硅掺杂浓度不同，第一抗静电层的硅掺杂浓度与第二应力释放层的硅掺杂浓度不同。本发明提供的抗静电的LED器件能有效提高LED器件的抗静电能力和电学性能，进而提高器件在各种应用中的可靠性和寿命。

公开(公告)号：CN118738197A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410769561.1

申请日：2024-06-14

Applicant: 厦门大学 ,  昆山厦大创新中心

Inventor： 黄凯 ,  刘祥炜 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，公开了一种高线性动态范围的紫外光电探测器及制备方法。探测器包括半导体衬底、氮化镓层、氧化镓层和电极结构层，氮化镓层设置于半导体衬底上，氮化镓层为第一导电类型；氧化镓层设置于氮化镓层远离半导体衬底一侧的表面上，氧化镓层为与第一导电类型相反的第二导电类型，氧化镓层的电阻率高于氮化镓层的电阻率；电极结构层位于氧化镓层远离半导体衬底一侧的表面上，电极结构层包括间隔设置在同一平面上的第一电极和第二电极以及镂空设置的透光区。有效降低器件的响应时间，扩大器件的线性动态范围，可以在较低的电压下便具有较好的响应性能，且在一定的电压范围内光电流几乎不发生变化。

公开(公告)号：CN118136754A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311755494.X

申请日：2023-12-19

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 黄凯 ,  赵政仰 ,  李金钗 ,  杨旭 ,  张荣

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了Micro‑LED发光器件及其制备方法。Micro‑LED发光器件包括：层叠的半导体衬底层、N型半导体层；发光量子阱层，位于N型半导体层远离半导体衬底层的一侧表面；p型半导体层，位于发光量子阱层远离半导体衬底层的一侧；p型半导体层包括本征p型半导体层和掺杂p型半导体层，掺杂p型半导体层的电阻值高于本征p型半导体层；第一电极；位于掺杂p型半导体层一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧；第二电极；位于掺杂p型半导体层另一侧的本征p型半导体层远离半导体衬底层的一侧。本发明提供的Micro‑LED发光器件的发光效率高，且生产成本低，为后续工艺提供较大窗口。