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公开(公告)号：CN112310131B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010709695.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种摄像面板，在基板上具备：光电转换元件；第1配线层，其与光电转换元件俯视时不重叠，比光电转换元件的阳极靠基板侧设置；以及第2配线层，其相对于光电转换元件设置在与基板相反的一侧。在第1配线层与上述第2配线层之间设置有与光电转换元件及第1配线层俯视时重叠的第1绝缘层。另外，设置有贯通第1绝缘层的第1开口和第2开口，在第1开口中第1配线层与上述第2配线层连接，在第2开口中阳极与第2配线层连接。在比第1配线层靠基板侧，在与第1开口俯视时重叠的位置配置有电独立地设置在基板上的调整用金属层。
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公开(公告)号：CN111755469B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010227412.4
申请日：2020-03-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种在拍摄面板的制造过程以及制造后不易产生静电损坏的技术。拍摄面板(1)在由形成于基板上的多个栅极线和多个数据线(10)限定的多个像素中具备多个光电转换元件。此外，拍摄面板(1)在由多个像素限定的像素区域的外侧具备：多个第一非线性元件(161a)，其与多个数据线(10)连接；多个第一保护布线(161b)，其与多个数据线(10)的各自连接；以及第一共用布线(17a)，其与多个第一非线性元件(161b)连接。各第一非线性元件(161a)以反向偏置状态连接于连接有该第一非线性元件(161a)的数据线(10)与第一共用布线(17a)之间。各第一保护布线(161b)形成至基板的端部。
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公开(公告)号：CN110783353B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910691352.9
申请日：2019-07-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 摄像面板中，在多个像素的每一个上具备光电转换元件的有源矩阵基板中，在各像素包括：设置在光电转换元件的一侧的表面的第一电极；设置在光电转换元件和所述第一电极的上层的第一平坦化膜；以及设置在所述第一平坦化膜的下层的偏压导电部。偏压导电部与第一电极连接，并向第一电极施加偏压电压。第一平坦化膜在与所述像素区域重叠的区域中未形成开口。
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公开(公告)号：CN110392927B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201880016980.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/144 , H01L29/786 , H04N23/30 , H04N25/70
Abstract: 本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由光电转换部产生的电荷，光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT，光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在半导体层的周缘部，在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层，绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。
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公开(公告)号：CN112310131A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010709695.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种摄像面板，在基板上具备：光电转换元件；第1配线层，其与光电转换元件俯视时不重叠，比光电转换元件的阳极靠基板侧设置；以及第2配线层，其相对于光电转换元件设置在与基板相反的一侧。在第1配线层与上述第2配线层之间设置有与光电转换元件及第1配线层俯视时重叠的第1绝缘层。另外，设置有贯通第1绝缘层的第1开口和第2开口，在第1开口中第1配线层与上述第2配线层连接，在第2开口中阳极与第2配线层连接。在比第1配线层靠基板侧，在与第1开口俯视时重叠的位置配置有电独立地设置在基板上的调整用金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108352138B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201680061839.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/1333
Abstract: 阵列基板11b包括：多个输入端子部28；第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20，使第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a配设于多个输入端子部28与显示区域AA之间；多个端子布线部29，配设于第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20的上层侧而跨越第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a并且与多个输入端子部28连接；第二平坦化膜22，其配设于多个端子布线部29的上层侧且第二平坦化膜端部22a配设于比第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a靠输入端子部28侧；以及多个保护部30，配设于第二平坦化膜22的上层侧而分别覆盖多个端子布线部29中的与第二平坦化膜22非重叠的部分。
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公开(公告)号：CN108140946B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201680059376.7
申请日：2016-10-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线(1000B)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)～(1000Bd)贴合的拼接结构，多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分，多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处，包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。
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公开(公告)号：CN107408759B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680012918.5
申请日：2016-10-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线(1000)排列有天线单位(U)，具有：TFT基板(101)，其具有第1电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第2电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)。缝隙电极具有与贴片电极分别对应配置的缝隙(57)。在从第1电介质基板的法线方向观看时，若将离缝隙的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第1区域(Rp1)，将离贴片电极的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第2区域(Rp2)，则设置在TFT基板与缝隙基板之间的多个间隔物结构体(75)配置为不与第1区域和/或第2区域重叠。
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公开(公告)号：CN108140945A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058659.X
申请日：2016-10-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单元U的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置；插槽电极具有分别对应于贴片电极而配置的插槽，贴片电极分别连接于对应的TFT的漏极，在由从对应的TFT的栅极总线供给的扫描信号所选择的期间内，从对应的源极总线供给数据信号，施加到贴片电极的电压的极性反转的频率为300Hz以上。
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公开(公告)号：CN104380474B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380033025.5
申请日：2013-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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