公开(公告)号：CN104170069B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201380014079.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/134381 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。

公开(公告)号：CN104396019A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032605.2

申请日：2013-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  宫本忠芳 ,  小川康行 ,  高丸泰 ,  伊东一笃 ,  松尾拓哉 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/425 ,  H01L21/441 ,  H01L21/443 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。

公开(公告)号：CN104380474A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033025.5

申请日：2013-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  小川康行 ,  宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  高丸泰 ,  中泽淳 ,  宫本光伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN104247031A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。

公开(公告)号：CN104170069A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380014079.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/134381 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。

公开(公告)号：CN104081507A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007575.X

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN103081108A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180043132.7

申请日：2011-09-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 有源矩阵基板（20a）包括：绝缘基板（10a）；第一薄膜晶体管（5a），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第一栅极电极（11b）和具有第一沟道区域（Ca）的第一氧化物半导体层（13a）；第二薄膜晶体管（5b），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第二栅极电极（11c）和具有第二沟道区域（Cb）的第二氧化物半导体层（13b）；和覆盖第一氧化物半导体层（13a）和第二氧化物半导体层（13b）的第二栅极绝缘膜（17）。而且，在第二栅极绝缘膜（17）上设置有隔着第二栅极绝缘膜（17）与第一沟道区域（Ca）和第二沟道区域（Cb）相对配置的第三栅极电极（25）。

公开(公告)号：CN101263604B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680033915.6

申请日：2006-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志 ,  宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种能够进行低阈值动作并且具有高晶体管耐压的薄膜晶体管及其制造方法、以及使用该薄膜晶体管而得到的半导体装置、有源矩阵基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管，通过在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成，上述半导体层的截面具有顺圆锥形状，上述半导体层的上方和侧方被栅极绝缘膜覆盖，上述栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构，并且，当设上述半导体层的上方的膜厚为A、设上述半导体层的侧方的膜厚为B时，满足0.5≤B/A。

公开(公告)号：CN101517629A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034968.4

申请日：2007-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  田中充浩

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136204

Abstract: 在本发明的有源矩阵基板(100)中，栅极总线(105)和栅极电极(166)沿第1方向(x方向)延伸，在将栅极总线(105)与第1导电型晶体管部(162)和第2导电型晶体管部(164)的漏极区域电连接的接点部(168)中，表示多个第1导电型漏极连接部(168c)中离栅极总线(105)最近的第1导电型漏极连接部(168c)与栅极总线(105)之间的最短距离(d1)的直线(L1)的方向相对于第2方向(y方向)倾斜。

公开(公告)号：CN1114427A

公开(公告)日：1996-01-03

申请号：CN94119247.4

申请日：1994-12-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  吉村洋二 ,  高藤裕

IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/20

CPC classification number: G02F1/133514

Abstract: 一种用多层无机薄膜结构提高滤色片白色平衡并使液晶元免受着色的彩色液晶显示器。其光谱传输特性是G(绿色)滤色片的发射波长区域变窄。对于具有四个像素为一组的像素阵列，G滤色片的两个像素成对角线排列，余下两个像素由R(红色)和B(蓝色)构成。