公开(公告)号：CN116249436A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211555120.9

申请日：2022-12-06

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  蔡林莹 ,  徐培鹏

IPC: H10N70/20 ,  G11C13/04 ,  G11C11/56 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明公开了一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器，包括SiO2基底，特点是SiO2基底上设置有上下两条矩形直波导，两条矩形直波导之间设置有微环波导，微环波导与矩形直波导之间设有耦合间距，微环波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的第一相变狭缝结构，第一相变狭缝结构材料为Ge2Sb2Te5，上行矩形直波导的输出端与下行矩形直波导的输入端之间连接有U型反馈环波导，U型反馈环波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生非晶态至晶态的可逆相变的第二相变狭缝结构，第二相变狭缝结构与第一相变狭缝结构尺寸相同且材料相同，优点是低插入损耗、高消光比、非易失性。

公开(公告)号：CN110137349B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910311284.9

申请日：2019-04-18

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  李洋

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒‑富Sb相变薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(VO2)x(Sb4Te)100‑x，其中0

公开(公告)号：CN115220248A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210627849.6

申请日：2022-06-06

Applicant: 宁波大学

Inventor： 徐培鹏 ,  张杰英 ,  靳慧敏 ,  吕业刚 ,  张巍 ,  田野

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/01 ,  G02F1/035 ,  G02F1/21 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的非易失性移相器，包括基底以及固定设置在基底上的第一硅波导和混合波导，混合波导包括第二硅波导和Ge2Sb2Te5层，第二硅波导固定设置在基底上，第二硅波导与第一硅波导间隔设置，且第二硅波导的长度方向与第一硅波导的长度方向相平行，Ge2Sb2Te5层固定设置在第二硅波导层上且Ge2Sb2Te5层的长度方向与第二硅波导的长度方向相平行，本发明具有如下优点：本发明移相器具有非易失性，小尺寸、较宽的工作带宽、低插入损耗和串扰等特点，将其构造马赫曾德尔干涉仪2x2光开关，开关插损和串扰都较小。

公开(公告)号：CN107946460B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201711113561.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王国祥 ,  师道田 ,  刘鹏 ,  沈祥 ,  聂秋华 ,  吕业刚

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于多态相变存储器的Zn‑Sb‑Bi薄膜材料及其制备方法，特点是薄膜材料由金属单质Bi靶和Zn2Sb3合金靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶共溅射获得，其化学结构式为(Zn2Sb3)100‑xBix，其中0≤x

公开(公告)号：CN106960907B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710112369.5

申请日：2017-02-28

Applicant: 宁波大学

Inventor： 谷婷 ,  王国祥 ,  刘画池 ,  沈祥 ,  吕业刚 ,  李超 ,  王慧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(Er)x(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0

公开(公告)号：CN105355783B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510712254.0

申请日：2015-10-28

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  王苗 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种用于高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，特点是多层纳米复合薄膜材料为GaSb/Sb4Te多层复合薄膜，其结构符合下列通式：[GaSb/Sb4Te]x,式中单层GaSb薄膜的厚度为4nm，单层Sb4Te薄膜的厚度为6nm，x表示单层GaSb和单层Sb4Te薄膜的交替周期数或者交替层数，取值为1‑15之间的任一整数，其制备方法包括清洗衬底；安装好溅射靶材；先对GaSb靶材溅射，再对Sb4Te靶材进行溅射，之后交替溅射GaSb薄膜和Sb4Te薄膜即可，优点是能够实现多级存储，极大提高存储器的存储密度；具有较高的十年数据保持力温度，可以提高存储器热稳定性。

公开(公告)号：CN106960907A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710112369.5

申请日：2017-02-28

Applicant: 宁波大学

Inventor： 谷婷 ,  王国祥 ,  刘画池 ,  沈祥 ,  吕业刚 ,  李超 ,  王慧

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(Er)x(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0

公开(公告)号：CN106229408A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610852435.8

申请日：2016-09-27

Applicant: 宁波大学

Inventor： 罗阳 ,  王国祥 ,  吕业刚 ,  李军建 ,  钟珏晨 ,  沈祥 ,  陈飞飞 ,  蒋科锋

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18

CPC classification number: H01L45/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/352 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明公开了一种高速的伪纳米复合Mg-Sb-Te可逆相变薄膜，特点是该可逆相变薄膜的材料为Mg、Sb、Te三种元素的混合物，其化学结构式为Mg（x Sb7Te3）100-x，其中0

公开(公告)号：CN103762309A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410011430.3

申请日：2014-01-10

Applicant: 宁波大学

Inventor： 沈祥 ,  陈益敏 ,  王国祥 ,  李军建 ,  吕业刚 ,  王训四 ,  戴世勋 ,  徐铁峰 ,  聂秋华

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

Abstract: 本发明公开了一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该材料化学结构式为ZnxSb（100-x）（0

公开(公告)号：CN110176536B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201910311279.8

申请日：2019-04-18

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  张倩

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种兼具高速和高数据保持力的二氧化钒‑Sb薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为（VO2）xSb100‑x，其中VO2的原子数百分含量为0