公开(公告)号：CN100514549C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610093142.2

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福岛大 ,  南幅学 ,  矢野博之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底的顶面处形成薄膜；抛光所述衬底的背面；以及在抛光所述背面后，抛光形成在所述衬底的所述顶面处的所述薄膜。

公开(公告)号：CN100402624C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN01122494.0

申请日：2001-07-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  矢野博之 ,  福岛大

IPC: C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047

Abstract: CMP用淤浆，它具有：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。

公开(公告)号：CN1292460C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200410048782.2

申请日：2004-06-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 所公开的是一种CMP浆料，其所含第一种胶粒的初级粒子直径范围从5nm到30nm并且平均粒径为d1，掺入的第一种胶粒的重量为w1，第二种胶粒的初级粒子直径比第一种的大并且其平均粒径为d2，第二种胶粒是用与第一种胶粒相同的材料制成，掺入的重量为w2，其中所选择的d1、d2、w1、w2应同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.97 (B)；3≤d2/d1≤5 (C)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.9 (D)。

公开(公告)号：CN1237613C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03148279.1

申请日：2003-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。

公开(公告)号：CN1674224A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510071624.3

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田现 ,  重田厚 ,  矢野博之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02043 ,  B24B9/065 ,  B24B37/02 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种处理衬底的方法，其中包括，将表面活性剂或水溶性高聚物试剂施加到将要处理的衬底表面上；以及使衬底的周缘部分与抛光部件相对彼此滑动，以抛光衬底的周缘部分。

公开(公告)号：CN1576347A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嵨延行

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN1574238A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048782.2

申请日：2004-06-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 所公开的是一种CMP浆料，其所含第一种胶粒的初级粒子直径范围从5nm到30nm并且平均粒径为d1，掺入的第一种胶粒的重量为w1，第二种胶粒的初级粒子直径比第一种的大并且其平均粒径为d2，第二种胶粒是用与第一种胶粒相同的材料制成，掺入的重量为w2，其中所选择的d1、d2、w1、w2应同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.97 (B)；3≤d2/d1≤5 (C)；0.7≤w1/(w1+w2) ≤0.9 (D)。

公开(公告)号：CN1487585A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03148279.1

申请日：2003-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。

公开(公告)号：CN1301992A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：CN00120471.8

申请日：2000-07-12

Applicant: 国际商业机器公司 ,  英芬能技术北美公司 ,  株式会社东芝

Inventor： C·费尔桥克 ,  井场淳一郎 ,  J·纽策尔 ,  矢野博之

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/302 ,  C09K3/14 ,  C09J5/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  H01L21/31053

Abstract: 通过化学机械抛光处理整平聚合物层。