公开(公告)号：CN1518019A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002931.1

申请日：2004-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  小中宏泰 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/30

Abstract: 一种介电陶瓷，该介电陶瓷在组成上包括含Ba、Ca和Ti的通式为ABO3的钙钛矿型化合物，和含Si、R(La等)和M(Mn等)的添加剂组分，添加剂组分没有被固体溶解，而且主要组分存在于每个晶粒的至少90％的横截面中，这样的晶粒数目占介电陶瓷所含的所有晶粒数目的至少85％，在介电陶瓷晶粒界面至少85％的分析点上至少包含Ba、Ca、Ti、Si、R和M。

公开(公告)号：CN1505072A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310118632.X

申请日：2003-11-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  小中宏泰 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 提供一种介电陶瓷，它适于构成在还原性气氛中烧成而得到的叠层陶瓷电容器中介电陶瓷层的介电陶瓷，即使将其薄层化介电常数的温度依存性也不随着薄层化程度而恶化，而且可靠性优良。本发明的介电陶瓷，是以ABO3(A是Ba等，B是Ti等。)作为主要成分并含有稀土元素的一种介电陶瓷，就构成其70％以上的晶粒21而言，观察其断面时，5～70％的截面积，由稀土元素固溶的稀土元素固溶区域所占据，10～80％的断面外周，由稀土元素未固溶的稀土元素非固溶区域所占据。

公开(公告)号：CN1145596C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN01116311.9

申请日：2001-04-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 内藤正浩 ,  元木智雄 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1245

Abstract: 一种非还原性介电陶瓷，它包括具有钙钛矿晶相并满足式(Cal-a-b-cSraBabMgc)m(Zrl-w-x-y-zTiwMnxNiyHfz)O3的主要组分和用式(Si，T)O2-MO-XO和(Si，T)O2-(Mn，M)O-Al2O3表示的复合氧化物。在Cu Kα X-射线衍射图中在2θ＝25-35°时，非钙钛矿晶相的晶相最大峰的强度与归于钙钛矿晶相的最大峰的强度之比为5%或更小。

公开(公告)号：CN1356704A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01140070.6

申请日：2001-11-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  畠宏太郎 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: B32B18/00 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/768 ,  C04B2237/066 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/68

Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组成物,适用于形成构成叠层陶瓷电容器的介电陶瓷层,所述介电陶瓷层是通过在还原性气氛中烧结得到的。即使当介电陶瓷组成物形成为薄陶瓷层时,可以实现高可靠性的叠层陶瓷电容器,具有小的容量温度系数,在高温和高压条件下的长寿命,在施加DC电压条件下静电容量随时间的变化很小。该介电陶瓷组成物包含主成分、添加成分和辅助烧结剂,其中主成分和添加成分由式100ABO3+a{(1－b)R+bV}+cM表示,满足1.25≤a≤8.0,0 1.1。在上述公式中,R是包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的族中的至少一种元素的化合物;V是包含矾的化合物;M是包含选自Mn、Ni、Mg、Fe和Zn组成的族中的至少一种元素的化合物。

公开(公告)号：CN1350312A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN01136806.3

申请日：2001-10-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  酒井健太郎 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01G4/1245 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236

Abstract: 一种绝缘陶瓷,包括主组分ABO3和助组分R和M,其中A为Ba、Sr和Ca中的至少一种;B为Ti、Zr和Hf中的至少一种;R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y中的至少一种;M为Ni、Co、Fe、Cr和Mn中的至少一种。该绝缘陶瓷在晶界上约有70%或更多的分析点含有组分R和M。该绝缘陶瓷适用于制备多层陶瓷电容器的绝缘陶瓷片,其通过在还原气氛中烧制得到,该绝缘陶瓷在高温和高电压时具有较长的使用寿命,在用于直流电压时,其静电电容量随着时间的变化很小,即使当降低绝缘陶瓷片的厚度时,仍具有令人满意的可靠性。

公开(公告)号：CN1326204A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01121006.0

申请日：1997-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物;氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1－α－β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O,其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020,0.0025≤β≤0.04,β/α≤4 ,0≤x

公开(公告)号：CN1326203A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01121003.6

申请日：1997-07-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/008

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;氧化钪、氧化钇、氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1－α－β){BaO}m·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O,其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述: 0.0025≤α≤0.020,0.0025≤β≤0.04,β/α≤4,0≤x

公开(公告)号：CN1282079A

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN00121712.7

申请日：2000-07-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈松俊宏 ,  中村友幸 ,  堀宪治 ,  畠宏太郎 ,  佐野晴信

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电陶瓷组合物,包括含钛酸钡BamTiO3主要组分,RO3/2、CaO、MgO和SiO2次要组分的复合氧化物,R是至少一种选自Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素;该复合氧化物满足关系100BamTiO3+aRO3/2+bCaO+cMgO+dSiO2,以摩尔计0.990≤m≤1.030,0.5≤a≤6.0,0.10≤b≤5.00,0.010≤c

公开(公告)号：CN1247843A

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN99118590.0

申请日：1999-09-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 的场弘明 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4686 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明目的是提供改进的温度补偿介电陶瓷组合物和层叠陶瓷元件,使用具有高的相对介电常数和Q值,可以在相对较低温度下烧结的温度补偿介电陶瓷组合物制造这些元件,烧结时不会引起陶瓷性能发生任何不希望的变化。组合物包含100重量份主组分xBaO－yTiO2－zRe2O3;25重量份或更少的第一辅助组分B2O3－SiO2玻璃(但不含氧化铅);至少一种选自氧化钒或氧化钨物质的第二辅助组分,V2O5形态的氧化钒含量为10重量份或更少,WO3形态的氧化钨含量为20重量份或更少。

公开(公告)号：CN1156318A

公开(公告)日：1997-08-06

申请号：CN96116728.9

申请日：1996-12-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: C04B35/468

Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器，包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物制成的介电陶瓷层：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-x-yNixCoY)O(0.0025≤α≤0.025；0.0025≤β≤0.05；β/α≤4；0≤x＜1.0；0≤y＜1.0；0≤x+y＜1.0；1.000＜m≤1.035；它以所述主要组分为基准，还含有0.5至5.0％(摩尔)的次要组分氧化镁，和0.2至3.0％(重量)SiO2-TiO2-MO类氧化物。