公开(公告)号：CN101978461B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200880128271.8

申请日：2008-07-11

Applicant: 波鸿-鲁尔大学

Inventor： 布莱恩·乔治·休尔 ,  乌韦·沙恩斯基 ,  拉尔夫·皮特·布林克曼 ,  托马斯·曼圣布拉克

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706

Abstract: 本发明公开了一种通过施加带有至少两个谐波分量且谐波分量间具有可控相对相位的RF电压、在等离子体操作装置中至少一个电极前建立DC偏压的方法，其中，至少一个较高频率分量是较低频率分量的偶次谐波。

公开(公告)号：CN102822948A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180015563.2

申请日：2011-03-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴

IPC: H01L21/3065 ,  H05B3/10 ,  H05B3/20

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明提供一种区域温度控制结构体。该区域温度控制结构体为具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，其抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热确保顺畅地传导热来抑制产生热点。该区域温度控制结构体具有表面温度被控制为各自不同的温度的两个以上的区域和配置在上述两个区域彼此之间的各向异性导热材料层。该各向异性导热材料层沿着两个以上的区域的排列方向的热导率小于与两个以上的区域的排列方向交叉的方向上的热导率。

公开(公告)号：CN101866809B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010188964.5

申请日：2005-05-25

Applicant: 拉姆研究有限公司

Inventor： R·季米萨 ,  F·科扎克维奇 ,  D·特拉塞尔

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3299

Abstract: 一种处理工件的等离子体处理器包括具有频率2MHz、27MHz和60MHz的源，它们由三个匹配网络施加于包含工件的真空腔中的电极。可选择地由第四匹配网络将60MHz施加于第二电极。基本上调谐到驱动其的源的频率的匹配网络包括串联电感，所以2MHz电感超过27MHz网络电感，且27MHz网络电感超过60MHz网络电感。匹配网络将驱动其的源的频率衰减至少26DB。在27和60MHz源之间的分流电感器将2MHz从27和60MHz源分隔开。串联共振电路(共振于约5MHz)分流2MHz网络和电极以帮助2MHz源匹配于电极。

公开(公告)号：CN1957437B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200580016987.5

申请日：2005-05-25

Applicant: 拉姆研究有限公司

Inventor： R·季米萨 ,  F·科扎克维奇 ,  D·特拉塞尔

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299

Abstract: 一种等离子体处理腔包括下电极和上电极组件，该组件具有被接地电极围绕着的中心电极。各电极之间射频激发的等离子体在这些电极上感应出DC偏压。下电极DC偏压量控制着连接在中心电极和接地之间的第一串联谐振电路的电容器。中心电极DC偏压量控制着连接在下电极和接地之间的第二串联谐振电路的电容器。

公开(公告)号：CN1816893B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200480019139.5

申请日：2004-04-29

Applicant: 兰姆研究有限公司

Inventor： P·勒温哈德特 ,  M·斯里尼瓦桑 ,  A·菲舍尔

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165

Abstract: 提供了一种用于对晶片上的一层进行等离子体蚀刻的装置。提供了一种电容耦合加工室。提供气体源。在加工室中提供第一和第二电极。第一射频电源电连接到第一和第二电极中的至少一个，其中第一射频电源提供射频功率。第二射频电源电连接到第一和第二电极中的至少一个。第一调制控制器连接到第一射频电源，提供第一射频电源的控制调制。

公开(公告)号：CN101221356B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200710129979.2

申请日：2007-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 理查德·莱温顿 ,  亚历山大·M·帕特森 ,  迈克尔·N·格林博金 ,  阿杰伊·库玛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明提供了一种具有蚀刻参数的多频控制的等离子体反应器。该反应器包括反应室和该室内的工件支架，该室具有面向该工件支架的顶板以及感应耦合源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器。一排光纤延伸穿过该工件支架的支撑表面以穿过所述工件的底面观察工件。光学传感器连接到光纤的输出端上。该反应器还包括响应光学传感器以调整通过感应耦合等离子体源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器同时耦合到室中的等离子体的功率的相对量的控制器。

公开(公告)号：CN102299068A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110176702.1

申请日：2011-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八田浩一 ,  持木宏政

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种能够不会使用正离子进行的蚀刻效率下降地，有效利用负离子且提高整体蚀刻效率的基板处理方法。该基板处理方法的特征在于：分别作为脉冲波施加等离子体RF和偏置RF，并依次反复进行以下步骤：一并施加等离子体RF和偏置RF，用等离子体中的正离子对基板实施蚀刻处理的正离子蚀刻步骤(3b)；一并停止等离子体RF和偏置RF的施加，在处理室内产生负离子的负离子生成步骤(3c)；和停止等离子体RF的施加，施加偏置RF将负离子引入到基板的负离子引入步骤(3a)，其中，使偏置RF的占空比大于等离子体RF的占空比。

公开(公告)号：CN102263001A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110206202.8

申请日：2005-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆石公 ,  杉本胜 ,  日向邦彦 ,  小林典之 ,  舆水地盐 ,  大谷龙二 ,  吉备和雄 ,  齐藤昌司 ,  松本直树 ,  大矢欣伸 ,  岩田学 ,  矢野大介 ,  山泽阳平 ,  花冈秀敏 ,  速水利泰 ,  山崎广树 ,  佐藤学

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。

公开(公告)号：CN102208322A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110083707.X

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本高志 ,  水上俊介 ,  大谷龙二 ,  樋口公博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/41

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和半导体装置的制造方法，其能够防止在半导体晶片等基板与下部电极的基材或其它周边构造物之间发生放电，能够使成品率提高，达到生产性的提高。该等离子体处理装置包括：处理腔室；设置在处理腔室内，具有被施加高频电力的由导电性金属构成的基材，兼用作载置被处理基板的载置台的下部电极；设置在处理腔室内，以与下部电极相对的方式配置的上部电极；和在下部电极上，以包围被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，该等离子体处理装置中配置有电连接机构，该电连接机构经由电流控制元件对下部电极的基材与聚焦环之间进行电连接，并根据电位差产生直流电流。

公开(公告)号：CN102201331A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110080938.5

申请日：2011-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中川显 ,  冈崎雄介 ,  早川欣延

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种基板处理方法，能够防止产生弓形形状而在掩模层上形成良好的垂直加工形状的孔并且确保作为掩模层的残膜量。该基板处理方法将在处理对象层上层叠掩模层(52)和中间层(54)而得到的晶片W收容到腔室(11)内，使腔室(11)内产生处理气体的等离子体，利用该等离子体对晶片W实施蚀刻处理，通过中间层(54)和掩模层(52)在处理对象层上形成图案形状，在该基板处理方法中，将处理压力设为5mTorr(9.31×10-1Pa)以下，将晶片W的温度设为-10℃～-20℃，并且将用于产生等离子体的激发功率设为500W而对掩模层(52)进行蚀刻。