公开(公告)号：CN108550659A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810590299.9

申请日：2018-06-08

Applicant: 北京汉能光伏投资有限公司

Inventor： 张连彬

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/048

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/048

Abstract: 一种层压装置，包括：层压组件，层压组件用于层压叠层结构；层压腔，在层压组件内形成有层压腔；层压组件包括相对设置的第一层压件(1)和第二层压件(2)；第一层压件(1)和第二层压件(2)共同围成层压腔，叠层结构置于层压腔内，叠层结构通过第一层压件(1)和第二层压件(2)层压，使叠层结构形成相互连接的层状结构。发明实施例提供的层压装置中，将层压装置的第一层压件(1)朝向第二层压件(2)的一面设置为和叠层结构上表面的形状一致；将第二层压件(2)朝向第一层压件(1)的一面设置为和叠层结构下表面的形状一致，可以做到对表面为曲面的太阳能发电组件均匀加热，层压效果显著。

公开(公告)号：CN108550658A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810536600.8

申请日：2018-05-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王志明 ,  耿芹 ,  余鹏 ,  巫江

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明公开一种纳米线太阳能电池及其制备方法，所述纳米线太阳能电池由下至上依次包括：背电极层，衬底层，纳米线层和正电极层；所述纳米线层中的纳米线表面上耦合有金属纳米颗粒；所述纳米线太阳能电池的性能佳，量子效率高，且金属纳米颗粒浓度可控，且制备过程无需消耗大量的热量。

公开(公告)号：CN108520905A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810295543.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 康维明工程薄膜(张家港)有限公司

Inventor： 宫鹏 ,  周浩 ,  李阔

IPC: H01L31/049 ,  H01L31/18 ,  B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  B32B37/10 ,  B32B38/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/049 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B37/10 ,  B32B37/1284 ,  B32B38/0008 ,  B32B2250/02 ,  B32B2307/71 ,  B32B2307/714 ,  B32B2457/12 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种新型复合结构无氟光伏背板及其制备方法，所述新型复合结构无氟光伏背板包括，外层、中间层及内层，所述外层的为PET聚酯薄膜，所述PET聚酯薄膜为添加有TiO2作为阻隔填料的双向拉伸的PET聚酯薄膜，所述中间层为聚氨酯树脂粘合剂，所述内层为PE薄膜，所述薄膜为添加有TiO2作为阻隔填料白色聚乙烯薄膜。本发明中的新型复合结构无氟光伏背板中不含有氟元素，更贴合现有国家对生态及环保的要求，提高光伏背板的环境友好性，并一改传统光伏背板的三层复合结构，增加其光伏背板的性价比，进而提高光伏背板的利用率，降低能耗，增强光伏背板的耐水解性，此外，减少光伏背板制备工艺，缩短光伏背板工艺进而缩短制备周期，有效增加光伏背板的生产效率。

公开(公告)号：CN108511555A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810188107.1

申请日：2018-03-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 张彤 ,  王善江 ,  张晓阳

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出了一种表面等离激元-半导体异质结谐振光电器件及其制备方法，其中，表面配体分子(2)修饰在表面等离激元纳米结构(1)上，表面等离激元晶面结构(3)绑定在表面配体分子(1)上，半导体纳米结构晶种(4)位于表面等离激元晶面结构(3)上，一维半导体纳米结构(5)位于半导体纳米结构晶种(4)上，且各部分形成紧密的接触。该类异质集成材料在界面处实现了晶格的匹配，大大降低了缺陷、晶面粗糙等带来的损耗，可实现表面等离激元模式与光模式的直接耦合，在纳米激光器、纳米热源、光电探测及光催化领域中具有极大地应用前景。

公开(公告)号：CN105765733B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201480062118.5

申请日：2014-09-26

Applicant: 离子射线服务公司

Inventor： T·博斯克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02008 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于制造光伏电池(100)的接触结构(104)的方法(800)，其中，该方法(800)包括提供(802)步骤、掺杂(804)步骤和接触(806)步骤。在提供(802)步骤中，提供用于光伏电池(100)的晶片(102)。在掺杂(804)步骤中，以一种掺杂材料对晶片(102)至少一个面的面份额进行掺杂，以便获得掺杂的区域(106)，其中，经掺杂的区域(106)构造为掺杂的条带(106)，并且所述条带(106)通过间隙(110)分开。在接触(806)步骤中，接触经掺杂的区域(106)，以便制成接触结构(104)，其中，导体材料(108)施加到所述条带(106)上，使得所述条带(106)在两侧伸出于导体材料(108)。

公开(公告)号：CN108447943A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810242584.1

申请日：2018-03-23

Applicant: 浙江师范大学

Inventor： 黄仕华 ,  黄玉清 ,  芮哲 ,  王佳

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硅片清洗后简单有效的保存方法，在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长一层界面态密度低的二氧化硅隔绝层，然后保存到无水乙醇溶液、异丙醇溶液或自然密封袋中，待使用前再用1%的HF溶液浸泡180s，去离子水冲洗后用氮气吹干，即可投入工艺使用。本发明通过浓硝酸生长的二氧化硅致密性良好，界面态密度低，可以很好地隔绝硅片与外界空气的接触。

公开(公告)号：CN108431965A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680072187.3

申请日：2016-12-07

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 申圭淳 ,  李珽薰 ,  金娥兰 ,  尹贤珍 ,  金善弘

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了连续印刷性能优秀且用于通过丝网印刷来形成太阳能电池前电极的导电性糊料组合物。所述导电性糊料组合物包含导电性金属粉末、玻璃料、粘结剂、触变剂及有机溶剂，具有由以下公式1表示的粘度和由以下公式2及公式3表示的损耗角，公式1：15Pa·s≤η100≤35Pa·s，公式2：当应变率(Strain)为0.01％时，5°≤损耗角≤20°，公式3：当应变率(Strain)为300％时，70°≤损耗角≤85°，其中，η100表示在100s-1的剪切速率下的粘度值，损耗角为通过对0.01％和300％的应变率进行连续且反复的1Hz条件下的振荡应变步进测试(Oscillatory Strain Step test)来测定的。

公开(公告)号：CN108369897A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072766.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L23/53266 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L31/18

Abstract: 用于沉积金属膜的方法，包括：在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层，以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。

公开(公告)号：CN108368608A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680050688.1

申请日：2016-07-08

Applicant: 韩华QCELLS有限公司

Inventor： 克劳斯·东克尔

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/458 ,  H01L31/18 ,  H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/4587 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67313 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种用于容纳片状衬底(3)以用于在呈等离子体CVD系统(PECVD)形式的处理装置中对衬底进行处理的设备，其中每个衬底具有前侧以及与该前侧相反的背侧，该设备包括至少一个用于容纳并固定该衬底(3，3’)的容纳设备(5，5’)，其中该容纳设备具有至少两个、尤其多个容纳区域(7)，其中，在每个容纳区域中安排有或可安排至少两个衬底(3，3’)，其中第一衬底(3)的背侧与第二衬底(3’)的背侧可直接贴靠或处于直接贴靠，并且其中至少两个容纳区域(5)尤其几乎彼此平行地安排并且借助于绝缘的连接元件(19)而彼此相连接，并且其中这些平行的容纳区域(5)与高频发生器的不同极性的输出端交替地可连接或相连接。

公开(公告)号：CN108352397A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680059403.0

申请日：2016-10-05

Applicant: ASM ,  IP ,  控股有限公司

Inventor： T.E.布隆贝格 ,  H.霍特里

IPC: H01L27/15 ,  H01L31/0256

CPC classification number: H01L31/02322 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0694 ,  C23C16/22 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45525 ,  H01L31/032 ,  H01L31/062 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L33/005 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/50

Abstract: 本文公开用于在反应空间中的衬底上沉积包括介电性过渡金属化合物相和导电或半导体过渡金属化合物相的薄膜的沉积方法。沉积方法可包含多个超循环。每一超循环可包含介电性过渡金属化合物子循环和还原子循环。所述介电性过渡金属化合物子循环可包含使所述衬底与介电性过渡金属化合物接触。所述还原子循环可包含使所述衬底与还原剂和氮反应物交替并依次接触。所述薄膜可包括包埋于导电或半导体过渡金属化合物相中的介电性过渡金属化合物相。