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公开(公告)号：CN101221338A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710109283.3
申请日：2007-05-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 徐旼彻
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F1/133516 , G02F1/1368
Abstract: 一种电泳显示装置包括：包括薄膜晶体管的第一基板；与第一基板附接并包括电泳粒子和电泳分散介质的第二基板；以及与第二基板附接并包括滤色体的第三基板。
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公开(公告)号：CN1996637A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200710001861.1
申请日：2007-01-02
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种在电极布线层的顶部具有形成图案的有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)。为了避免对下方电极布线层的损伤，对有机半导体层形成图案使得在电极布线层上的有机半导体层不被移除。形成图案的有机半导体层完全覆盖所有的下方的电极布线层。该OTFT包括栅电极、与栅电极绝缘的源和漏电极，以及与栅电极绝缘并连接到源和漏电极的有机半导体层，其中有机半导体层完全覆盖源和漏电极。此外，还涉及一种有机发光显示装置，包括不止一个OTFT，以及电连接到电导体的有机发光元件。
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公开(公告)号：CN1893108A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610105419.9
申请日：2006-07-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的平板显示装置。该平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成衬底上方的栅极；形成在源极和漏极以及栅极之间的绝缘层，绝缘层具有开口；以及通过绝缘层的开口部分显露的像素电极。绝缘层作为栅极绝缘层和界定像素电极的像素界定层。
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公开(公告)号：CN1855571A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073911.2
申请日：2006-03-17
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管、包括该有机薄膜晶体管的平板显示器以及该有机薄膜晶体管的制造方法。在一实施例中，有机薄膜晶体管包括：i)基板，ii)设置在该基板上的栅电极，iii)设置在栅电极上的栅绝缘膜，iv)彼此隔开并且设置在该栅绝缘膜上的源电极和漏电极，v)连接该源电极和该漏电极并且具有用于区别于相邻有机薄膜晶体管的边缘的有机半导体层，以及vi)覆盖该有机半导体层、连接设置在该有机半导体层中或下面的层的一部分并且暴露于该有机半导体层的边缘的外部的悬臂层。根据一实施例，可以容易地获得有机半导体层的构图效果并且提高性能例如开/关比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1848477A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610067373.6
申请日：2006-03-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0017 , H01L27/283 , H01L27/3244 , H01L51/0019 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31504
Abstract: 提供了一种图形化有机薄膜的方法，其能够防止有机半导体层的表面损伤。此外，提供了一种能够减小截止电流并能防止有机半导体层的表面损伤的有机薄膜晶体管和制造该有机薄膜晶体管的方法，以及具有该有机薄膜晶体管的有机电致发光显示装置。图形化有机薄膜的该方法包括在衬底上形成该有机薄膜；选择性地将掩模材料印制在该有机薄膜的一部分上；利用掩模材料干法刻蚀该有机薄膜的暴露部分；以及除去掩模材料。
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公开(公告)号：CN1841807A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610008937.9
申请日：2006-01-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/3244 , H01L51/0541 , H01L51/0562
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，其制造方法，包括该薄膜晶体管的平板显示装置。薄膜晶体管包括：栅电极；与该栅电极绝缘的源电极和漏电极；有机半导体层，它与该栅电极绝缘，而与源电极和漏电极电连接；绝缘层，它使栅电极与源电极和漏电极或有机半导体层绝缘；以及沟道形成促进层，它连接有机半导体层的沟道区的相对区域，并且含有带有官能团的化合物，它将向沟道区的相对区域移动的电荷固定在该沟道区的相对区域。因此，该薄膜晶体管具有低阈电压和极好的电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN1741696A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510087830.3
申请日：2005-06-23
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/322 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/0541
Abstract: 提供一种包括有机薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵有机电致发光(EL)显示器件，具有较高孔径比并且容易以阵列结构实现，该有机薄膜晶体管优选为n型。该显示器件包括表面电极；在表面电极上至少包括发光层的中间层；形成在中间层上的像素电极；位于像素电极上并与像素电极绝缘的第一电极；位于像素电极上并与像素电极耦接的第二电极；接触第一电极和第二电极的n型有机半导体层；以及位于n型有机半导体层上并与第一电极，第二电极和该n型有机半导体层绝缘的第一栅电极。
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公开(公告)号：CN1725522A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510092218.5
申请日：2005-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L51/0004 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 一种薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器，包括栅极，源极和漏极，有机半导体层和栅极绝缘层。第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是一位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容。第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。
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公开(公告)号：CN1612655A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410087467.0
申请日：2004-08-09
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0008 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/5206 , H01L51/5215
Abstract: 本发明公开了一种具有由溶液涂层超薄聚合物膜(改性层)覆盖的阳极的有机电致发光显示(OLED)装置。在一个实施例中，OLED装置包括其上具有形成的第一阳极的基底。第一阳极由超薄聚合物膜(改性层)覆盖。在改性层上表面上形成有有机发射层，第二阴极形成在有机发射层上。改性层由从一般的聚合物中选择的材料构成，该聚合物是可溶聚合物、热阻聚合物和具有一个或多个官能团的氟基聚合物。可用于实施改性层的溶液涂覆法包括旋涂法、刮刀法、浸涂法、辊涂法、喷涂法和喷墨法。
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