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公开(公告)号：CN103165797A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310079279.2
申请日：2013-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种白光LED薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法。该薄膜的成分为荧光粉和粘结剂，粘结剂为硅胶或者环氧树脂。采用丝网印刷法将其涂覆在模具上形成一层薄膜，然后在50-200oC下固化5-100分钟，制得未完全固化但具有一定刚度的薄膜。薄膜通过定位，压合，及二次固化实现白色LED器件及模块的封装。该方法可可解决相同批次及不同批次之间出光一致性的问题；避免围堰材料的使用，减少了围堰工艺流程，降低了成本；由于预制荧光膜为半固化膜，具有一定可塑性，有效的避免了预制膜对键合金线的损伤；并作为倒装、垂直结构及平面结构白色LED的最后一步封装流程，使用范围较广；由于采用了薄膜封装，减小了器件及模块的3D尺寸，可大幅提高集成封装的密度。
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公开(公告)号：CN113702793A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111014636.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括：对待分析半导体器件进行寿命循环试验；对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试，得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线；根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数；待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数；积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数，微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数；根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析，得到待分析半导体器件的寿命分析结果。本发明可以实现半导体内部结构的分析，从而指导半导体性能的优化。
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公开(公告)号：CN111999359B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010902817.3
申请日：2020-09-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于电极技术领域，具体涉及一种石墨烯基透明导电薄膜电极及其制备方法和应用。本发明提供的石墨烯基透明导电薄膜电极，包括透明基板、负载在所述透明基板表面的银纳米线网格、所述银纳米线网格表面的二维层状结构化合物层和石墨烯薄膜外层。本发明通过二维层状结构化合物、银纳米线和石墨烯薄膜协同配合，克服了单一材料机械稳定性差或光电性能差的缺点，所得石墨烯基透明导电薄膜电极具有较低的电阻、较高的透过率、良好的机械柔韧性和稳定性。实验结果表明，本发明提供的石墨烯基透明导电薄膜电极的方块电阻小于50Ω/sq，透过率为88.5～90.5％。
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公开(公告)号：CN111999359A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010902817.3
申请日：2020-09-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于电极技术领域，具体涉及一种石墨烯基透明导电薄膜电极及其制备方法和应用。本发明提供的石墨烯基透明导电薄膜电极，包括透明基板、负载在所述透明基板表面的银纳米线网格、所述银纳米线网格表面的二维层状结构化合物层和石墨烯薄膜外层。本发明通过二维层状结构化合物、银纳米线和石墨烯薄膜协同配合，克服了单一材料机械稳定性差或光电性能差的缺点，所得石墨烯基透明导电薄膜电极具有较低的电阻、较高的透过率、良好的机械柔韧性和稳定性。实验结果表明，本发明提供的石墨烯基透明导电薄膜电极的方块电阻小于50Ω/sq，透过率为88.5～90.5％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108226218B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201611126417.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种电子器件的热阻测量方法和系统，包括：采集待测电子器件在阶跃功率下的冷却曲线f(k)；其中，k表示对数时间；利用贝叶斯迭代差分算法计算冷却曲线f(k)的导数；采用贝叶斯迭代法对冷却曲线f(k)的导数进行反卷积处理，得到时间常数谱；依据所述时间常数谱获取每一个Foster型网络单元的热阻和热容，并依据获取的热阻和热容构建Foster型网络模型；将构建的所述Foster型网络模型转换为Cauer型网络模型。本发明在保证结果准确的同时，最大程度地降低了噪声对时间常数谱转换的影响，更加准确地反映电子器件的热阻。
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公开(公告)号：CN106501305B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610908299.X
申请日：2016-10-18
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法，至少包括：提供一覆盖有红外辐射薄膜的散热基板；在相同的室内环境下，分别获取所述散热基板在不同表面温度时的两组出射度数据；其中，每组所述出射度数据至少包括总红外辐射出射度，所述红外辐射薄膜的辐射出射度、周围环境对所述红外辐射薄膜表面的反射出射度，以及所述散热基板发出的透过所述红外辐射薄膜的辐射出射度；利用两组所述出射度数据，计算所述红外辐射薄膜的透过率。本发明可以测量红外辐射薄膜的发射率和散热基板的辐射能量透过红外辐射薄膜的透过率，进而可以有针对性地设计更好的红外辐射薄膜，增强功率器件的散热效率，降低芯片的结温。
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公开(公告)号：CN105280788B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510590082.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种LED超声波封装方法，步骤为，首先加工以及清洗基板、膨胀金属板和玻璃盖板，并在基板和玻璃盖板上镀金属膜，在基板上焊接LED芯片，将镀有金属膜的玻璃盖板和膨胀金属板放置于超声波装置中施加压力，利用超声波对玻璃盖板及膨胀金属板进行焊接。将已焊接完成的镀有金属膜的玻璃盖板和膨胀金属板整体按LED所需尺寸切割成小块。将镀有金属膜的基板置于超声波装置下中施加压力，利用超声波对镀有金属膜的玻璃盖板及膨胀金属板和镀有金属膜的基板进行焊接，焊接完成后停止超声波焊接装置。本发明方法采用无机封装方式，实现了膨胀金属半与玻璃盖板的批量封装，提高了封装的效率，并保证了无机气密封装的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN104157560B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410193631.X
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备方法，包括如下步骤：a.将基片进行亲水处理；b．在基片上初步制备石墨烯电极层，使初步制备的石墨烯电极层与基片之间依靠范德华力结合在一起；c．对石墨烯电极层进行酸处理，获得石墨烯含氧基团，进而使石墨烯电极层与基片之间通过化学键强化结合，从而形成石墨烯电极。本发明使石墨烯与基片通过化学键结合，有效的改善了石墨烯与衬底粘附不良和易分离脱落的问题，提高了石墨烯和衬底间的粘附性与电荷传输特性，从而保证所制备的光电器件的性能，提高光电器件制备的良品率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103344662B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310284378.4
申请日：2013-07-08
Applicant: 上海大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件瞬态热测试装置。它包括主控电路板、恒流源大小电流及开关切换模块、加热驱动模块、加热模块、高速数据采集卡、上位机PC和开关电源模块。主控电路板通过信号控制待测器件上的电流，使待测器件达到测试的要求，同时通过反馈的温度进行检测，实时调整加热驱动模块的输出电流，维持加热模块温度的恒定。高速数据采集卡采集待测器件的测试值并传送至上位机PC，主控电路板与上位机PC通过串口连接，由上位机PC完成数据后处理并显示结果。本发明在测试的精度、稳定性及快速性方面具有明显的优势。通过本发明装置可以对半导体器件进行结温、热阻及热结构函数的测试。
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