公开(公告)号：CN106033788A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510116708.8

申请日：2015-03-17

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 贾传宇 ,  殷淑仪 ,  张国义

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C16/303

Abstract: 本发明提供一种采用MOCVD技术制备高亮度370-380nm近紫外LED的方法。其LED外延结构从下向上依次为：PSS衬底、AlN成核层、高温非掺杂Aly1Ga1-y1N合并层、Aly2Ga1-y2N应力调控层，n型Aly3Ga1-y3N接触层、n型Inx1Ga1-x1N/Aly4Ga1-y4N应力释放层、InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层、p型Aly5Ga1-y5N电子阻挡层、高温p型Aly6Ga1-y6N接触层。本发明中，合并层采用本证Aly1Ga1-y1N，其Al组分随生长厚度增加从0线性变化到0.05；n型接触层采用固定Al组分n型Aly3Ga1-y3N层；p型接触层采用Aly5Ga1-y5N层，有效减少GaN材料对370-380nm紫光的吸收损耗，从而提高近紫外LED发光效率；在本征AlGaN层和n型AlGaN接触层间生长一层Aly2Ga1-y2N应力调控层，有效缓解n型AlGaN层应力，从而提高n-AlGaN晶体质量。

公开(公告)号：CN105609402A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410686083.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 贾传宇 ,  殷淑仪 ,  张国义

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在Si衬底上采用碳纳米管作为周期性介质掩膜制备低位错密度GaN薄膜的方法：使用三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)作为III族源，氨气(NH3)作为V族源，硅烷(SiH4)作为n型掺杂源，在Si衬底上先生长高温AlN成核层后，在其上面制备两层或三层或四层单向(交叉)碳纳米管周期性介质掩膜图形化AlN/Si衬底层；其后，采用选区外延方法，在该图形化AlN/Si衬底模板上生长低Al组分的AlxGa1-xN合并层(0.3～0.5微米厚，Al组分x≤0.25)；然后，分别生长四层GaN，在其两GaN层间插入三层其Al组分y随层次增加而递减的低温AlyGa1-yN应力调控层(1≥y≥0.5)；从而获得低位错密度、无裂纹、高晶体质量的GaN/Si薄膜(2微米厚，其(002)面半峰宽为500aresec、(102)面半峰宽为610aresec)。

公开(公告)号：CN105449051A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410421676.8

申请日：2014-08-25

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 贾传宇 ,  殷淑仪 ,  张国义 ,  童玉珍

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 发明提供一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备具有新型空穴扩展层结构的同质LED的方法。具体方案:在InGaN/GaN多量子阱有源层和p-GaN层之间，优化设计其中Al组分、In组分以及p型掺杂浓度随生长厚度或周期增加而梯度变化的空穴扩展层：如组分及掺杂渐变的单层p-AlInGaN空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-AlInGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-InGaN/GaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-AlInGaN/InGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；通过优化生长所述空穴扩展层的方法，改善LED电流扩展效果，有效提高同质LED发光效率。本发明看好其应用前景。

公开(公告)号：CN102201512A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110102031.4

申请日：2011-04-22

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 孙永健 ,  张国义 ,  贾传宇 ,  于彤军 ,  徐承龙 ,  童玉珍 ,  廉宗隅

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明提供一种图形化衬底产品，利用异质材料制备周期性图形，该材料具备抗高温的特点，可以在800度以上的高温生长时不分解，可以以单晶体材料的形式存在。本发明包括底层的蓝宝石衬底和蓝宝石衬底表面的周期化图形，所述周期性图形完全由异质材料构成；或者所述周期性图形由异质材料和蓝宝石按照一定比例分层构成，图形上部为异质材料，而图形的下部即为蓝宝石。本发明打破了传统的图形化衬底仅利用蓝宝石衬底形成周期性图形的特点。而是使用了异于蓝宝石或GaN的异质材料在蓝宝石表面上制备了周期性的图形，已达到提高晶体生长质量，提高器件出光效率的目的。

公开(公告)号：CN102142487A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010617750.5

申请日：2010-12-31

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 张国义 ,  孙永健 ,  贾传宇 ,  陆羽 ,  刘鹏 ,  付星星 ,  杨志坚 ,  童玉珍 ,  廉宗禺

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在GaN衬底上制备图形的方法，可以大幅度提高LED芯片的内量子效率、出光效率和热导率。本发明在衬底GaN表面层，使用微纳米图形的掩膜、光刻技术、纳米压印技术或氧化铝图形转移技术生成图形模板，然后使用图形刻蚀技术，制备出能够实现稳定的微米及亚微米量级的有利于出光的图形结构。本发明的衬底可以大幅度提高LED芯片的出光效率和热导率，具有更优良的性能。