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公开(公告)号：CN102127808B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010617807.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基材料生长所需要的金属源气体，利用金属的三氯化物作为源材料，通过载气输运并混合反应得到所需的源气体。本发明将一定量金属的三氯化物放置于石英腔加热，并以氢气、氮气、惰性气体或者它们的混合气体作为载气，调节载气的流量即可获得需要的三氯化物流量，转化气体后输运至材料生长系统，生长氮化镓基半导体材料。本发明的外置的金属源系统可以减小半导体生长系统的反应室体积，获得均匀的流场以及温场分布，降低了设备的设计与维护成本。
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公开(公告)号：CN102148139B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010617788.2
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法，很好的释放晶格失配应力和热失配应力。本发明将GaN外延片加热，在200～900℃下，使用无损激光剥离技术在低于将GaN和蓝宝石衬底剥离的能量阈值下进行剥离，或达到激光剥离能量阈值，但激光间或扫描使GaN和蓝宝石界面形成网状分离的不完全分离状态，由此达到释放GaN外延片残余应力的目的。使用加热的情况下进行激光预剥离的方法，可以更有效更大程度上的释放残余应力，并减小损伤。
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公开(公告)号：CN102347258A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110276973.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , C30B25/12 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体外延系统的基座，机械传动方式实现基座的公转、气动旋转方式实现衬底的自转，并结合机械手实现基座整体的升降。本发明包含有大盘、小盘，大盘内部设有辐射状的内部气路通道，大盘的内部气路通道连通小盘，支撑杆内的内部气道连通大盘内部辐射状的内部气路通道，支撑杆中部设有金属法兰，金属法兰的中心设有磁流体组件，撑杆延伸出金属法兰的部分固定有一从动轮，从动轮一侧等高的位置设有主动轮，靠近支撑杆尾端的位置设有轴承组件，支撑杆的尾端设有进气组件，进气组件由轴承组件、B套管和气体入口组成。本发明的设计可以节约反应的原料、提高薄膜的均匀性；基座结构简单、可靠。
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公开(公告)号：CN102332510A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110281763.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，减小其耗尽层厚度，增加其内建电容。本发明首先在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石Al2O3衬底在氢气气氛下处理5分钟，然后在氢气气氛下，三维生长GaN缓冲层，再生长n-GaN层；在氮气气氛下生长高电子浓度的n型插入层，接着生长多个周期多量子阱有源区；在有源区上，在氮气气氛下，生长高空穴浓度的p型插入层；在氢气氛下生长p-GaN层。本发明具有工艺流程相对简单，可重复性好，附加成本低，采用本发明中技术生长制作的LED芯片显示优异的光电性质，可靠性和稳定性大副度提高。
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公开(公告)号：CN102127808A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010617807.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基材料生长所需要的金属源气体，利用金属的三氯化物作为源材料，通过载气输运并混合反应得到所需的源气体。本发明将一定量金属的三氯化物放置于石英腔加热，并以氢气、氮气、惰性气体或者它们的混合气体作为载气，调节载气的流量即可获得需要的三氯化物流量，转化气体后输运至材料生长系统，生长氮化镓基半导体材料。本发明的外置的金属源系统可以减小半导体生长系统的反应室体积，获得均匀的流场以及温场分布，降低了设备的设计与维护成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102108547A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010617286.X
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C30B25/14 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种采用氢化物气相外延（HVPE）技术同时在多片或大尺寸衬底上生长GaN材料的方法，同时提供可以实现该方法的装置，特别是用于提供大面积生长区域的喷口。在该装置上应用本发明提供的方法，可以一次同时生长5片以上（视恒温区范围及喷口大小而定）2英寸GaN衬底或者一片以上4英寸甚至6英寸衬底。喷头设计使得氯化镓GaCl和氨NH3在喷口处互不混合，减少喷口处的预反应，防止管路堵塞，仅在衬底表面混合，形成均匀的混合层，提高GaN产品的厚度均匀性和质量。
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公开(公告)号：CN102172458B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201010617738.4
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: B01D50/00
Abstract: 本发明提出了一种含氯化铵尾气的处理方法，并设计出了一套尾气处理设备。发明中采用了对反应后混合气体加热和降温的方式，控制NH4Cl粉尘生成和沉积的场所，并设计出一种冷却和沉积设备，有效的过滤掉了反应后尾气中的氯化铵粉尘。解决半导体材料生长，尤其是HVPE生长GaN过程中，反应腔内生成氯化铵固体难以清理的难题，达到尾气中无粉尘，保证主反应后续的腔体和管道不被堵塞，使设备的有效生命时间尽可能长的处于半导体材料生长上，提高设备利用率，降低材料生长的成本。
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公开(公告)号：CN102347258B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110276973.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , C30B25/12 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体外延系统的基座，机械传动方式实现基座的公转、气动旋转方式实现衬底的自转，并结合机械手实现基座整体的升降。本发明包含有大盘、小盘，大盘内部设有辐射状的内部气路通道，大盘的内部气路通道连通小盘，支撑杆内的内部气道连通大盘内部辐射状的内部气路通道，支撑杆中部设有金属法兰，金属法兰的中心设有磁流体组件，撑杆延伸出金属法兰的部分固定有一从动轮，从动轮一侧等高的位置设有主动轮，靠近支撑杆尾端的位置设有轴承组件，支撑杆的尾端设有进气组件，进气组件由轴承组件、B套管和气体入口组成。本发明的设计可以节约反应的原料、提高薄膜的均匀性；基座结构简单、可靠。
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公开(公告)号：CN102172458A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010617738.4
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: B01D50/00
Abstract: 本发明提出了一种含氯化铵尾气的处理方法，并设计出了一套尾气处理设备。发明中采用了对反应后混合气体加热和降温的方式，控制NH4Cl粉尘生成和沉积的场所，并设计出一种冷却和沉积设备，有效的过滤掉了反应后尾气中的氯化铵粉尘。解决半导体材料生长，尤其是HVPE生长GaN过程中，反应腔内生成氯化铵固体难以清理的难题，达到尾气中无粉尘，保证主反应后续的腔体和管道不被堵塞，使设备的有效生命时间尽可能长的处于半导体材料生长上，提高设备利用率，降低材料生长的成本。
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公开(公告)号：CN102148139A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010617788.2
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法，很好的释放晶格失配应力和热失配应力。本发明将GaN外延片加热，在200～900℃下，使用无损激光剥离技术在低于将GaN和蓝宝石衬底剥离的能量阈值下进行剥离，或达到激光剥离能量阈值，但激光间或扫描使GaN和蓝宝石界面形成网状分离的不完全分离状态，由此达到释放GaN外延片残余应力的目的。使用加热的情况下进行激光预剥离的方法，可以更有效更大程度上的释放残余应力，并减小损伤。
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