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公开(公告)号：CN110085537A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910300683.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种温度可控的用于高温激光剥离的装置，包括：腔体模块，包括若干腔体单元，腔体单元用于承载衬底或晶片及对衬底或晶片密封；加热模块，用于提供衬底或者晶片进行剥离时所需要的温度；冷却模块，用于降低所述腔体模块及所述加热模块在工作时的温度；窗口模块，用于提供激光进入腔体单元内的通道；运动模块，用于将腔体单元移至激光剥离的工作区域；气体保护及排放模块，用于提供衬底或晶片的工艺气氛；控制模块，用于控制上述各模块的工作。本发明的装置设置有多个腔体单元，通过采用加热模块对多个腔体单元内的衬底或晶片同时加热升温或降温，或以一定的时间差进行加热升温或降温，可以在相同时间内剥离更多的片数。
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公开(公告)号：CN107740182A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710938189.2
申请日：2017-10-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种改善反应腔室清洁程度的氢化物气相外延设备，包括设备本体，所述设备本体包括进气法兰和反应腔室，所述进气法兰设置在反应腔室的一端，与反应腔室连接；所述反应腔室的包括腔室外壁，所述腔室外壁上设置有加热系统；所述反应腔室内设置有晶片和金属源放置位，所述金属源放置位设置在所述进气法兰的进气口与晶片之间。本发明的设备在晶片外延的过程中，可有效地减少进气法兰位置副产物的积累，从而提高反应腔室的清洁程度，延长了设备的维护周期，提高了产品的良率和产率。
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公开(公告)号：CN105352324B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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公开(公告)号：CN106835267A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611095723.X
申请日：2016-12-02
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
CPC classification number: C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延反应室旋转流动装置，包括反应室，该反应室上设有进气机构和排气口，反应室内设有石墨舟，所述反应室内壁上设有旋转涡流产生装置，该旋转涡流产生装置位于石墨舟边缘与反应室内侧壁之间，该旋转涡流产生装置将从进气机构中进入到反应室内的气体引导至石墨舟并产生涡流流动，旋转涡流产生装置为喷管射流混合装置，该喷管射流混合装置包括至少两个对称设置在反应室内侧壁的喷管，喷管上设置至少一个吸入口，喷管的进气口与进气机构连接。本发明利用涡流，使气体与材料充分混合，在反应腔的石墨舟表面形成组份分布更加均一恒定的反应源材料，生成材料组份相同、厚度也相同的GaN薄膜晶体材料。
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公开(公告)号：CN106622775A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611095351.0
申请日：2016-12-02
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: B05B13/02
CPC classification number: B05B13/0278
Abstract: 本发明公开了一种提高喷管分布密度的结构，包括密封板、喷管和定位板，定位板安装在密封板下表面，喷管上具有入口和喷气出口，所述密封板上设有安装通孔，定位板上设有定位孔，安装通孔内壁设有密封结构，喷管外壁上设有高度定位槽，喷管从密封板的安装通孔和定位板的定位孔中插入并且与安装通孔内的密封结构密封连接，该密封结构与高度定位槽卡合，密封结构包括具有形变功能的连接膜和密封环，连接膜上设有中心孔，密封环设在连接膜的中心孔内侧边缘，喷管从该密封环中穿过并且该密封环卡合在喷管的高度定位槽内。本发明在相同面积下能够装配更多的喷管，提高了结构的安全性和稳定性，降低维护成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105352324A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
CPC classification number: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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公开(公告)号：CN103094175B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210559456.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶片专用三夹头夹具，通过夹臂减小三夹头之间的间距，三夹头仅与样品侧边缘接触而不直接接触晶面即可完成夹持操作。本发明包含有夹臂、三个夹头，夹臂末端设有夹头，其中一个夹臂上安装1或2个夹头，夹具设有3条或2条夹臂，各夹臂间相互连接，夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端。本发明通过夹头与夹臂的巧妙组合，避免夹头与晶片正面的直接接触，从而减少晶面的接触源并避免了夹头直接施力于晶面易导致晶面被划伤、污染等问题。
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公开(公告)号：CN102797034B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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公开(公告)号：CN103789823A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410028993.3
申请日：2014-01-22
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体材料气相外延（HVPE）用反应器设计。包括轴对称圆柱型反应腔体、同心圆环喷头、加热器、石墨舟及衬底等；石墨舟及衬底采用电阻丝或红外光照射加热；所述腔体底端外壁的切向设置三至六个矩形横截面的气体出口通道；在该出口通道与腔体内壁之间设置一同心圆环缓冲带；在该出口通道外围设置一同心圆环集流通道；所述各出口通道与集流通道均贯通。本发明反应器设计，使反应物气体在衬底有效生长区域形成一种微旋流，从而显著改善外延生长厚度及其组分均匀性；因省去现有反应器中的石墨舟旋转装置及附属组件，既简化装置、节能、便于维护，还去除旋转运动不稳定对外延生长的不利影响。
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公开(公告)号：CN102828239A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210306671.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
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