电子设备、高分子化合物、有机化合物及高分子化合物的制备方法

    公开(公告)号:CN103460428B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201280015865.4

    申请日:2012-03-27

    Abstract: 本发明提供成为高亮度发光的电致发光元件的电子设备等。具体地,本发明提供具备下述层来作为电荷注入层和/或电荷传输层的电子设备等,所述层含有具有选自式(1)所表示的结构单元及式(7)所表示的结构单元中的1种以上的结构单元的高分子化合物。(在式(1)中,R1表示规定的基团,R2表示规定的基团,m1表示0以上的整数。有多个R2时其可相同或不同。式(1)中的氢原子可以被除了R1、R2以外的取代基取代。)(在式(7)中,R6表示规定的基团,R7表示规定的基团,m5表示0以上的整数。有多个R7时其可相同或不同。式(7)中的氢原子可以被除了R6、R7以外的取代基取代。)

    芳族聚合物的制备方法
    42.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101160345B

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN200680012492.X

    申请日:2006-02-15

    CPC classification number: C08G61/02 C08G61/10 C08G61/12

    Abstract: 本发明涉及芳族聚合物的制备方法,其特征在于:在含有下式(II)所示膦化合物的钯络合物存在下,使下式(I)所示芳族化合物进行缩聚。(I)(式(I)中,Ar是含芳环的双官能性有机基团,X是卤素原子、硝基或-SO3Q所示基团(Q表示可被取代的烃基),Y为氧原子、硫原子等,n为0或1,M为氢原子、-B(OQ1)2等,(Q1为氢原子或烃基));P(R1)3(II)(式(II)中,R1为下式(III)所示基团或下式(IV)所示基团,三个R1可以相同也可以不同,但三个R1中的至少一个为下式(III)所示基团);-C(R2)3(III)(式(III)中,R2为氢原子或可被取代的烃基);(IV)(式(IV)中,R3~R7各自独立,表示氢原子、可被取代的烃基等)。

    芳香族化合物聚合物的制备方法

    公开(公告)号:CN101001900B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200580027181.6

    申请日:2005-06-24

    CPC classification number: C08G61/12 C07C49/92 C07F9/005 C08G61/02 C08G61/10

    Abstract: 一种芳香族化合物聚合物的制备方法,该方法是使具有2个以上与芳香环直接键合的氢原子的1种以上的芳香族化合物,在氧化剂的存在下进行氧化聚合的芳香族化合物聚合物的制备方法,其特征在于,在该方法中,使用一种由过渡金属配位化合物或者由过渡金属配位化合物与活化剂制备的催化剂作为催化剂,该催化剂由下述式(A)定义的参数P为0.50以上,且由下述式(B)定义的参数Eo为0.50[V]以上,P=Af/Ai (A)(式中,Ai表示对于含有上述催化剂的溶液,在从200nm以上至800nm以下的紫外至近红外的波段得到的吸收光谱中,最长波长侧的吸收带的吸收极大处的吸光度;Af表示当向该溶液中添加相对于该催化剂中所含有的金属的摩尔数为3当量的水而形成的溶液时,在上述波段得到的吸收光谱中,与Ai相同波长处的吸光度)Eo=(Epa+Epc)/2[V] (B)(式中,Epa表示在将含有上述催化剂的测定溶液用循环伏安测量法进行测定时,按照二茂铁/二茂合铁离子的氧化还原电位基准,在0.50[V]以上电位的条件下,来自该催化剂所含有的过渡金属的氧化还原电位的氧化侧的峰值电位;Epc表示在进行同样测定时与Epa相对应的还原侧的峰值电位)。

    多核络合物
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101541799A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200780043469.1

    申请日:2007-11-26

    Abstract: 本发明提供一种相对1个由通式(I)表示的配位基具有2个以上金属原子及/或金属离子的多核络合物。(式中,Q1及Q2分别独立地表示可具有取代基的2价的杂环基。R1及R2分别独立地表示直接键合或2价的烃基,X表示氮原子或磷原子,R3表示含有从氮原子、氧原子、磷原子及硫原子中选择的原子的1价的有机基、氢原子或烃基。)

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