公开(公告)号：CN102869816A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021354.9

申请日：2011-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  佐佐木信 ,  井上博挥 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  Y10T428/18 ,  Y10T428/187

Abstract: 一种碳化硅衬底（1）包括：基础衬底（10），该基础衬底（10）具有70mm或更大的直径；和多个SiC衬底（20），该SiC衬底（20）由单晶碳化硅制成并且在平面图中观察时并排布置在基础衬底（10）上。换句话说，多个SiC衬底（20）并排布置在基础衬底（10）的主表面上并且沿着该主表面布置。此外，SiC衬底（20）中的每一个具有与基础衬底（10）相反并且相对与{0001}面具有20°或更小的偏离角的主表面（20A）。

公开(公告)号：CN102598211A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004204.7

申请日：2011-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  井上博挥 ,  冲田恭子 ,  并川靖生 ,  伊藤里美

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的连接衬底。第一碳化硅衬底(11)具有连接到支撑部(30)的第一背面、与第一背面相反的第一正面以及将第一背面和第一正面彼此连接的第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有连接到支撑部(30)的第二背面、与第二背面相反的第二正面以及将第二背面和第二正面彼此连接的第二侧面，并且在第一侧面和第二侧面之间形成有间隙。去除用于填充间隙的填充部40。然后，对第一和第二正面进行抛光。然后，去除填充部40。然后，形成用于封闭间隙的封闭部。这样，在使用具有碳化硅衬底的复合衬底制造半导体器件的工艺中，能够抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。

公开(公告)号：CN208266305U

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201820258008.1

申请日：2016-07-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  伊东洋典

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L29/36 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/78 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 本实用新型涉及碳化硅外延衬底。一种碳化硅外延衬底，其具有碳化硅单晶衬底和碳化硅层。碳化硅层具有与其接触碳化硅单晶衬底的表面相反的第二主表面。第二主表面具有距离其外边缘5mm以内的周边区和被周边区包围的中心区。碳化硅层具有中心表面层。中心表面层中的载流子浓度的平均值不小于1×1014cm‑3且不大于5×1016cm‑3。载流子浓度的周向均匀度不大于2％并且载流子浓度的面内均匀度不大于10％。夹在中心区和碳化硅单晶衬底之间的碳化硅层的部分的厚度的平均值不小于5μm。厚度的周向均匀度不大于1％，并且厚度的面内均匀度不大于4％。结果，可以提高碳化硅层中的载流子浓度的面内均匀度和碳化硅层的厚度的面内均匀度。

公开(公告)号：CN207091557U

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201690000223.0

申请日：2016-07-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  伊东洋典

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L29/36 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/78 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 本实用新型涉及碳化硅外延衬底。一种碳化硅外延衬底，其具有碳化硅单晶衬底和碳化硅层。碳化硅层具有与其接触碳化硅单晶衬底的表面相反的第二主表面。第二主表面具有距离其外边缘5mm以内的周边区和被周边区包围的中心区。碳化硅层具有中心表面层。中心表面层中的载流子浓度的平均值不小于1×1014cm-3且不大于5×1016cm-3。载流子浓度的周向均匀度不大于2％并且载流子浓度的面内均匀度不大于10％。夹在中心区和碳化硅单晶衬底之间的碳化硅层的部分的厚度的平均值不小于5μm。厚度的周向均匀度不大于1％，并且厚度的面内均匀度不大于4％。结果，可以提高碳化硅层中的载流子浓度的面内均匀度和碳化硅层的厚度的面内均匀度。