公开(公告)号：CN111290213A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010110602.8

申请日：2015-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  深谷创一

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/26

Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。

公开(公告)号：CN109782527A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811342214.1

申请日：2018-11-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  笹本纮平 ,  松桥直树

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/26 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上，氮/铬原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳/氧原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。

公开(公告)号：CN106502043A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610791249.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/50

CPC classification number: G03F1/20 ,  G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。

公开(公告)号：CN104694901A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410738665.2

申请日：2014-12-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  深谷创一 ,  中川秀夫 ,  稻月判臣

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  G03F1/68

CPC classification number: C23C14/3464 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/352 ,  G03F1/68 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3447

Abstract: 本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同时向第一和第二靶材(1，2)供应电能，并且在衬底上沉积溅射颗粒同时控制溅射条件，使得从一个靶材射出的溅射颗粒到达另一个靶材的溅射表面并且沉积在其上的速率不大于通过溅射从该另一个靶材移除该溅射颗粒的速率。