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公开(公告)号：CN101614688A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910089790.4
申请日：2009-07-24
IPC: G01N25/72
Abstract: 一种印制电路板虚焊点的红外检测方法，首先使用脉冲热加载装置对被检测焊点进行热加载，同时使用红外热像系统对热加载过程中被检测焊点的表面温度进行连续采集，得到序列热像图；然后在得到的序列热像图，确定被检测焊点上被热加载装置加热的区域；随后在序列热像图上提取被检测焊点上被热加载装置加热的区域在热加载前后温度场的变化曲线图；最后在温度场变化曲线上根据加载前后温度曲线上升和下降过程中是否出现拐点来判定焊点是否虚焊。本发明方法通过在温度曲线上升和下降过程中寻找拐点即可完成对虚焊点的检测，操作简便，可靠性高，通用性强。
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公开(公告)号：CN101159304A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710144640.X
申请日：2007-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 华之光电子(深圳)有限公司
Abstract: 单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，它涉及LED芯片与热沉的钎焊方法。它解决了传统封装方法中对LED芯片造成热损害，以及键合质量低、定位困难、光学质量差的缺点。步骤为：在热沉上形成预设的焊盘；将激光器发射头固于多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴；真空吸嘴吸取LED芯片处于等待状态；激光器发射头对准焊盘，并使之熔化；停止加热，真空吸嘴吸载着的LED芯片行进至该焊盘上并快速下降与热焊盘接触，直至钎料凝固；真空吸嘴卸压复位，吸取下一个LED芯片，重复上述程序。本方法进行键合质量好，成品率高，定位准确，光学质量较好，而且利用激光作为热源具有功率密度高、焊接速度快、热影响区小、控制精确、易于实现自动化的优点。
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公开(公告)号：CN1281768C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410044044.0
申请日：2004-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 激光处理提高硼酸铝晶须/铝复合材料表面耐磨耐蚀方法，它涉及的是金属材料表面处理领域。它的步骤是：a.对工件表面进行预磨处理，粗糙度为0.01μm～10μm；b.用激光对工件表面进行幅照，其保护气体为Ar或N2，激光的参数是：输出功率为300W～1900W、脉冲宽度为0.1ms～5ms、扫描速率为1mm/s～100mm/s、激光处理区域的搭接宽度为25%～75%、脉冲频率为10Hz～20Hz。本发明能在硼酸铝晶须/铝复合材料表面形成抗腐蚀性、耐磨性的表层，此表层与基体结合强度高，不脱落，工艺简单快速。
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公开(公告)号：CN116008306A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310097703.X
申请日：2023-02-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/956 , G01J5/48
Abstract: 一种电路板焊点缺陷红外热透视方法，属于电路板焊点质量检测技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、利用红外激光分别照射标准虚焊电路板和合格电路板的局部或全部，停止照射后，红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄红外热图；步骤二、利用红外激光照射待测电路板的局部或全部，停止照射后，红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄待测电路板红外热图；以标准虚焊电路板上某一元器件焊点部分最高温度值作为待测电路板红外热图中的温标上限H，以合格电路板上同一个元器件焊点的最低温度值作为待测电路板红外热图中的温标下限L，即得到待测电路板上该元器件的红外热透视图，判断待测电路板上该元器件的焊点是否存在缺陷。
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公开(公告)号：CN115684270A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211362956.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统和筛查方法，属于电路板焊点虚焊检测领域，具体方案如下：所述筛查系统包括红外热像仪和热源；红外热像仪设置在待测电路板的正上方且镜头正对待测电路板，热源位于红外热像仪的旁侧，使用热源加热待测电路板的整体或局部，停止加热的同时，红外热像仪对待测电路拍照得到热像图；待测电路板的热像图中，若某个元器件的整体或者局部的温度比标准合格样板的热像图中相对应的元器件的温度高于设定值，则该元器件存在焊点虚焊或者缺陷。本发明彻底突破了高密度封装电路板元器件焊点虚焊检测这一行业难题，可检测的元器件涵盖了各种现有芯片及阻容器件，同时其高效性有助于将本发明应用于生产线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113584547A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110915225.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微纳米金属颗粒表面镀层的制备方法，属于表面工程领域。所述方法如下：选择并配置电镀的镀液，选择待电镀的微纳米金属颗粒，对所选择的微纳米金属颗粒去除表面氧化膜，与弱酸性的镀液混合加入到电镀槽中，在电镀槽中加入磁转子搅拌电镀液，使微纳米金属颗粒均匀分散镀液中，并且搅拌在电镀过程中不停止，打开微泵电源，使电镀液在微管中稳定循环，打开电镀电源，进行电镀，经过一定时间后电镀完成，将电镀后的镀液离心干燥，得到有良好镀层的微纳米金属颗粒。本发明可以应用于倒装芯片键合与球栅阵列封装等电子封装领域的焊球，具有电阻低、传递信号能力强、抗电迁移能力和抗蠕变能力强等优点。
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公开(公告)号：CN110560864A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910925646.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电阻焊工件快速对准夹具，属于微电阻焊技术领域。夹具壳体一端的上部与可调卡座可拆卸固定连接，夹具壳体另一端的上部通过调节机构与并列配合设置的两个定位挡板滑动连接，两个定位挡板之间设有竖直设置的工件导电底座，调节机构以及工件导电底座均设置在夹具壳体的内部，工件导电底座位于夹具壳体的中部且下端与夹具壳体可拆卸固定连接。本发明可实现待焊工件的快速定位，防止在电极电阻焊过程中产生偏移，可用于多种尺寸的工件，更换不同尺寸的工件后，无需重新对准，利于提升工件的电阻焊效率。
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公开(公告)号：CN104588905A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410696055.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/24 , B23K35/363 , B23K35/40
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/025 , B23K35/3613 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种Ag-Cu-Ti/Sn纳米颗粒焊膏及其制备方法，所述焊膏按照质量百分比由纳米颗粒固体成分80~90%、修饰剂10~20%制成，其中：修饰剂按照质量比由分散剂2~8、粘结剂2~8、稀释剂2~10、助焊剂2~10组成；纳米颗粒固体成分由A：Ag、B：Cu、C：Ti或Sn混合而成，Cu占纳米颗粒固体成分总质量的20~50%，Ti或Sn占纳米颗粒固体成分的0~20%。其制备步骤如下：步骤一、称取纳米颗粒固体成分；步骤二、依次加入修饰剂；步骤三、将上述体系在有机溶剂中均匀一致地混合，再将多于溶剂挥发出去，制成Ag-Cu-Ti/Sn纳米焊膏；步骤四、将制备得到的Ag-Cu-Ti/Sn纳米焊膏放入针管中密封保存。本发明具有任意成分配比可控、工艺简单、成本较低等优点。
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公开(公告)号：CN103839845A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410113951.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00
CPC classification number: H01L24/27 , B81C3/001 , H01L2224/27
Abstract: 本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜；二、在含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加一定压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头。本发明可以选择性快速加热待连接部位，对半导体器件的热影响小；可以在极短时间内形成接头，有助于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103639558A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310672744.3
申请日：2013-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00
CPC classification number: H05K3/3436
Abstract: 热-超声-电磁多场复合再流焊方法，涉及一种再流焊方法。所述方法步骤如下：将印制电路板置于回流焊加热板中间位置，回流焊加热板下方放置磁场线垂直于倒装PCB组件表面的“山”形磁铁，在中间磁芯柱位置缠绕耐强电流的线圈；超声触头通过精密光学的对准装置拾取带有焊球的芯片元件并与PCB电路板上的焊盘对准；开启回流焊加热板，当回流焊加热板温度达到保温区时，在互连过程中开始施加超声和磁场，完成再流焊过程。本发明在热板-超声再流焊技术基础上施加定向的磁场，通过磁场强度和方向的调控实现较低温度下IMCs的定向、择优、快速生长，旨在在较低温度下快速获得力学性能优异的焊点，以提高电子器件可靠性。
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