公开(公告)号：CN104247031B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化

公开(公告)号：CN104094409A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007460.0

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN102473792A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080036495.3

申请日：2010-07-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 织田明博 ,  中泽淳

IPC: H01L31/10 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H01L27/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/13338 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 即使薄膜二极管的半导体层的厚度薄，也能够提高光利用效率并提高薄膜二极管的光检测灵敏度。在基板(101)的一侧，设置包括第一半导体层(131)的薄膜二极管(130)，该第一半导体层(131)至少包含n型区域(131n)和p型区域(131p)，并在基板与第一半导体层之间设置有遮光层(160)。在遮光层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸。第一半导体层具有沿着遮光层的凹凸的凹凸形状。入射到遮光层的光发生漫反射后入射到第一半导体层。第一半导体层，因为具有沿着遮光层的凹凸的凹凸形状，所以发生漫反射的反射光在第一半导体层内前进的距离变长。其结果是，被第一半导体层吸收的光增加，光检测灵敏度上升。

公开(公告)号：CN110098209B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201910093472.9

申请日：2019-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  富安一秀 ,  中野文树 ,  中村友

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种能够抑制水分向用于X射线摄像装置的有源矩阵基板侵入的有源矩阵基板及包括该基板的X射线摄像面板。有源矩阵基板(1)在各像素(P1)中包括：光电转换元件(12)，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；第一平坦化膜(106)，其覆盖光电转换元件(12)，并由有机类树脂膜构成；以及第一无机绝缘膜(107)，其覆盖第一平坦化膜(106)。第一平坦化膜(106)和第一无机绝缘膜(107)设置至像素区域的外侧。在像素区域的外侧，为了不露出第一平坦化膜(106)，第一平坦化膜(106)被第一无机绝缘膜(107)覆盖。

公开(公告)号：CN108496277B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201680079814.6

申请日：2016-10-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  箕浦洁 ,  中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  中野文树

IPC: H01Q3/34 ,  H01P1/30 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/08 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第二电介质基板(51)和形成于第二电介质基板的第一主面上的缝隙电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板和缝隙基板之间；反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第二电介质基板(51)的与第一主面相反一侧的第二主面相对的方式配置；缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙，还具有被配置于TFT基板(101)的外侧或缝隙基板(201)的外侧的加热器部(68)。

公开(公告)号：CN108174620B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201680060325.6

申请日：2016-10-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q23/00 ,  G02F1/13 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线具有：TFT基板(104)，其具有第一电介质基板(51)、多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、及多个贴片电极；插槽基板(204)，其具有第二电介质基板(1)、及形成于第二电介质基板的第一主表面上的插槽电极(55)；液晶层，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板，以隔着电介质层而与第二电介质基板(1)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置，插槽电极(55)具有对应于多个贴片电极而配置的多个插槽(57)和将插槽电极(55)分割成两个以上的部分(55S)的凹槽(84)，TFT基板(104)具有与凹槽(84)相对配置的相对金属部(91)，从第一电介质基板的法线方向观察时，凹槽(84)由遍及其宽度方向的相对金属部(91)覆盖。

公开(公告)号：CN108140945B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201680058659.X

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单元U的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置；插槽电极具有分别对应于贴片电极而配置的插槽，贴片电极分别连接于对应的TFT的漏极，在由从对应的TFT的栅极总线供给的扫描信号所选择的期间内，从对应的源极总线供给数据信号，施加到贴片电极的电压的极性反转的频率为300Hz以上。

公开(公告)号：CN110911430A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910851620.9

申请日：2019-09-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  中野文树 ,  泷田力也

IPC: H01L27/146

Abstract: 有源矩阵基板在基板(101)上具备光电转换元件(12)、第一无机绝缘膜(106)、第一平坦化膜(107)、以及第二无机绝缘膜(108a)和/或(109)。第一无机绝缘膜(106)、第一平坦化膜(107)、第二无机绝缘膜(108a)和/或(109)被设置至基板的端部(P2)。第一无机绝缘膜(106)覆盖光电转换元件(12)的表面，第一平坦化膜(107)具有锥形部，锥形部与第一无机绝缘膜(106)所成的角度θ为锐角。第二无机绝缘膜(108a)和/或(109)覆盖第一平坦化膜(107)。

公开(公告)号：CN110783353A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910691352.9

申请日：2019-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷田力也 ,  中野文树 ,  中泽淳

IPC: H01L27/146

Abstract: 摄像面板中，在多个像素的每一个上具备光电转换元件的有源矩阵基板中，在各像素包括：设置在光电转换元件的一侧的表面的第一电极；设置在光电转换元件和所述第一电极的上层的第一平坦化膜；以及设置在所述第一平坦化膜的下层的偏压导电部。偏压导电部与第一电极连接，并向第一电极施加偏压电压。第一平坦化膜在与所述像素区域重叠的区域中未形成开口。

公开(公告)号：CN107210534B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201680006409.1

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  森重恭 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q13/22 ,  H01L29/786 ,  H01P1/18 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44

Abstract: TFT基板(101)具有排列在电介质基板(1)上的多个天线单位区域(U)，包含发送接收区域和非发送接收区域，发送接收区域包含多个天线单位区域，非发送接收区域位于发送接收区域以外的区域，多个天线单位区域(U)各自具备：薄膜晶体管(10)；第1绝缘层(11)，其覆盖薄膜晶体管，且具有将薄膜晶体管(10)的漏极电极(7D)露出的第1开口部(CH1)；以及贴片电极(15)，其形成在第1绝缘层(11)上和第1开口部(CH1)内，电连接到薄膜晶体管的漏极电极(7D)，贴片电极(15)包含金属层，金属层的厚度大于薄膜晶体管的源极电极(7S)和漏极电极(7D)的厚度。