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公开(公告)号：CN112771603A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201880098066.5
申请日：2018-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3233 , G09G3/20
Abstract: 本申请公开了即使在进行中止驱动时也能够进行不发生闪烁的良好的显示的电流驱动型的显示装置。在像素电路(15)中，在基于第一初始化晶体管(T4)的栅极电压(Vg)的初始化后，数据信号线(Di)的电压经由写入控制晶体管(T2)和驱动晶体管(T1)被写入保持电容器(Cst)。之后，发光控制晶体管(T5)、(T6)导通，有机EL元件(OL)通过来自驱动晶体管(T1)的驱动电流(I1)而发光。在该发光期间，即使栅极电压(Vg)由于截止状态的第一初始化晶体管(T4)的漏电流而降低，也能够通过增大提供给驱动晶体管(T1)的阈值控制端子(TG)的阈值控制电压来补偿该降低。其结果是，即使因中止驱动而刷新周期变长，也能抑制由上述栅极电压(Vg)的降低而引起的亮度的增大，能够防止闪烁的发生。
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公开(公告)号：CN112056005A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201880092997.4
申请日：2018-05-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在显示区域(D)中，各第一电源线(19g)和各第二电源线(16b)经由形成于第二无机绝缘膜的接触孔(Ha)电连接，各第二电源线(16b)与该各第一电源线(19g)交叉，各源极线(19f)与各第二电源线(16b)隔着第二无机绝缘膜以及第一有机绝缘膜交叉。
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公开(公告)号：CN111433929A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201780095304.2
申请日：2017-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在边框区域(F)的弯折部(B)的剖面中，在构成TFT层的至少一层的无机膜(L)上形成向上方开口的第一开口部(Aa)，以填埋第一开口部(Aa)的方式设置第一有机膜(21a)，在第一有机膜(21a)上设置边框配线(12ea)，以覆盖边框配线(12ea)的方式设置第二有机膜(13a)，在第一有机膜(21a)上形成与第一开口部(Aa)相比在内侧向上方开口的第二开口部(Ab)。
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公开(公告)号：CN111149434A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201780095332.4
申请日：2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 由同一材料形成于与反射电极(21)相同的层的配线(21a)设置在TFT层(20)上，该反射电极(21)包括由低电阻金属材料构成的多个金属导电层、设置在最下层的最下金属导电层的下表面侧的氧化物的下侧透明导电层、设置在具有光反射性的最上层的最上金属导电层的上表面侧的氧化物的上侧透明导电层、及设置在多个金属导电层之间的氧化物的中间透明导电层。
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公开(公告)号：CN111149433A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201780095349.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种显示装置包括多个图像元素，在多个图像元素中分别形成有正极(22)，并且形成有覆盖层(23A)，以形成正极(22)的开口，在多个正极(22)之间设有间隔物(23B)，该间隔物(23B)与覆盖层(23A)为同一层。间隔物(23B)形成为高度高于覆盖层(23A)，并且间隔物(23B)的外缘部与覆盖层(23A)的外缘部分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111149055A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201780095416.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种光掩膜(1)包括：透过部，其形成所述开口部；半透射光部，其形成所述平坦部；以及遮光部，其形成所述感光间隔部，所述遮光部在排列成格子状的多个所述透过部之间形成为岛状，并且夹于2个所述透过部的所述遮光部的端部形成为沿所述透过部的外缘延伸。
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公开(公告)号：CN111133496A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201780095347.0
申请日：2017-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00
Abstract: 本发明的显示设备具有TFT层及位于所述TFT层的更上层的发光元件层，该TFT层包含从外部输入信号的端子(TM1)、及位于所述端子的更下层的端子配线(TW1)，所述端子包含主要部分(TC1)、及包围主要部分的周缘部(TE1)，该显示设备中，设有覆盖所述周缘部(TE1)的覆盖膜(21c)，所述周缘部(TE1)的下表面与所述端子配线(TW1)接触，所述主要部分(TC1)与所述端子配线(TW1)隔着1个以上端子基底膜(J1、K1)而重叠。
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公开(公告)号：CN110476200A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880022560.3
申请日：2018-03-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 在下层部和上层部分别包括半导体膜的TFT基板中，实现了下层部的导电体和上层部的导电体之间的稳定连接。在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜(6)、与第一半导体膜相比靠上层的第一导电体(M1)、与第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜(18)、与层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜(26)、与第二半导体膜相比靠上层的第二导电体(J2)、与第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜(32)、与有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体(M3)、穿过有机绝缘膜的通孔(H32)以及层间绝缘膜的通孔(H18)，且底面到达第一导电体的接触孔(CH)，有机绝缘膜的通孔的开口表面大于层间绝缘膜的通孔的开口表面，第二导电体(J2)以及第三导电体(M3)以与接触孔的开口表面(K)重叠的方式形成，第三导电体(M3)与第一导电体(M1)以及第二导电体(J2)接触。
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公开(公告)号：CN110121765A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201780080973.2
申请日：2017-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
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公开(公告)号：CN103299429B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180063129.1
申请日：2011-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1341 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1296 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 有源矩阵基板(20a)包括：设置在绝缘基板(10a)上的栅极电极(25)；和设置在栅极电极(25)上，由烧制而成的SOG材料形成的平坦化膜(26)。栅极电极(25)包括以下各导电膜的层叠膜：设置在所述绝缘基板(10a)上，由铜以外的金属形成的第一导电膜(27)；设置在第一导电膜(27)上，由铜形成的第二导电膜(28)；和设置在第二导电膜(28)上，由铜以外的金属形成的第三导电膜(29)。
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