公开(公告)号：CN110291644B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201880011441.8

申请日：2018-02-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 一种有源矩阵基板，具备包含支撑于基板(1)的TFT(30A)的周边电路，在从基板(1)的法线方向观看时，TFT(30A)的第1栅极电极(3)具有相互相对的第1缘部和第2缘部(3e1、3e2)，第1缘部和第2缘部在沟道宽度方向上横穿氧化物半导体层(7)而延伸，第1缘部和第2缘部中的至少一方在与氧化物半导体层(7)重叠的区域具有：在沟道长度方向上凹陷的第1凹部(40)；以及与第1凹部在沟道宽度方向上相邻的第1部分(41)，在从基板(1)的法线方向观看时，TFT(30A)的源极电极(8)或漏极电极(9)是与第1凹部(40)的至少一部分以及第1部分(41)的至少一部分重叠的。

公开(公告)号：CN112714960A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201880097494.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中村好伸 ,  春口佳代

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

Abstract: 显示装置(1)具有包括驱动晶体管(2a)和开关晶体管(2b)的像素电路，驱动晶体管(2a)在基板(10)上层叠无机绝缘膜(20)、氧化物半导体层(50)、上部栅极绝缘层(60)、上部栅极电极(70)以及层间绝缘膜(80)而形成。驱动晶体管(2a)及开关晶体管(2b)由氧化物半导体层(50)形成，包括分别对应且呈岛状设置的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜具有与对应的上部栅极电极(70)重叠的沟道区域、将沟道区域夹在相互之间而设置的源极区域及漏极区域。驱动晶体管(2a)在无机绝缘膜(20)与氧化物半导体层(50)之间设置有下部栅极电极(30)和下部栅极绝缘层(40)。驱动晶体管(2a)的下部栅极电极(30)的长度为驱动晶体管(2a)的上部栅极电极(70)的长度以下。

公开(公告)号：CN107851667B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201680032544.3

申请日：2016-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中野文树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146

Abstract: 使有源矩阵基板的配线的阻抗变小。一种有源矩阵基板，包含:基板31；配置于基板31，沿第一方向延伸的多数个的第一配线也就是栅极线；配置于基板31，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线也就是源极线Si；对应栅极线与源极线的各交点配置，与栅极线以及源极线连接的晶体管2；以及绝缘层；所述栅极线以及源极线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，且与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。

公开(公告)号：CN107636840B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201680032280.1

申请日：2016-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中野文树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明使有源矩阵基板的布线的电阻变小。有源矩阵基板，具备：基板31、配置于基板31且于第一方向延伸的多条栅极线Gj、配置于基板31且于与第一方向不同的第二方向延伸的多条源极线Si、与栅极线和源极线Si的各交点对应地配置且与栅极线Gj及源极线Si连接的晶体管2、绝缘层、及扩张导电膜51、52、61。栅极线Gj及源极线Si的至少一方，通过设置在绝缘层的接触孔与扩张导电膜连接并成为层压构造。

公开(公告)号：CN105793773B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201480065932.2

申请日：2014-11-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  内田诚一

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3648 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2320/0247

Abstract: 本发明的液晶面板(100)包括：一对基板(10、30)；保持在一对基板间的液晶层(40)；和以包围液晶层的方式设置的密封件(42)，多个像素(P1、P2)在由密封件包围的区域中形成为矩阵状，多个像素分别包括：设置于一个基板(10)的氧化物半导体TFT(5)；和与设置于一个基板的氧化物半导体TFT连接的像素电极(19)，在氧化物半导体TFT从导通状态切换为截止状态时，使用像素电极施加于液晶层的电压，向负方向电平位移馈通电压(ΔVd)的量，多个像素中的第一像素(P1)的馈通电压(ΔVd1)小于与第一像素相比位于离密封件更远的位置的第二像素(P2)的馈通电压(ΔVd2)。

公开(公告)号：CN108701701A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780003629.3

申请日：2017-02-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  齐藤贵翁 ,  宫本忠芳

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/10 ,  H01L31/105 ,  H01L31/117

Abstract: 提供一种光电转换装置，在光电转换装置中减少光电二极管的截止泄漏电流。光电转换装置(100)具备：氧化物半导体层(5)，其形成在基板(1)上；钝化膜(6)以及平坦化膜(7)，其层叠于氧化物半导体层上；光电二极管(9)，其由下部电极(91)、光电转换层(92)、上部电极(93)构成，经由钝化膜以及平坦化膜所形成的接触孔(21)，下部电极连接于漏极电极(4)，接触孔的正上方未设置有光电转换层。

公开(公告)号：CN103081108B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180043132.7

申请日：2011-09-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 有源矩阵基板（20a）包括：绝缘基板（10a）；第一薄膜晶体管（5a），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第一栅极电极（11b）和具有第一沟道区域（Ca）的第一氧化物半导体层（13a）；第二薄膜晶体管（5b），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第二栅极电极（11c）和具有第二沟道区域（Cb）的第二氧化物半导体层（13b）；和覆盖第一氧化物半导体层（13a）和第二氧化物半导体层（13b）的第二栅极绝缘膜（17）。而且，在第二栅极绝缘膜（17）上设置有隔着第二栅极绝缘膜（17）与第一沟道区域（Ca）和第二沟道区域（Cb）相对配置的第三栅极电极（25）。

公开(公告)号：CN104205310A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018493.5

申请日：2013-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：在基板(2)之上形成的栅极电极(3)；在栅极电极之上形成的栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，该氧化物层(50)形成在栅极绝缘层之上，包含半导体区域(51)和导电体区域(55)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极之上形成的保护层(11)；和在保护层之上形成的透明电极(9)。透明电极的至少一部分隔着保护层与导电体区域重叠，导电体区域的上表面与具有使氧化物层中包含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(61)接触。还原绝缘层不与半导体区域的沟道区域接触。

公开(公告)号：CN103975270A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280059462.X

申请日：2012-12-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  宫本忠芳

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

Abstract: 各子像素(P)的辅助电容(6)由各透明电极、各像素电极以及设置在它们之间的电容绝缘膜构成，各子像素(P)的开关元件(5a)沿矩阵状的多个子像素(P)的列方向按每规定的子像素(P)与相互不同的源极线(15a)连接，多个透明电极构成为：按照在配置于以宽间隔相邻的一对栅极线(13)之间的在规定的方向上相邻的一对子像素(P)之间共有的方式设置，向在行方向上相邻的透明电极彼此输入相互不同的信号。

公开(公告)号：CN101263604A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033915.6

申请日：2006-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松木园广志 ,  宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种能够进行低阈值动作并且具有高晶体管耐压的薄膜晶体管及其制造方法、以及使用该薄膜晶体管而得到的半导体装置、有源矩阵基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管，通过在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成，上述半导体层的截面具有顺圆锥形状，上述半导体层的上方和侧方被栅极绝缘膜覆盖，上述栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构，并且，当设上述半导体层的上方的膜厚为A、设上述半导体层的侧方的膜厚为B时，满足0.5≤B/A。