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公开(公告)号：CN108701432B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201780013382.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09F9/30
Abstract: 本发明的特征在于，包括：以覆盖栅极绝缘膜(45)及半导体膜(42)二者的形式形成导电膜(51)的导电膜形成工序，其中，栅极绝缘膜(45)覆盖在玻璃基板(32)上形成的栅极电极(37G)及栅极布线(35G)，半导体膜(42)在栅极绝缘膜(45)上形成在与栅极电极(37G)重叠的位置；第一蚀刻工序，通过对导电膜(51)进行蚀刻，从而形成与半导体膜(42)连接的源极用导电膜(46S)、及与半导体膜(42)连接的漏极用导电膜(46D)；抗蚀剂形成工序，其在第一蚀刻工序之后实行，形成覆盖半导体膜(42)、源极用导电膜(46S)、漏极用导电膜(46D的抗蚀剂(53R)；以及第二蚀刻工序，其在抗蚀剂形成工序之后实行，以抗蚀剂(53R)为掩模，实行可去除导电膜(51)的蚀刻。
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公开(公告)号：CN110383434A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201780087915.2
申请日：2017-03-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 在栅电极形成工序中，在第一金属膜(18a)上，对惰性气体的大气添加氧气或者氮气而使第二金属膜(18b)成膜，在使第一金属膜(18a)以及第二金属膜(18b)图案化后，使用氧气或者氮气进行等离子体处理而形成第三金属膜(18c)，由此形成栅电极(18)。由此，抑制生产效率的降低并且防止形成针状结晶或者粒状结晶。
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公开(公告)号：CN108701701A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780003629.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/786 , H01L31/10 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/146 , H01L27/14612 , H01L27/14658 , H01L27/14692 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L31/022408 , H01L31/10 , H01L31/105 , H01L31/117
Abstract: 提供一种光电转换装置，在光电转换装置中减少光电二极管的截止泄漏电流。光电转换装置(100)具备：氧化物半导体层(5)，其形成在基板(1)上；钝化膜(6)以及平坦化膜(7)，其层叠于氧化物半导体层上；光电二极管(9)，其由下部电极(91)、光电转换层(92)、上部电极(93)构成，经由钝化膜以及平坦化膜所形成的接触孔(21)，下部电极连接于漏极电极(4)，接触孔的正上方未设置有光电转换层。
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公开(公告)号：CN108701432A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780013382.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , G09F9/30
Abstract: 本发明的特征在于，包括：以覆盖栅极绝缘膜(45)及半导体膜(42)二者的形式形成导电膜(51)的导电膜形成工序，其中，栅极绝缘膜(45)覆盖在玻璃基板(32)上形成的栅极电极(37G)及栅极布线(35G)，半导体膜(42)在栅极绝缘膜(45)上形成在与栅极电极(37G)重叠的位置；第一蚀刻工序，通过对导电膜(51)进行蚀刻，从而形成与半导体膜(42)连接的源极用导电膜(46S)、及与半导体膜(42)连接的漏极用导电膜(46D)；抗蚀剂形成工序，其在第一蚀刻工序之后实行，形成覆盖半导体膜(42)、源极用导电膜(46S)、漏极用导电膜(46D的抗蚀剂(53R)；以及第二蚀刻工序，其在抗蚀剂形成工序之后实行，以抗蚀剂(53R)为掩模，实行可去除导电膜(51)的蚀刻。
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公开(公告)号：CN108496244A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008343.4
申请日：2017-01-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC classification number: G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108352140A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063187.7
申请日：2016-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1345
Abstract: 阵列基板(11b)具备：玻璃基板(GS)，其被划分为显示区域(AA)和非显示区域(NAA)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，它们在非显示区域(NAA)一部分开口而形成栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)；栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)，它们从与栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)的边界位置竖立而相对于玻璃基板(GS)的板面呈倾斜状；以及重叠部(30)，其以跨越栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)、栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)的方式与它们各自的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN106605295A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201580047034.9
申请日：2015-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1362 , H01L21/28 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)包括：氧化物半导体膜(31)，其由氧化物半导体材料构成，并且以如下形式配置：作为其一部分的电容配线(22)为与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)相比电阻低的低电阻部且作为低电阻部的电容配线(22)与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)分离；第1层间绝缘膜(第1绝缘膜)(33)，其配置在氧化物半导体膜(31)的上层侧并且在与作为低电阻部的电容配线(22)重叠的位置形成有开口部(33a)；和第2层间绝缘膜(第2绝缘膜)(34)，其配置在第1层间绝缘膜(33)的上层侧并且含有氢。
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公开(公告)号：CN115398512B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080099717.X
申请日：2020-04-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本公开的显示装置具有：显示区域，其包含薄膜晶体管；端子部；以及折弯部，其设置在上述显示区域与上述端子部之间，在上述显示装置中，具备：树脂层，其在上述折弯部中设置在基材的上方；绝缘层，其设置为覆盖上述树脂层；以及第1配线，其设置在上述绝缘层的上方，在作为上述显示区域和上述端子部的排布方向的第1方向上延伸，将上述薄膜晶体管与上述端子部电连接，在上述折弯部中，上述树脂层具有在俯视时与上述第1配线重叠的至少1个孔或凹陷，上述绝缘层具有在俯视时与上述至少1个孔或凹陷重叠的至少1个开口部。
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公开(公告)号：CN112385313B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201880095197.8
申请日：2018-07-12
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 第一触控面板用配线(321)以及第二触控面板用配线(322)在与第一堤(23a)以及第二堤(23b)的各个的相交部分(C1、C2)中，相互之间隔着层间绝缘膜(323)形成。
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公开(公告)号：CN115398514B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202080099144.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 在显示区域内设置有非显示区域(N)，在非显示区域(N)中设置有贯通孔(H)，在非显示区域(N)中以包围贯通孔(H)的方式设置有多个内侧凸部(C)，各内侧凸部(C)的下层树脂层(8a)被形成于树脂基板层(10)的多个内侧狭缝(Sa)分离，多条显示用布线(14g)的一部分被贯通孔(H)断开，最靠显示区域侧的内侧狭缝(Sa)的底部的第一非显示导电层(34b)以与被贯通孔(H)断开的显示用布线(14g)中的靠贯通孔(H)侧的一个端部以及靠贯通孔(H)侧的另一个端部重叠的方式设置。
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