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公开(公告)号：CN1249853A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN98803128.0
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1964094B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610163962.4
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧的半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧的半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，其特征在于，所述p导电侧或n导电侧的半导体区域的至少一层氮化物半导体层，是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第一层与第二层积层而成的超晶格层。根据上述结构，可降低元器件的工作电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN101465400B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810109931.X
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN100495747C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510128772.4
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，该半导体器件包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述p型半导体层露出的那部分n型半导体层上的第一电极；设置在所述p型半导体层上、具有露出所述p型半导体层的一部分的窗口部分的第二电极，以及设置在所述窗口部分、与所述第二电极电连接的焊盘电极。
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公开(公告)号：CN100485985C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610004486.1
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1933195A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610099937.4
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程：在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序，和用气态3族元素源及气态氮元素源，从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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公开(公告)号：CN1832215A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004486.1
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1808731A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510128772.4
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，该半导体器件包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述p型半导体层露出的那部分n型半导体层上的第一电极；设置在所述p型半导体层上、具有露出所述p型半导体层的一部分的窗口部分的第二电极，以及设置在所述窗口部分、与所述第二电极电连接的焊盘电极。
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公开(公告)号：CN1253948C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03145868.8
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。
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公开(公告)号：CN1157804C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN00803557.1
申请日：2000-02-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/323
Abstract: 一种氮化半导体器件，包括：GaN基底，至少在所述GaN基底的表面有一个单晶GaN层，所述单晶GaN层通过侧向生长工艺形成；在所述GaN基底上形成的由氮化半导体制成的多个器件形成层；其中与所述侧向生长的单晶GaN层相接触的所述器件形成层的层由AlaGa1-aN(0＜a≤1)构成，并且其热胀系数小于GaN，因此压应力作用在与所述单晶GaN层相接触的所述层上。结果可防止器件形成层产生裂纹，从而可改善氮化半导体器件的工作寿命。
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