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公开(公告)号：CN108461094B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810145330.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
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公开(公告)号：CN108573715B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201810153505.X
申请日：2018-02-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
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公开(公告)号：CN109979492A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811365060.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108573715A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810153505.X
申请日：2018-02-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/656 , G11B5/012 , G11B5/1875 , G11B5/3133 , G11B5/3912 , G11B5/714 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/746 , G11B2005/0021 , G11B5/65 , G11B5/64 , G11B5/66
Abstract: 本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L10型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
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公开(公告)号：CN104347087B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410363017.3
申请日：2014-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
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公开(公告)号：CN104103290B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410132213.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/73 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
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公开(公告)号：CN104303232A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380022551.1
申请日：2013-04-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/09 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备：基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的：第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。
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公开(公告)号：CN104103290A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410132213.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/73 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
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