导电膜的制造方法、导电膜和金属纳米线墨

    公开(公告)号:CN110720129B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN201880038335.9

    申请日:2018-07-30

    Inventor: 山木繁

    Abstract: 本发明的课题是提供面内的表面电阻值波动小的导电膜,其抑制了金属纳米线的使用量,表面电阻值在1000~10000Ω/□的范围。还提供生产率优异的导电膜的合适制造方法和用于该制造方法的金属纳米线墨。解决手段是一种导电膜,导电层的表面电阻值为1000~10000Ω/□,并且面内的表面电阻值波动为35%以下,所述导电膜由以下制造方法得到,所述制造方法包括在高分子膜的至少一面涂布金属纳米线墨并使其干燥的工序,金属纳米线墨包含金属纳米线(A)、粘合剂树脂(B)和溶剂(C),金属纳米线(A)的平均直径为1~100nm,长轴长度的平均值为1~100μm,并且长宽比的平均值为100~2000,粘合剂树脂(B)包含乙基纤维素和羟丙基纤维素中的至少一者,溶剂(C)包含二乙二醇单乙醚,金属纳米线(A)的含有率为0.005~0.05质量%。

    银纳米线分散液的制造方法

    公开(公告)号:CN114302778A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202080061617.8

    申请日:2020-12-18

    Abstract: 本发明的课题是通过将包含银纳米线和结构导向剂且银浓度为1.0质量%以上的银纳米线粗分散液使用交叉流过滤法进行纯化,而可以高产率制造高纯度的银纳米线分散液。为此,本发明是一种银纳米线分散液的制造方法,其包含准备包含银纳米线数/总粒子数>90%的银纳米线和结构导向剂且银浓度为1.0质量%以上的银纳米线粗分散液的步骤(S1~S6),与通过循环式的交叉流过滤法纯化所述银纳米线粗分散液的交叉流过滤步骤(S7)。

    造形方法
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102232014A

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN200980148111.4

    申请日:2009-11-13

    Abstract: 本发明的目的在于,提供与现有技术相比,可以以更高精度形成透镜等造形物的造形方法。通过反复多次进行转印工序来形成透镜阵列、纳米压印用的模具等造形物,所述转印工序包括:使包含具有聚合性官能团的化合物和聚合引发剂的光固化性组合物与形成了形状同非球面形状透镜部(312)相同的转印形状部的转印体(62)彼此接触,或与形成了形状同上述非球面形状透镜部(312)相反的转印形状部的转印体(62)彼此接触,从而使光固化性组合物模仿转印体(62)的转印形状而变形的变形工序;通过用光照射装置(60)照射光使变形了的光固化性组合物的至少变形了的部分固化的固化工序;以及,使固化了的光固化性组合物与转印部件分离开的分离工序。

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