散热装置
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101442033A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810182288.3

    申请日:2008-11-21

    CPC classification number: H01L23/473 H01L23/3735 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及散热装置。具体而言,一种散热装置包括隔热衬底、散热件和热质部件。隔热衬底包括第一表面和与第一表面相反的第二表面,其中,第一表面用作被加热物体的接收面。散热件热联接在隔热衬底的第二表面上。热质部件包括应力降低部分和热质部分,这两部分设置成使其中一个处于另一个之上。应力降低部分包括多个凹部,其处于热质部件的面向隔热衬底的表面和面向散热件的表面中的至少任一表面中。热质部分具有比应力降低部分更大的厚度,并且热质部件具有大于三毫米的厚度。

    半导体模块和变换器装置
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108633315A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201780010233.1

    申请日:2017-02-01

    Abstract: 提供一种半导体模块和变换器装置。半导体模块包括:第1导电板;第1开关元件,其载置在第1导电板上;第2导电板,其设置在第1开关元件之上;第2开关元件,其层叠在第2导电板之上;第3导电板,其设置在第2开关元件之上;以及第1控制端子和第2控制端子。各开关元件使用碳化硅而构成。在第2导电板的第2下侧导电板面设置有从该第2下侧导电板面向第1元件上表面突出且与第1上侧电极接合的凸部。

    冷却装置
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102751250B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201210114876.X

    申请日:2012-04-18

    Inventor: 西槙介 森昌吾

    CPC classification number: H01L23/473 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种冷却装置,其包括基部、连接至基部的第一发热件和第二发热件、形成在基部中的第一通道和第二通道、以及布置在基部中的分隔壁。液体制冷剂流经第一通道和第二通道以便分别冷却第一发热件和第二发热件。第一通道和第二通道在基部中通过分隔壁上下层叠。分隔壁包括第一区域和第二区域,第一区域敞开以允许第一通道中的液体制冷剂流动至第二通道,第二区域位于第一区域侧面以允许第一通道中的液体制冷剂朝向第一通道的下游端流动。第一区域形成为使得第一区域的开口面积大于第一通道的开口面积。

    半导体装置
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102163585B

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201110057688.3

    申请日:2009-07-03

    Abstract: 公开一种半导体装置,包括:绝缘基板;第一金属板,其接合至绝缘基板的第一表面;半导体元件,其接合至第一金属板;第二金属板,其接合至绝缘基板的第二表面;和散热件,用于冷却半导体元件,散热件包括壳体部分和位于壳体部分中的多个间隔壁,间隔壁限定多个冷却介质通道,壳体部分具有面对第二金属板的表面,每个间隔壁均包括面对第二金属板的第一末端以及与第一末端相反的第二末端,间隔壁包括第一间隔壁和第二间隔壁,在第一和第二间隔壁中,至少一个或多个第一间隔壁穿过壳体部分中对应于接合区域的区域,并且只有一个或多个第二间隔壁穿过壳体部分中对应于非接合区域的区域。

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