公开(公告)号：CN101064247A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100936.1

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  神保安弘 ,  小路博信 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L21/7806 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13613 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。

公开(公告)号：CN1734776A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091032.8

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小路博信 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  本田达也 ,  藤井严 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。

公开(公告)号：CN1734736A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091030.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  本田达也 ,  小路博信 ,  中村理 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。