公开(公告)号：CN1428655A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02155765.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70408 ,  G03H1/0406 ,  G03H2001/0094

Abstract: 本发明提出一种制作全像光罩的曝光方法，在全像光罩的制作中，使移相光罩的信息容易地记录在全像材料上。本发明的制作全像光罩的曝光方法，是在接续第1次曝光的第2次曝光中，使用经由第2个原版光罩而照射在全像材料的第2物体光，以及不经由第2个原版光罩而照射在全像材料的第2参照光；并且在从光源到全像材料的光程的任意位置中，改变第2相位差，使第1物体光与第1参照光之间的第1相位差，以及第2物体光与第2参照光之间的第2相位差不同，并将第2个原版光罩的光穿透遮蔽图案，曝光在全像材料上。

公开(公告)号：CN101442000B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810188143.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 小川裕之 ,  秋田典孝 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  十文字正之 ,  松村正清

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L23/544 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。

公开(公告)号：CN101442000A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810188143.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 小川裕之 ,  秋田典孝 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  十文字正之 ,  松村正清

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L23/544 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。

公开(公告)号：CN101441331A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810188142.X

申请日：2005-08-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 小川裕之 ,  秋田典孝 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  十文字正之 ,  松村正清

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/01 ,  H01L21/268 ,  H01L21/77 ,  H01L23/544 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。

公开(公告)号：CN100442440C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN03104326.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 松村正清 ,  西谷幹彥 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  中野文樹

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/06 ,  B23K26/066 ,  B23K2101/40 ,  C30B1/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016

Abstract: 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的受激准分子激光(excimer laser)1；使从该受激准分子激光1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单晶半导体层10上的投射光学系6；将经过振幅调变过的光设为具有成为结晶生长的起点的光强度的光的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。

公开(公告)号：CN100395866C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200410063523.7

申请日：2004-07-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 松村正清 ,  谷口幸夫

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供结晶装置、结晶方法。本发明的结晶装置具备照明光学系统(2)、以及将来自上述照明光学系统的光束调制成预定光强度分布的移相器(1)，将被光调制的光束照射至多晶半导体膜或非晶质半导体膜(4)来生成晶体半导体膜。上述照明光学系统(2)射出剖面为非圆形状的光束。还在照明光学系统和移相器之间设置回转机构(3)，用于使来自上述照明光学系统的光束和上述移相器以光束的光轴为中心而光学地相对回转。

公开(公告)号：CN101101870A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710096523.0

申请日：2003-10-31

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/06 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G03F7/00 ,  Y10T403/13

Abstract: 一种结晶装置，它包括：掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。

公开(公告)号：CN100352005C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN03809603.X

申请日：2003-03-19

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/904 ,  Y10S117/905 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 一种结晶装置包括照射一块移相掩模版(1)的照明系统(2)和布置在所述移相掩模版和一层半导体膜(4)之间的光学路径中的图像形成光学系统(3)。用具有反向峰值图形部分的光强分布的光束照射所述半导体膜，所述光强分布的光强在对应于移相区的部分中最低以形成结晶半导体膜。该照明系统具有提供给定波长范围的光束的一个光源。所述图像形成光学系统设置成使所述移相掩模版和所述半导体膜光学地共轭，并具有对应于所述给定波长范围的像差，以形成在所述中间部分没有强度隆起的反向峰值图形部分的光强分布。

公开(公告)号：CN100343947C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03158410.1

申请日：2003-09-09

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0734 ,  G02B5/02 ,  G02B5/3083 ,  G03F1/28 ,  G03F1/34 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。

公开(公告)号：CN1322351C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200310104558.6

申请日：2003-10-31

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清

IPC: G02B26/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G03F7/00 ,  Y10T403/13

Abstract: 一种结晶装置，它包括：一掩膜(1)；以及一照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括一个光吸收层(1c)，该吸收层(11c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。