公开(公告)号：CN115674009A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210846351.9

申请日：2022-07-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  赤泽贤一

IPC: B24B37/34 ,  B24B55/00

Abstract: 本发明提供一种不使研磨装置的运转率降低，而可确实进行弹性膜的磨合处理的磨合处理装置及磨合处理方法。磨合处理装置(50)具备：搭载至少包含载体(8)与安装于该载体的弹性膜(10)的弹性膜组件(7)的载台(54)；与搭载于载台的弹性膜组件的弹性膜的最外周部相对的磨合判定模块(57)；向形成于弹性膜的最外周部与载体之间的压力室(14a)供给具有规定压力的加压流体的流体供给装置(60)；及控制磨合判定模块与流体供给装置的动作的控制装置(52)。控制装置基于通过供给至压力室的加压流体而膨胀的弹性膜而施加于磨合判定模块的负荷，来判断弹性膜的磨合处理完成。

公开(公告)号：CN111775043B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202010673067.7

申请日：2016-08-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 篠崎弘行 ,  福岛诚 ,  锅谷治

IPC: B24B37/27 ,  B24B37/34 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种用于适当地处理基板的基板吸附方法、基板保持装置、基板研磨装置、弹性膜、基板保持装置的基板吸附判定方法和压力控制方法。一种基板吸附方法，使基板吸附于顶环，该基板吸附方法包括：抽真空工序，在基板的下表面支承于支承部件、基板的上表面与弹性膜的下表面接触的状态下，对在弹性膜的上表面与顶环主体之间呈同心圆状形成的多个区域中的至少一个区域进行抽真空；流量计测工序，对相比于抽真空的对象区域位于外侧的区域内的气体的流量进行计测；判定工序，基于气体的流量对基板是否已吸附到顶环进行判定；分离工序，在判定为基板吸附到顶环之后，使吸附有基板的弹性膜与支承部件分离。

公开(公告)号：CN112440202A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010869771.X

申请日：2020-08-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 大和田朋子 ,  锅谷治 ,  铃木佑多 ,  富樫真吾

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种辊的异常检测方法及研磨装置，对向保持环传递局部载荷的辊的异常进行检测。其中，使具备头主体(11)和保持环(20)的研磨头(10)旋转，该头主体具有按压基板(W)的按压面(45a)，该保持环被配置为包围按压面(45a)，使固定于保持环(20)且具有多个辊(52)的旋转环(51)与研磨头(10)一同旋转，且一边对配置在旋转环(51)上的静止环施加局部载荷，一边测定用于使研磨头(10)旋转的转矩，生成表示用于使研磨头(10)旋转的转矩的测定值与转矩的测定时间的关系的转矩波形，对转矩波形进行傅立叶变换处理而决定转矩波形的频率成分的强度，在决定的频率成分的强度比规定的阈值大时，判断为多个辊(52)中的至少一个存在异常。

公开(公告)号：CN105904335B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201610230339.X

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B37/30 ,  B24B47/22 ,  B24B49/16

Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。

公开(公告)号：CN104625948B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201410640498.8

申请日：2014-11-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山木晓 ,  安田穗积 ,  并木计介 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾

IPC: B24B37/32 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  H01L21/687

Abstract: 一种基板保持装置(1)，具有：对基板(W)进行保持的顶环主体(10)；以及保持环(40)，该保持环(40)配置成包围保持在顶环主体(10)上的基板(W)，保持环(40)具有与研磨垫(2)接触的环状的垫按压部(122)，垫按压部(122)具有3mm以上、7.5mm以下的宽度。采用本发明，即使是连续对多个基板进行研磨的情况下，也可防止基板的边缘部处的研磨速率上升。

公开(公告)号：CN104669107B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201410708369.8

申请日：2014-11-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 篠崎弘行 ,  高桥信行 ,  丸山彻 ,  作川卓 ,  锅谷治

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供能够稳定地控制顶环的压力室内的压力的研磨装置。研磨装置具备用于支承研磨垫的能够旋转的研磨工作台(1)、具有用于将基板按压于研磨垫(1)的压力室(10)的能够旋转的顶环(5)、控制压力室(10)内的气体的压力的压力调节器(15)、及设于压力室(10)与压力调节器(15)之间的缓冲罐(40)。压力调节器(15)具备压力控制阀(16)、测量该压力控制阀(16)的下游侧的气体的压力的压力计(17)、及以使压力室(10)内的压力的目标值与由该压力计测量出的压力值的差最小的方式控制压力控制阀(16)的动作的阀控制部(25)。

公开(公告)号：CN103447939B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310216923.6

申请日：2013-05-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  富樫真吾 ,  山木晓

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  B24B37/07 ,  B24B37/32 ,  B24B49/16

Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置（1），具有将基板W相对研磨面（2a）按压的基板保持面（45a）以及配置为包围基板W且与研磨面（2a）接触的保持环（40）；旋转机构（13），使基板保持装置（1）以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构（110），向保持环（40）的一部分施加局部负荷。保持环（40）能够和基板保持面（45a）独立地倾斜运动，局部负荷施加机构（110）不和基板保持装置（1）一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。

公开(公告)号：CN107186617A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710150426.9

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 矶野慎太郎 ,  安田穗积 ,  并木计介 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾 ,  山木晓

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够恰当地处理基板的基板研磨方法、基板研磨装置以及用于那样的基板研磨装置的顶环。本发明提供一种基板研磨方法，具备如下工序：输送工序(S2)，在该输送工序(S2)中，利用弹性膜的第一区域吸附基板而将该基板向研磨垫上输送；研磨工序(S4)，在该研磨工序(S4)中，使所述基板与所述研磨垫接触而对所述基板进行研磨；以及提离工序(S6)，在该提离工序(S6)中，利用所述弹性膜的比所述第一区域宽的第二区域吸附所述基板而将所述基板从所述研磨垫提离。

公开(公告)号：CN104044057B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410104150.7

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/02

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B47/22 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

Abstract: 抛光设备（1）具有抛光垫（22）、用于夹持半导体晶片（W）的顶环（20）、可操作地沿垂直方向移动顶环（20）的垂直运动机构（24）、当顶环（20）的下表面接触抛光垫（22）时可操作地检测顶环（20）的距离测量传感器（46）、可操作地基于距离测量传感器（46）检测到的位置计算顶环（20）抛光半导体晶片（W）的最佳位置的控制器（47）。垂直运动机构（24）包括可操作地将顶环（20）移动到最佳位置的滚珠丝杆机构（30，32，38，42）。

公开(公告)号：CN103252714B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310158460.2

申请日：2008-10-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  安田穗积 ,  斋藤康二 ,  福岛诚

IPC: B24B37/32

CPC classification number: B24B37/32

Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。