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公开(公告)号:CN101398611A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200810161087.5
申请日:2008-09-26
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种灰色调掩模板,其用于根据部位选择性地减少对被复制体的曝光光线的照射量,并在被复制体上形成包含残膜值不同的部分的所希望的复制图案的灰色调掩模的制造中使用,该灰色调掩模板在透明基板上具有半透光膜和遮光膜,半透光膜在基板面内至少形成掩模图案的区域内的曝光光线透过率的分布在4.0%以内。通过在该掩模板上实施规定的构图,形成遮光部、透光部、由半透光膜构成的半透光部,由此得到灰色调掩模。
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公开(公告)号:CN101346664A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200680049390.5
申请日:2006-12-26
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/50
Abstract: 本发明提供适合多色波曝光的FPD用大型掩模及掩模坯料。该掩模坯料用于制造在透光性基板上至少具有灰色调掩模用半透光性膜的FPD设备,该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的功能,其特征在于,所述灰色调掩模用半透光性膜是在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区域中,半透光性膜的透过率(即半透过率)的变动幅度被控制在不足5%的范围内的膜。
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公开(公告)号:CN101344720A
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200810214719.X
申请日:2008-07-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种灰阶掩模(20)的缺陷修正方法,该灰阶掩模具有遮光部(21)、透光部(22)和半透光部(23),该半透光部将掩模(20)使用时所使用的曝光光的透射量降低规定量,半透光部(23)包括半透光膜(26),该方法具有:在半透光部(23)确定缺陷区域的工序;和在缺陷区域形成不同于半透光膜的组成的修正膜(27)的工序。在该修正膜形成工序中,预先把握相对规定波长的曝光光的修正膜的光透射率特性,根据所把握的修正膜的光透射率特性,适用相对规定波长的曝光光的修正膜(27)的光透射率与半透光膜(26)的大致相等的条件。
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公开(公告)号:CN101025565A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710006327.X
申请日:2007-02-02
Applicant: HOYA株式会社
Inventor: 佐野道明
IPC: G03F1/14 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的缺陷修正方法具有遮断曝光光线的遮光部、透过曝光光线的透光部、减少曝光光线的透过量的灰色调部的,适用于在被复制体上形成膜厚逐步或连续式变异的抗蚀剂图案的灰色调掩膜。在此缺陷修正方法中,上述灰色调部由半透光膜形成。此缺陷修正方法包括在上述灰色调部中确定发生脱落缺陷的待修正区域的工序,在此待修正区域中形成能用来获得与上述灰色调部中正常灰色调部分有相同灰色调效果的精细图案状的修正用遮光膜的工序。
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公开(公告)号:CN101025564A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710084136.5
申请日:2007-02-16
Applicant: HOYA株式会社
Inventor: 佐野道明
IPC: G03F1/08 , G03F1/00 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 根据本发明的制造方法,以指定的顺序在透明衬底上形成第一光半透射膜和遮光膜,其由每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的材料制成,并且在所述遮光膜上形成有第二光半透射膜,其优选由能够通过与遮光膜的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成。因此,通过每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜和每个都没有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜的组合,可以以减少的采用光刻的写入次数来制造四级光掩模。
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公开(公告)号:CN101013270A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200710008399.8
申请日:2007-01-29
Applicant: HOYA株式会社
Inventor: 佐野道明
IPC: G03F7/20 , B65D85/30 , B65D81/02 , B65D85/48 , B65D6/02 , B65D77/26 , B65G49/05 , B65G49/07 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/027 , H01L21/00
Abstract: 根据本发明的光掩模衬底容器单元用于运输和/或存储光掩模衬底,并包括:壳体,所述壳体用于在其内容纳所述光掩模衬底;和保持部件,所述保持部件以预定倾斜角度的倾斜姿势保持所述光掩模衬底。相较于适于垂直保持光掩模衬底的纵向类型光掩模衬底容器单元,所述光掩模衬底容器单元可以在高度上减小。由此,根据本发明的光掩模衬底容器单元不仅可以便于光掩模衬底容器单元的运输/存储,而且也可以克服运输方法受到限制的缺点。
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公开(公告)号:CN1577085A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410062541.3
申请日:2004-06-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 一种可以制造高质量的TFT的半色调膜类型的灰调掩模的制造方法及灰调掩模。一种具有遮光部、透光部和半透光部的灰调掩模的制造方法,具有下述工序:准备在透明基板(21)上依次形成了半透光膜(22)和遮光膜(23)的掩模坯;在掩模坯上形成与遮光部对应的区域的抗蚀图案(24a),通过将该抗蚀图案(24a)作为掩模来蚀刻遮光膜(23),在半透光膜(22)上形成遮光部;其次,在至少包含半透光部的区域中形成抗蚀图案(24b),通过把该抗蚀图案(24b)作为掩模来蚀刻半透光膜(22),形成半透光部和透光部。
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