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公开(公告)号:CN119730513A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411977482.6
申请日:2024-12-31
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H10H20/858 , F21V29/70 , F21V29/503 , F21K9/20 , H10H20/857 , H10H20/85 , H10H20/01 , H05K1/02 , H05K1/18 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种直贴热沉的LED模组及制作方法,LED模组包括热沉装置、PCB板和LED光源;PCB板和LED光源设于热沉装置,PCB板具有半孔槽部,LED光源处于半孔槽部内,PCB板的半孔槽部的槽壁面设有PCB侧面焊盘,LED光源设有LED侧面焊盘,PCB侧面焊盘与LED侧面焊盘之间设有锡膏焊接层,LED光源与半孔槽部之间设有防导通绝缘层。其结构提高了PCB板与LED光源之间连接的可靠性,LED光源与热沉装置直接贴附,缩短了LED光源的热源导热路径,极大减小LED光源的热集聚。
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公开(公告)号:CN119730511A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411855922.0
申请日:2024-12-17
Applicant: 徐州立羽高科技有限责任公司
IPC: H10H20/855 , H10H20/01
Abstract: 本申请涉及一种UVC LED及其制备方法,该UVC LED包括:封装基板;发光芯片,设置于所述封装基板上;透镜,设置于所述发光芯片背离所述封装基板的一侧;填充层,设置于所述发光芯片和所述透镜之间,且所述填充层的两侧分别与所述发光芯片和所述透镜贴合,所述填充层的材料包括氟树脂和石英。本申请通过在发光芯片与透镜之间设置一层填充层,填充层材料包括氟树脂和石英,并使填充层的两侧分别与发光芯片和透镜贴合,从而可以提升发光芯片与透镜之间的折射率,进而降低发光芯片与透镜之间的光传导损耗,提升出光率。
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公开(公告)号:CN119730505A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411566588.7
申请日:2024-11-05
Applicant: 京东方华灿光电(苏州)有限公司
IPC: H10H20/84 , H10H20/855 , H10H20/01
Abstract: 本公开提供了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括依次叠设的衬底、键合层和外延层;键合层的折射率大于或者等于衬底的折射率。本公开可以提高倒装发光二极管芯片的发光角度。
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公开(公告)号:CN119730495A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411846734.1
申请日:2024-12-16
Applicant: 江西兆驰半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管芯片包括衬底,依次层叠于衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层,所述P型半导体层上依次层叠有透明导电层和P型电极;所述N型半导体层上开设有台阶部,所述台阶部上设有N型电极;所述发光二极管芯片还包括钝化层,其覆盖裸露的P型半导体层、透明导电层、P型电极、台阶部和N型电极,并在P型电极和N型电极的上方设置有用于电连接的开孔;所述P型电极和所述N型电极的顶层均设有黏附层,所述黏附层为Ti层,其厚度#imgabs0#实施本发明,可提升发光二极管芯片的可靠性。
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公开(公告)号:CN119730485A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411825271.0
申请日:2024-12-11
Applicant: 深圳市洲明科技股份有限公司
IPC: H10H20/01 , G09F9/33 , H10H20/852 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开一种模压机构、显示模组及模组灯板的封装方法,其中,模组灯板的封装方法包括以下步骤:提供模压机构和第一灯板雏形,将第一灯板雏形的灯面朝下置于下模芯上,并使得第一灯板雏形的灯面抵接柔性接触区域;提供黑色模压胶水,将黑色模压胶水注入第一灯板雏形的灯面与柔性接触区域之间,并通过合模模组对第一灯板雏形进行预设模压操作,使得第一灯板雏形的灯珠之间的间隙均形成有厚度小于或等于灯珠的高度的黑色模压胶层,以得到第二灯板雏形;提供黑色功能膜,将黑色功能膜贴设于第二灯板雏形的灯面,以得到目标模组灯板。本技术方案,其模组灯板的灯面可同时很好地兼顾透光率和对比度的需求。
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公开(公告)号:CN119716494A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202510216462.5
申请日:2025-02-26
Applicant: 上海聚跃检测技术有限公司
Inventor: 尚跃
Abstract: 本申请提出了一种氮化镓半导体芯片封装调试参数检测装置及方法,针对Micro‑LED显示技术中传统显示电压值测试方法存在的准确性要求高且不够直观的问题进行了改进。该方法通过特制的检测装置,传入不同色彩度的纯色测试数据,观察并记录在这些测试数据驱动下能够点亮的LED芯片数量的最大值,从而直接计算出对应的显示电压值。这一创新不仅简化了测试流程,降低了亮度测试的准确性要求,而且提高了测试的直观性和可靠性。本申请为Micro‑LED显示技术的生产和质量控制提供了高效、便捷的测试手段。
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公开(公告)号:CN119702341A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411824038.0
申请日:2024-12-12
Applicant: 苏州弘磊光电有限公司
Abstract: 本发明涉及点胶设备,具体地说,涉及一种LED灯珠、用于灯珠封装的点胶设备及方法,点胶设备包括胶泵,胶泵上设置跟随胶泵进行横向移动的清理组件,清理组件包括固设在胶泵上的下夹板,下夹板上滑动设置有上夹板,下夹板和上夹板上设置有若干的齿牙,若干齿牙之间形成有豁口;固定板两侧对称设置有安装板,其中一安装板上设置有波浪板,上夹板一侧与其相贴合,另一侧上夹板上设置有弹性伸缩组件,弹性伸缩组件与另一安装板滑动连接;横向一排灯珠点胶完之后胶泵带动下夹板移向下一排,上夹板在波浪板上呈波浪式横向往复运动。
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公开(公告)号:CN114462610B
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202210153425.0
申请日:2022-02-18
Applicant: 深圳京鲁计算科学应用研究院
IPC: G06N10/00 , H10H20/811 , H10H20/01 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种单分子光电器件的电致发光光谱检测方法、装置、设备及存储介质,单分子光电器件的电致发光光谱检测方法包括:对器件进行包含原子细节的结构建模;对原子模型进行电动力学分析,得到光子的第一非平衡格林函数;对器件的原子模型施加偏压,得到电子的第二非平衡格林函数;对原子模型引入光电相互作用,确定光电相互作用下光子的第三非平衡格林函数和电子的第四非平衡格林函数;利用戴森方程自洽求解,得到光子的第五非平衡格林函数和电子的第六非平衡格林函数,进而得到器件的电致发光光谱。本发明涉及纳米光子学领域,能够描述具有原子级精度的器件结构,且考虑单分子器件自身的光学性质,可得到精确的单分子器件的发光光谱。
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公开(公告)号:CN119698148A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202510218257.2
申请日:2025-02-26
Applicant: 华引芯(张家港)半导体有限公司 , 华引芯(武汉)科技有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 本申请提供一种倒装LED芯片及其制备方法,制备方法包括:在图形化的外延层上形成图形化的剥离层;在图形化的剥离层上形成图形化的界面改善层,其中,图形化的界面改善层包括多个界面改善块,在界面改善层远离剥离层的方向上,界面改善块的截面宽度逐渐增大;在图形化的外延层和图形化的界面改善层上形成反射层,其中,图形化的界面改善层上的反射层与图形化的外延层上的反射层间隔设置,反射层为布拉格反射器;对图形化的剥离层进行腐蚀处理,以使图形化的界面改善层连同图形化的界面改善层上的反射层,从图形化的外延层上剥离。本申请提供的倒装LED芯片的制备方法成本低廉,反射层的反射效果好,倒装LED芯片的发光性能和稳定性佳。
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公开(公告)号:CN119698143A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202410259200.2
申请日:2024-03-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 菅原秀人
IPC: H10H20/84 , H10H20/01 , H10H20/819
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包含发光层、半导体基板和多层膜部。上述半导体基板包含立方晶的砷化镓(GaAs)。上述半导体基板具有基板下表面和基板上表面。上述基板上表面位于上述发光层与上述基板下表面之间,相对于上述立方晶的(100)面倾斜。上述多层膜部包含第1层和第2层。上述第1层位于上述基板上表面与上述发光层之间,具有沿着上述基板上表面而延伸的第1面。上述第2层位于上述第1面与上述发光层之间,与上述第1面相接触,具有和与第1面相接触的面相反侧的第2面。上述第2面的凹凸大于上述第1面的凹凸。来自上述发光层的光在上述多层膜部中通过后被放射。
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