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公开(公告)号：CN117735493A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311761496.X
申请日：2023-12-20
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
IPC: C01B19/04
Abstract: 本申请提供了一种ZnSe粉末的制备方法，其包括以下步骤：(1)将Zn粉和Se粉混合均匀得到混合粉末，Zn粉和Se粉的摩尔比为1:1至1:1.3；(2)将混合粉末进行热处理得到中间产物，热处理的真空度为10‑1Pa至10‑2Pa、温度为300℃至380℃、时间为180min至300min；(3)将中间产物研磨，然后进行退火处理得到ZnSe粉末，退火处理的真空度为10‑1Pa至10‑2Pa、温度为600℃至700℃、时间为60min至100min。本申请提供的制备方法，热处理和退火处理的温度较低且时间短，有利于缩短ZnSe粉末的生产周期并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117265649A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311248824.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，采用氮化铝高温胶进行粘接，在高温烧结排气过程中，形成“中心区域温度高，外围区域温度低”的径向温度梯度，有利于中心区域的氮化铝高温胶先到反应温度点进行排气，随着温度的再升高，中心区域排气结束，然后外围区域到达反应温度点进行排气，有效解决了中心区域易形成空气夹层导致氮化铝籽晶背向蒸发的问题。进一步地，在氮化铝籽晶背面镀高温难熔金属膜处理，可有效减少氮化铝籽晶背向蒸发的问题；在氮化铝籽晶的高温难熔金属膜与籽晶托之间粘接难熔金属箔作为缓冲层，利于减小氮化铝籽晶与籽晶托之间的应力。通过本申请的方法，可以提高氮化铝籽晶粘接的成品率，以获得高质量氮化铝单晶。
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公开(公告)号：CN112363330B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202011256771.9
申请日：2020-11-11
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双晶电光开关组装系统、组装方法及双晶电光开关，通过激光正交锥光干涉法进行开关组装，与现有的光点回原技术进行开关组装的方案相比，该方法中光束通过整个晶体面积产生干涉条纹，其十字中心的最亮和最暗是晶体中包含缺陷等所有光干涉因素的综合反映，且由于其较直观，微调比较方便，因而具有直观、简单和高效的优点。同时，由于调试的直观性，从干涉十字叉丝的形状和对比度可以初步判断开关的最终性能，从而在组装前将不合格的配对晶体器件得以替换，这样在晶体动态配对的情况下，该方法组装成功率高，所制作的开关电光性能好，且消光比高。
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公开(公告)号：CN116692930A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310790388.9
申请日：2023-06-30
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种纳米硫化锌粉体的制备方法及其产品，其包括：将硫粉和锌粉分别装入第一坩埚和第二坩埚，第一坩埚和第二坩埚分别放入化学气相沉积炉的不同炉体中，将陶瓷沉积腔放入化学气相沉积炉的沉积区域炉体中，对化学气相沉积炉抽真空至真空度小于或等于400Pa；室温条件下，将盛放第一坩埚的炉体以5‑10℃/min的速率升温至300‑350℃，将盛放第二坩埚的炉体以20‑30℃/min的速率升温至550‑650℃，将沉积区域炉体以25‑35℃/min的速率升温至580‑680℃；待各炉体均升温到预定温度并保温8h至10h后，向第一坩埚通入载硫气，向第二坩埚通入载锌气；当反应完成后，直接关闭各炉体电源，降温后开炉收集纳米硫化锌粉体。得到的纳米硫化锌粉体纯度高、外观为白色且尺寸均一。
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公开(公告)号：CN116553928A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310381212.8
申请日：2023-04-11
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B35/645 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供了一种PMNT靶材的制备方法，包括：获得MNT前驱体；将MNT前驱体与PbO混合并进行高温处理，获得PMNT粉体；将PMNT粉体进行球磨、造粒、过筛、冷等静压成型、排胶、热压烧结处理，获得PMNT靶材。本申请提供的制备方法可以得到微观结构均匀、致密度高、纯度高的PMNT靶材，特别是可以获得大尺寸高质量的PMNT靶材，从而提高PMNT薄膜产品的成品率，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115094519A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210842622.3
申请日：2022-07-18
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种弛豫铁电单晶生长用原料的制备方法，包括：根据化学组成，按比例称取所需的TiO2、MgO、Nb2O5，并混合均匀，获得MNT原料；将MNT原料通过熔融、水淬，获得MNT熔块；根据所述化学组成，将MNT熔块与过量的PbO球磨混合，干燥后形成混合粉体；将混合粉体进行烧结处理，形成所述弛豫铁电单晶生长用原料。本申请提供的弛豫铁电单晶生长用原料的制备方法，通过熔融、水淬法合成了MNT熔块，MNT熔块与氧化铅可在较低的温度下发生化学反应，可以避免高温下PbO挥发带来的组分偏离，进而有利于生长形成高质量的弛豫铁电单晶。
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公开(公告)号：CN114892260A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210519660.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种弛豫铁电单晶材料晶体生长装置及制备方法，包括坩埚和炉体，炉体包括保温侧壁和设置在保温侧壁上的加热组件，保温侧壁限定出炉体内腔，加热组件包括第一加热构件、第二加热构件和第三加热构件，第一加热构件位于第二加热构件的上方，第二加热构件位于第三加热构件的上方，第一加热构件的加热温度大于第二加热构件的加热温度，第二加热构件的加热温度大于第三加热构件的加热温度，以使炉体内腔由上至下形成高温加热区、中温加热区和低温加热区；坩埚以可升降的方式设置在炉体内腔中。采用坩埚下降法实现晶体生长，加热构件温度梯度配合坩埚的下降速度，实现晶体的稳定生长，有效降低晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN113774476A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111086174.0
申请日：2021-09-16
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种电阻加热的物理气相传输法单晶生长炉，包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉底和炉盖；位于炉体内部的保温层结构，包括圆筒形侧周保温层、下保温层和上保温层；位于保温层结构内部的电阻加热器结构，包括侧周加热器、底部加热器和顶部加热器；位于电阻加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体内中下部装有单晶生长的原料，坩埚盖内表面上固定有籽晶；底部加热器位于坩埚本体底部与下保温层之间，并与坩埚本体底部同轴，顶部加热器位于坩埚盖与上保温层之间，并与坩埚盖同轴；多个测温点，包括顶部测温点、底部测温点和侧壁测温点。可以更精确地测量和灵活调控原料和晶体的温度，提高了晶体的生长质量和原料的利用率。
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公开(公告)号：CN112391679A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910757109.2
申请日：2019-08-16
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铈离子掺杂钆镓铝石榴石闪烁晶体生长的装置及工艺，操作简单，通过所述工艺中各步骤的有效设计，使所得晶体长度一般为80‑200mm，完整性很好，无螺旋、晶体开裂等现象，且晶体内部无明显位错、偏析、夹杂物等缺陷，且沿晶体生长方向，在晶体毛坯上每隔20mm切割成所需晶块(或晶棒)样品，经过研磨、抛光后进行晶体的方向性和闪烁性能检测可知，所得晶体性能优异且一致性好，这对于该类晶体而言是技术上的重大创新。由于所得晶体，完整、性能优异且一致性好，故可将其应用于高能粒子探测、核物理、核医学成像、安检、工业探测任一领域的探测器件。
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公开(公告)号：CN119341495A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310888430.0
申请日：2023-07-19
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种复合基板及其制备方法，复合基板包括压电基板和支撑基板，支撑基板选自镁铝尖晶石单晶晶圆，压电基板的下表面与支撑基板的上表面键合，镁铝尖晶石单晶晶圆的上表面的PV值为2nm‑30nm。复合基板的制备方法包括：将镁铝尖晶石单晶进行切割、外形加工、粗磨、精磨和抛光，获得镁铝尖晶石单晶晶圆；获得抛光后的压电晶体晶圆；将上述镁铝尖晶石单晶晶圆的上表面和抛光后的压电晶体晶圆的下表面进行表面处理，然后进行键合，获得复合基板。本申请提供的复合基板满足上述特征，能够降低复合基板的加工难度，减小复合基板的加工成本和材料成本、改善复合基板的质量一致性和加工性能，提高成品率和产率。
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