-
公开(公告)号：CN108604735A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780011235.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第二电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板和缝隙基板之间；反射导电板(65)；缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙(57)，至少在排列所述天线单位(U)的区域中，所述第二电介质基板(51)的厚度小于所述第一电介质基板(1)的厚度。
-
公开(公告)号：CN108352138A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680061839.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/1333
Abstract: 阵列基板11b包括：多个输入端子部28；第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20，使第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a配设于多个输入端子部28与显示区域AA之间；多个端子布线部29，配设于第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20的上层侧而跨越第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a并且与多个输入端子部28连接；第二平坦化膜22，其配设于多个端子布线部29的上层侧且第二平坦化膜端部22a配设于比第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a靠输入端子部28侧；以及多个保护部30，配设于第二平坦化膜22的上层侧而分别覆盖多个端子布线部29中的与第二平坦化膜22非重叠的部分。
-
公开(公告)号：CN108140946A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059376.7
申请日：2016-10-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线(1000B)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)～(1000Bd)贴合的拼接结构，多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分，多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处，包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。
-
公开(公告)号：CN104094386B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380007483.1
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , G02F1/136213 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , G02F2201/50 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104094409B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201380007460.0
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
-
公开(公告)号：CN104205341A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380018474.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/124 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/32051 , H01L21/76823 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/1225 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。
-
公开(公告)号：CN102483540B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080037146.3
申请日：2010-06-02
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 中泽淳
IPC: G02F1/1335 , G02B5/20 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133371 , G02F1/133555 , G02F2001/13373 , G02F2001/136222
Abstract: 在反射区域与透过区域之间的区域即边界区域中，上述反射区域的着色层(20)和绝缘层(21)以及上述透过区域的着色层(20)，以将延伸至上述边界区域的反射电极层(19)的一个端部的上表面和侧面露出的方式形成。因此，能够实现具有提高了反射区域的色再现性和反射特性的COA结构的半透过型的液晶显示面板。
-
公开(公告)号：CN103250255A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180057894.2
申请日：2011-11-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 中泽淳
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/417 , H05B33/02
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136213 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/7869
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置(100)为具有薄膜晶体管(10)的半导体装置，该半导体装置包括：薄膜晶体管(10)的栅极电极(12)；形成在栅极电极(12)之上的栅极绝缘层(13)；配置在栅极绝缘层(13)之上的氧化物半导体层(15)；和形成在氧化物半导体层(15)之上的源极电极(17)和漏极电极(18)。从与半导体装置(100)的基板面垂直的方向看时，源极电极(17)或漏极电极(18)将栅极电极(12)的边缘与氧化物半导体层(15)的边缘交叉的多个部位中的至少一个部位覆盖。
-
公开(公告)号：CN102483540A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037146.3
申请日：2010-06-02
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 中泽淳
IPC: G02F1/1335 , G02B5/20 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133371 , G02F1/133555 , G02F2001/13373 , G02F2001/136222
Abstract: 在反射区域与透过区域之间的区域即边界区域中，上述反射区域的着色层(20)和绝缘层(21)以及上述透过区域的着色层(20)，以将延伸至上述边界区域的反射电极层(19)的一个端部的上表面和侧面露出的方式形成。因此，能够实现具有提高了反射区域的色再现性和反射特性的COA结构的半透过型的液晶显示面板。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.032 seconds)
