公开(公告)号：CN110494798B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201880022067.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  伊藤俊克 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  西宫节治 ,  大东彻

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 提供一种既抑制像素缺陷的产生又高清晰的有源矩阵基板。其具备：第1半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的一个子像素对应；第2半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的另一个子像素对应；晶体管，其将上述第1半导体膜的一部分作为行方向上的沟道；以及像素电极，其经由接触孔连接到上述晶体管的漏极电极，在俯视时，从上述沟道的漏极电极侧边缘到上述接触孔的底面为止的行方向上的距离(dc)为行方向上的子像素间距(dp)的0.15倍以上。

公开(公告)号：CN113345914A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110227439.8

申请日：2021-03-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  大东彻 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  原健吾 ,  高畑仁志

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 有源矩阵基板具有多个像素区域，其包括基板、与各像素区域对应设置的像素TFT以及与像素TFT电连接的像素电极。像素TFT为具有氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层和以隔着栅极绝缘层与氧化物半导体层相对的方式配置的栅极的顶栅结构TFT。栅极绝缘层由氧化硅形成。栅极绝缘层包括与氧化物半导体层接触的下层和位于下层之上的上层。下层所含的氢相对于氮的原子数比即下层H/N比为1.5以上且5.0以下。上层所含的氢相对于氮的原子数比即上层H/N比为0.9以上且2.0以下。下层H/N比大于上层H/N比。

公开(公告)号：CN110320712A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910238559.0

申请日：2019-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  近间义雅 ,  平田义晴 ,  今井元 ,  大东彻

IPC: G02F1/1339

Abstract: 本发明提供一种确保承重力，并且抑制开口率降低的液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置的制造方法包含如下工序：工序(A-1)，在具有薄膜晶体管元件的第一基板的表面上涂布负性光刻胶，而形成第一涂膜；工序(A-2)，对上述第一涂膜在曝光图案处进行曝光，上述曝光图案包含第一曝光区域、以及曝光量设为小于上述第一曝光区域的曝光量的第二曝光区域；工序(A-3)，将上述第一涂膜显影，而在上述第一曝光区域形成第一空间件，并且在上述第二曝光区域形成具有高度小于上述第一空间件的高度的第二空间件。

公开(公告)号：CN110310960A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910210031.2

申请日：2019-03-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  北川英树 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  平田义晴 ,  菊池哲郞 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管包括：栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9)，栅极电极(3)形成在栅极金属层内，且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL，栅极金属层具有层叠构造，该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2)，铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成，添加金属元素包含Al，铜合金中的Al的含有量为2at％以上且为8at％以下。

公开(公告)号：CN109786468A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811344315.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  原健吾

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78648

Abstract: 提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其具有包含沟道氧化物半导体层和保护氧化物半导体层的层叠结构，沟道氧化物半导体层配置在比保护氧化物半导体层靠基板侧；上部栅极电极，其隔着上部绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第1和第2电极，其电连接到氧化物半导体层，还具有至少贯通层间绝缘层和保护氧化物半导体层并且使沟道氧化物半导体层的一部分露出的第1开口部，第1电极配置在层间绝缘层上和第1开口部内，在第1开口部内与沟道氧化物半导体层的一部分直接接触。

公开(公告)号：CN109659311A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811177093.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西宫节治 ,  大东彻 ,  今井元 ,  铃木正彦 ,  菊池哲郞 ,  上田辉幸 ,  原健吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 能够利用简单的步骤制造出能够应对显示图像的高分辨率的阵列基板。将阵列基板(1)设为具备叠层结构的构成，所述叠层结构包含：由旋涂玻璃材料构成的旋涂玻璃层(12)，配设于旋涂玻璃层(12)的下侧(液晶层的相反侧)的第一栅极布线(第一布线)(11)，以及以俯视阵列基板(1)时与第一栅极重叠的方式配设于旋涂玻璃层(12)的上侧(液晶层侧)的第二栅极布线(第二布线)。阵列基板(1)中，第一栅极布线(11)具有由铜构成的含铜层(M12)、及由钛构成的金属上层(M13)，金属上层(M13)叠层于含铜层(M12)的上侧且配置于含铜层(M12)与旋涂玻璃层(12)之间。

公开(公告)号：CN109599435A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811148550.2

申请日：2018-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种薄膜晶体管，进一步增大漏极电流。TFT(10)具备：沟道部(15)，其包括半导体材料；源极电极(13)，其连接到沟道部(15)的一端侧；漏极电极(14)，其连接到沟道部(15)的另一端侧；上层侧栅极电极(11)，其在沟道部(15)的上层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；下层侧栅极电极(12)，其在沟道部(15)的下层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；上层侧栅极绝缘膜(16)，其配置为介于上层侧栅极电极(11)与沟道部(15)之间；以及下层侧栅极绝缘膜(17)，其配置为介于下层侧栅极电极(12)与沟道部(15)之间，其膜厚(T1)与上层侧栅极绝缘膜(16)相比相对较大。

公开(公告)号：CN107112365A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070477.X

申请日：2015-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  大东彻 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(10)和薄膜晶体管(5)，其中，所述薄膜晶体管(5)由基板支撑，并包括栅极电极(12)、氧化物半导体层(18)、设置于栅极电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层(20)、以及与氧化物半导体层电性连接的源极电极(14)及漏极电极(16)，漏极电极具有向氧化物半导体层突出的形状，将薄膜晶体管的通道宽度方向上的氧化物半导体层的宽度设为宽度W1，与漏极电极的突出方向正交的方向上的所述漏极电极的宽度设为宽度W2的情况下，宽度W1和所述宽度W2之间满足|W1‑W2|≤1μm的关系，并且，宽度W1及宽度W2为大于等于3μm并小于等于6μm。

公开(公告)号：CN107004603A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN112051690B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202010493248.1

申请日：2020-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 前田昌纪 ,  大东彻 ,  今井元 ,  原义仁 ,  北川英树 ,  川崎达也 ,  上田辉幸 ,  平田义晴

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

Abstract: 一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置，有源矩阵基板具备：源极金属层，其包含源极总线；下部绝缘层，其覆盖源极金属层；顶栅型的氧化物半导体TFT，其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体TFT；像素电极，其设置在层间绝缘层上；共用电极，其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极；栅极金属层，其包含栅极总线和栅极电极；漏极金属层，其包含漏极电极；以及多个触摸传感器用配线，其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极，并且包含于漏极金属层。