MMC子模块压接式IGBT器件动态特性原位检测电路和方法

    公开(公告)号:CN115877255A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211371504.5

    申请日:2022-11-03

    Abstract: 本发明公开了MMC子模块压接式IGBT器件动态特性原位检测电路和方法。该检测电路包括一个直流电源、一个IGBT全桥模块和一个电感,所述IGBT全桥模块包括第一IGBT器件、第二IGBT器件、第三IGBT器件和第四IGBT器件;所述直流电源接于所述第一IGBT器件集电极和第三IGBT器件发射极的两端;所述电感接于所述第二IGBT器件发射极的引出端;所述第三IGBT器件发射极接于MMC子模块的第六IGBT器件发射极,所述第二IGBT器件通过所述电感接于所述MMC子模块的第五IGBT器件发射极,所述MMC子模块包括第三IGBT半桥电路和与所述第三IGBT半桥电路并联连接的电容,所述第三IGBT半桥电路由第五IGBT器件和第六IGBT器件串联得到。本发明技术方案实现了在不破坏MMC子模块封装的条件下,对所述MMC子模块进行多脉冲测试。

    一种非对称配置的焊接式半桥模块

    公开(公告)号:CN115513202A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211244020.4

    申请日:2022-10-11

    Abstract: 本发明提供了一种非对称配置的焊接式半桥模块,其用于第一非对称电流工况下,在第一非对称电流工况中,流过上桥臂的FRD模块的电流大于流过上桥臂的IGBT模块的电流;其上桥臂包括IGBT模块和FRD模块,IGBT模块包括若干个并联连接的IGBT芯片,FRD模块包括若干个并联连接的FRD芯片;其中,FRD芯片的数量大于IGBT芯片的数量;其下桥臂包括若干个并联连接的RC‑IGBT芯片;其中,RC‑IGBT芯片是由IGBT和续流二极管进行内部集成的芯片。本发明根据不同的非对称电流工况,在综合考虑芯片结温和芯片面积利用率的情况下,配置得到应用于非对称电流工况下的焊接式半桥模块,从而最大程度达到降低芯片结温,增大芯片面积利用率的目的,进而提高了焊接式半桥子模块的可靠性和稳定性。

    一种SiC MMC优化调制的方法及装置
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117318513A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311189619.7

    申请日:2023-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种SiC MMC优化调制的方法及装置。该方法包括:选择Nt个桥臂子模块计算待优化调制的SiC MMC的桥臂电压的参考波,其中,Nt=N/2,N为实际的桥臂子模块数量;对各相电压的参考波放大进行补偿,基于桥臂子模块输出电数量压的参考波对应的子模块数量Nt计算得到各相 N*jo;根据各相对应的子模块数量N*jo进行NLM‑PWM调制,分别得到各相对应的上/下桥臂子模块数量;将上/下桥臂子模块数量分别乘以补偿系数2,并进行再调制得到目标上桥臂子模块数量和目标下桥臂子模块数量;根据计算得到的上/下桥臂子模块数量实时控制其对应的桥臂在每一时刻的子模块数量,以使SiC MMC完成优化调制。实现了SiC MMC高频CMV、电能质量与运行效率的综合优化。

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