公开(公告)号：CN1076510C

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN96116727.0

申请日：1996-12-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本宪彦 ,  佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/48 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器，包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物的介电陶瓷层：(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)0(0.0025≤α≤0.025；0.0025≤β≤0.05；β/α≤4；0.1≤x≤0.50；0≤y≤0.8；0≤z≤0.8；0≤y+z≤0-8；；1.005≤m≤1.035；它以所述主要组分为基准，还含有0.5至5.0摩尔的次要组分氧化镁，以及0.2至3.0份(重量)Li2O-(Si，Ti)O2-Al2O3-ZrO2类氧化物。

公开(公告)号：CN1274931A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN00117674.9

申请日：2000-05-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 水埜嗣伸 ,  中村友幸 ,  佐野晴信

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682

Abstract: 本发明提供了一种非还原介质陶瓷,具有由化学式ABO3表示钙钛矿结构,具有含有钛酸钡作为主要成份的主要结晶相。在25摄氏度或更高的温度,通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系1.000≤c/a≤1.003。较好地,非还原介质陶瓷具有小于－25摄氏度的相转变温度。较好地,非还原介质陶瓷包含至少一种稀土元素。还揭示了包含由根据本发明的非还原介质陶瓷构成的介质陶瓷层的单片陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1249286A

公开(公告)日：2000-04-05

申请号：CN99120872.2

申请日：1999-09-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  水埜嗣伸 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/462 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物,其烧制温度为1300℃或更低;介电常数为200或更高;在高频高压交流电下损耗低,在高电场强度下具有高的绝缘电阻,其性能满足B级和X7R级性能标准;且在高温负荷试验中具有优异的性能。该组合物含有钛酸钡固溶体和多种添加剂,可由式ABO3+aR+bM表示,其中ABO3代表具有钙钛矿结构的钛酸钡固溶体;R代表至少一种金属元素的氧化物;M代表至少另一种金属元素的氧化物;a和b分别代表单一金属氧化物的摩尔比,以及一种烧结添加剂,其中0.950≤A/B(摩尔比)≤1.050,0.12

公开(公告)号：CN1244720A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99110782.9

申请日：1999-08-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本彦 ,  元木智雄 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/008

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电常数为100或更高并在高温负载下的寿命试验中有优良可靠性的改进的抗还原介电陶瓷组合物,和一种用该组合物形成的单块陶瓷电容器。该组合物包括含金属元素M(M:Ca,或Ca和Sr)、Zr和Ti的复合氧化物,以式(Ca1-xSrx)m(Zr1-yTiy)O3表示时，x、y和m满足0≤x

公开(公告)号：CN1171382A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97113832.X

申请日：1997-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: C04B35/50 ,  H01G4/008

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物;氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO2计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:（1－α－β）{BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020;0.0025≤β≤0.04;β/α≤4;0≤X

公开(公告)号：CN101193836B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680020150.2

申请日：2006-05-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 武藤和夫 ,  中村友幸 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷，其中，作为主要成分含有以通式：(Ba1-tCat)m(Ti1-u-xZruCux)O3(其中，0.96≤m≤1.02，0.001≤x≤0.03，0≤t≤0.1，0≤u≤0.06)表示的化合物，且含有Dy等特定的稀土类元素R、Mn等特定的金属元素M、Mg及Si，所述Cu均匀地分散并存在于构成所述主要成分的主相粒子中，且所述各副成分的含量相对于所述主要成分100摩尔份，分别为R：0.1～1.5摩尔份、M：0.1～0.6摩尔份、Mg：0.1～1.5摩尔份、Si：0.1～2.0摩尔份。由此，可以实现高介电常数、温度特性良好、可靠性高且静电电容的经时变化小的层叠陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN101006027B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580028204.5

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 武藤和夫 ,  中村友幸 ,  加藤成 ,  佐野晴信 ,  笹林武久 ,  平松隆

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3+aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中，R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr；而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成；并且0≤x≤0.05，0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08)，0≤z≤0.05，0.990≤m，100.2≤(100m+a)≤102，0.05≤b≤0.5，0.05≤c≤2，0.05≤d≤1.3，0.1≤e≤1.0，0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成，可以制备这样的一种单片陶瓷电容器：即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时，也保持良好的介电特性和温度特性，并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。

公开(公告)号：CN101193836A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020150.2

申请日：2006-05-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 武藤和夫 ,  中村友幸 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷，其中，作为主要成分含有以通式：(Ba1－tCat)m(Ti1－u－xZruCux)O3(其中，0.96≤m≤1.02，0.001≤x≤0.03，0≤t≤0.1，0≤u≤0.06)表示的化合物，且含有Dy等特定的稀土类元素Re、Mn等特定的金属元素M、Mg及Si，所述Cu均匀地分散并存在于构成所述主要成分的主相粒子中，且所述各副成分的含量相对于所述主要成分100摩尔份，分别为Re：0.1～1.5摩尔份、M：0.1～0.6摩尔份、Mg：0.1～1.5摩尔份、Si：0.1～2.0摩尔份。由此，可以实现高介电常数、温度特性良好、可靠性高且静电电容的经时变化小的层叠陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1301517C

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200310118632.X

申请日：2003-11-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  小中宏泰 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 提供一种介电陶瓷，它适于构成在还原性气氛中烧成而得到的叠层陶瓷电容器中介电陶瓷层的介电陶瓷，即使将其薄层化介电常数的温度依存性也不随着薄层化程度而恶化，而且可靠性优良。本发明的介电陶瓷，是以ABO3(A是Ba等，B是Ti等。)作为主要成分并含有稀土元素的一种介电陶瓷，就构成其70%以上的晶粒21而言，观察其断面时，5～70%的截面积，由稀土元素固溶的稀土元素固溶区域所占据，10～80%的断面外周，由稀土元素未固溶的稀土元素非固溶区域所占据。

公开(公告)号：CN1280234C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480000059.5

申请日：2004-01-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈松俊宏 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种用下述步骤得到的介电陶瓷：得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的反应产物，其中，0.995≤k≤1.015，0≤h≤0.03，0≤i≤0.03，0.015≤m≤0.035，0≤y＜0.05，0≤j＜0.05，0≤(y+j)＜0.05，0.015≤n≤0.035；混合Ma(Ba等)、Mb(Mn等)和Mc(Si等)，其中，以100摩尔反应产物计，Ma的含量小于1.5摩尔，Mb的含量小于1.0摩尔，Mc的含量是0.5-2.0摩尔；然后将如此得到的混合物焙烧。这种介电陶瓷具有优异的抗湿性，能够满足JIS标准中的F性能和EIA标准中的Y5V性能，相对介电常数是9000或更大，具有优异的高温可靠性。