公开(公告)号：CN1653597A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03811301.5

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫光彦 ,  安田穗积 ,  粂川正行 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02

CPC classification number: H01L21/02087 ,  B23H5/04 ,  B23H5/08 ,  B24B37/345 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的进给区段(373)；倾斜－刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中进给区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。

公开(公告)号：CN1525900A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02813831.7

申请日：2002-07-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  野路郁太郎 ,  并木计介 ,  安田穗积 ,  儿岛俊市朗 ,  樱井邦彦 ,  高田畅行 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  高柳秀树

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/32

Abstract: 一种基片抛光机，该抛光机包括：抛光表面；基片托架，其保持基片并使其与抛光表面接触。基片托架包括：托架体；基片保持元件，其保持基片，使基片的被抛光表面直接朝向抛光表面。基片保持元件在托架体上的安装方式，使基片保持元件既可以趋向抛光表面运动也可以远离抛光表面运动。基片抛光机还包括基片保持元件定位装置，该装置设置在基片保持元件的侧面，该侧面与基片保持元件保持基片的侧面相反。基片保持元件定位装置具有一种柔性元件，此元件限定了一种室，此室一经引入不可压缩流体，便朝向抛光表面方向扩展。

公开(公告)号：CN115397612B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202180022839.3

申请日：2021-03-10

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  国立大学法人东海国立大学机构 ,  国立大学法人金泽大学

Inventor： 铃木教和 ,  安田穗积 ,  望月宣宏 ,  桥本洋平

IPC: B24B37/005 ,  B24B53/017 ,  H01L21/304

Abstract: 一种工件的化学机械研磨系统、演算系统、及化学机械研磨的模拟模型的制作方法。本发明关于依据化学机械研磨的实测资料，将化学机械研磨的模拟模型最佳化的网络实体系统(CyberPhysicalSystem)。化学机械研磨系统具备：研磨工件(W)的研磨装置(1)；及演算系统(47)。演算系统(47)具有至少包含输出包含研磨工件(W)的推定研磨率的推定研磨物理量的物理模型的模拟模型。演算系统(47)构成为：将研磨工件(W)的研磨条件输入模拟模型，并从模拟模型输出研磨工件(W)的推定研磨物理量，决定使推定研磨物理量接近研磨工件(W)的实测研磨物理量的模拟模型的模型参数。

公开(公告)号：CN113211299A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110153214.2

申请日：2021-02-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高田畅行 ,  安田穗积

IPC: B24B37/07 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供适当与研磨中的基板的被研磨面的状态对应而提高被研磨面的研磨的均匀性的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包含：用于支持基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨被支承于工作台的基板的研磨垫(222)的垫保持件(226)；用于使垫保持件相对于基板升降的升降机构；用于使垫保持件在基板的径向上摆动的摆动机构；用于支承被摆动机构而摆动到工作台的外侧的研磨垫的支承部件(300A、300B)；及用于在研磨基板时调整支承部件(300)的高度和该支承部件相对于基板的距离中的至少一方的驱动机构(310、320)。

公开(公告)号：CN113001394A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011504421.X

申请日：2020-12-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高田畅行 ,  安田穗积

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B27/00 ,  B24B47/20 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  B24B53/017 ,  B24B55/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明为基板处理装置、基板处理方法及基板研磨方法，无论基板的直径的公差如何都提高基板的被研磨面的研磨的均匀性。基板处理装置包括：用于支承基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨垫(222)的垫保持件(226)，而该研磨垫用于对支承在工作台(100)上的基板(WF)进行研磨；用于使垫保持件摆动的摆动机构；用于支承通过摆动机构而向工作台(100)的外侧进行摆动的研磨垫的支承部件(300A、300B)；用于测量基板(WF)的直径的测量器(400)；以及根据由测量器(400)测量出的基板(WF)的直径来调整支承部件相对于支承在工作台(100)上的基板(WF)的位置的驱动机构(320)。

公开(公告)号：CN110919527A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910887678.9

申请日：2019-09-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 赤泽贤一 ,  柏木诚 ,  石井游 ,  吉田笃史 ,  小林贤一 ,  户川哲二 ,  安田穗积

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

Abstract: 在使用被划分为圆状或环状的薄膜的基板研磨装置中，在方形的基板的角部以及边部的中央的附近局部地对按压力进行调节是困难的。本发明公开了一种研磨头以及研磨装置，该研磨头是用于通过安装于研磨台的研磨垫来对方形的基板进行研磨的研磨装置的研磨头，具备：头主体部；多个弹性袋，该多个弹性袋设置于头主体部的应与研磨台相对的表面；以及基板保持板，该基板保持板用于保持基板，并且由弹性袋向远离头主体部的方向按压该基板保持板，在头主体部设置有与各个弹性袋连通的袋用流路，研磨头还具备设置于弹性袋与基板保持板之间的至少两块支撑板，弹性袋隔着支撑板而按压基板保持板。

公开(公告)号：CN105904335B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201610230339.X

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B37/30 ,  B24B47/22 ,  B24B49/16

Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。

公开(公告)号：CN104625948B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201410640498.8

申请日：2014-11-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山木晓 ,  安田穗积 ,  并木计介 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾

IPC: B24B37/32 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  H01L21/687

Abstract: 一种基板保持装置(1)，具有：对基板(W)进行保持的顶环主体(10)；以及保持环(40)，该保持环(40)配置成包围保持在顶环主体(10)上的基板(W)，保持环(40)具有与研磨垫(2)接触的环状的垫按压部(122)，垫按压部(122)具有3mm以上、7.5mm以下的宽度。采用本发明，即使是连续对多个基板进行研磨的情况下，也可防止基板的边缘部处的研磨速率上升。

公开(公告)号：CN103447939B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310216923.6

申请日：2013-05-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  富樫真吾 ,  山木晓

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  B24B37/07 ,  B24B37/32 ,  B24B49/16

Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置（1），具有将基板W相对研磨面（2a）按压的基板保持面（45a）以及配置为包围基板W且与研磨面（2a）接触的保持环（40）；旋转机构（13），使基板保持装置（1）以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构（110），向保持环（40）的一部分施加局部负荷。保持环（40）能够和基板保持面（45a）独立地倾斜运动，局部负荷施加机构（110）不和基板保持装置（1）一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。

公开(公告)号：CN107186617A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710150426.9

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 矶野慎太郎 ,  安田穗积 ,  并木计介 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾 ,  山木晓

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够恰当地处理基板的基板研磨方法、基板研磨装置以及用于那样的基板研磨装置的顶环。本发明提供一种基板研磨方法，具备如下工序：输送工序(S2)，在该输送工序(S2)中，利用弹性膜的第一区域吸附基板而将该基板向研磨垫上输送；研磨工序(S4)，在该研磨工序(S4)中，使所述基板与所述研磨垫接触而对所述基板进行研磨；以及提离工序(S6)，在该提离工序(S6)中，利用所述弹性膜的比所述第一区域宽的第二区域吸附所述基板而将所述基板从所述研磨垫提离。