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公开(公告)号：CN114068736B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111210578.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102
Abstract: 本发明实施例提供的光电探测器，包括：波导结构、限光结构及吸收结构；其中，所述波导结构延伸至所述限光结构中，且所述波导结构的第一侧壁所在的第一边与所述限光结构的第二侧壁所在的第二边相切；所述波导结构用于将入射光以与所述第一边相切的方向导入所述限光结构中；通过所述限光结构侧壁的全反射将导入的光限制在限光结构内进行环形传输，并通过限光结构将导入的光耦合到吸收结构中；所述吸收结构位于所述限光结构上；通过所述吸收结构侧壁的全反射将耦合的光在水平方向上限制在吸收结构内做进行环形传输，并将耦合的光转化为电子和空穴。
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公开(公告)号：CN112563346B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202011449819.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本申请实施例公开了一种电极结构，包括：行波电极和屏蔽结构；所述行波电极位于所述屏蔽结构形成的半封闭空间内；其中，所述屏蔽结构包括第一部分屏蔽结构和第二部分屏蔽结构，所述第一部分屏蔽结构和所述第二部分屏蔽结构之间具有开口，从而形成半封闭空间。
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公开(公告)号：CN110989212B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201911276795.8
申请日：2019-12-12
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明公开了一种垂直分层的脊形光波导器件的有源区结构及制造方法，涉及光通信器件技术领域，所述有源区结构包括两个左右分布的掺杂区，其中一个掺杂区注有P型杂质，另一掺杂区注有N型杂质，两个掺杂区的交界处为有源区结构的脊形波导中心线；每个掺杂区均包括至少两个垂直分布的掺杂单元，同一掺杂区内的不同掺杂单元的掺杂浓度不同，且两个掺杂区内的掺杂单元沿所述脊形波导中心线对应设置，对应设置的两个掺杂单元中掺杂浓度越高的掺杂单元的宽度越小。本发明提供的垂直分层的硅基电光调制器的有源区结构，不仅具有较低的光学损耗，而且结构简单，成本较低，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN110955067B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201911275436.0
申请日：2019-12-12
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明公开了一种水平分层的脊形光波导器件的有源区结构及制造方法，涉及光通信器件技术领域，所述有源区结构包括两个左右分布的掺杂区，其中一个掺杂区注有P型杂质，另一掺杂区注有N型杂质，两个掺杂区的交界处为有源区结构的脊形波导中心线；每个掺杂区包括至少两个水平分布的掺杂单元，同一掺杂区内的不同掺杂单元的掺杂浓度不同，且两个掺杂区内的掺杂单元对应设置，对应设置的两个掺杂单元中掺杂浓度越高的掺杂单元的厚度越小。本发明提供的水平分层的硅基电光调制器的有源区结构，不仅具有较低的光学损耗，而且结构简单，成本较低，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN109541822B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201811417278.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及制备方法，包括：衬底，其长宽高分别定义为X、Y、Z方向；设于衬底上的绝缘材料层；沿X方向间隔地设于绝缘材料层内的光输入端和光输出端；位于光输入端和光输出端之间的亚波长光栅波导结构，包括设于绝缘材料层内且上下布置的第一石墨烯层和折射率层及设于绝缘材料层上表面上的第二石墨烯层，折射率层两端分别与光输入端和光输出端相连，第一石墨烯层自折射率层一侧向外延伸并连接有第一金属电极，第二石墨烯层自折射率层另一侧向外延伸并连接有第二金属电极，折射率层包括沿X方向周期性布置的高折射率单元，相邻两个高折射率单元之间填充低折射率单元。本发明具有高调制效率、高3dB电光调制带宽的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114296179A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111683796.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本申请公开了一种光分束器及其设计方法，涉及光学的技术领域，光分束器包括一个输入端口和N个输出端口，还包括超表面芯片；所述输入端口被配置为接收一任意偏振态的入射光束；所述超表面芯片被配置为根据所述入射光束产生分开的N个左旋偏振光束和N个右旋偏振光束，其中，旋向相同的偏振光束光强相同且N≥2；各个所述输出端口都被配置为供由一左旋偏振光束与一右旋偏振光束合成得到的一出射光束发出。本申请以解决相关技术中分束器与偏振无关时能够不局限于两分束光的技术问题。
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公开(公告)号：CN112787725B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011594660.9
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H04B10/54 , H04B10/548 , H04B10/61 , H04B10/70 , H04L9/08
Abstract: 一种QKD的信号产生装置及信号产生方法，涉及量子密钥分发领域，装置包括：脉冲激光器，其用于产生光脉冲；第一强度调制器，调节接收光脉冲的强度；第二强度调制器，用于通过调节光强度，按比例分光给其上路和下路两个输出端口；上路快速相位调制器，用于将输入其中的光场增加第一相位因子后输出；下路快速相位调制器，用于将输入其中的光场增加第二相位因子后输出；偏振合成器件，用于将上路快速相位调制器和下路快速相位调制器的光合束输出，使上路快速相位调制器的光形成偏振态的TE模能量分量，下路快速相位调制器的光形成偏振态的TM模能量分量。该信号产生装置实现DV‑QKD和CV‑QKD的发端信号产生。
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公开(公告)号：CN114280738A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111665946.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明实施例提供了一种封装方法及其封装结构，其中，所述封装方法包括：提供多个光器件，每个所述光器件均具有光耦合端口，所述光耦合端口包括输入端口和输出端口；所述多个光器件中至少部分光器件的输入端口和输出端口处于相应光器件的相同端面；对所述多个光器件进行物理布局，使得所述至少部分光器件中每个光器件的输入端口和输出端口分别与不同的光器件的光耦合端口进行光耦合；所述不同的光器件用于进行光耦合的端面处于一个耦合界面内；所述多个光器件形成有至少一个耦合界面；对所述耦合界面两侧的光器件的端面进行耦合处理。
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公开(公告)号：CN112600623B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011452154.6
申请日：2020-12-09
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种差分驱动调制器及其控制方法，所述差分驱动调制器包括：差分驱动芯片，所述差分驱动芯片包括第一信号管脚和第二信号管脚；与所述第一信号管脚连接的第一偏置电压路径和与所述第二信号管脚连接的第二偏置电压路径；其中，所述第一偏置电压路径包括依次连接的第一行波电极、第一负载电阻和第一驱动器；所述第二偏置电压路径包括依次连接的第二行波电极、第二负载电阻和第二驱动器；所述第一驱动器和所述第二驱动器用于给所述差分驱动芯片提供偏置电压，以使所述第一信号管脚和所述第二信号管脚上的电压相等。
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公开(公告)号：CN112531066B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011595658.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 本申请公开了一种光电探测器及其使用方法，涉及光通信集成器件领域，该光电探测器包括：入射波导用于传播信号光；硅层上设有锗吸收区，锗吸收区用于探测信号光，并将信号光转换为电信号；聚焦型器件用于将入射波导的信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，信号光经过聚焦型器件到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度。该使用方法包括：信号光由入射波导进入聚焦型器件；聚焦型器件将信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，并使信号光到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度；锗吸收区将信号光转换为电信号，本申请，不仅可提高光电探测器的饱和吸收功率，使光电转换时不会出现信号畸变，还可提高器件的响应度。
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