公开(公告)号：CN208521967U

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201820909444.0

申请日：2018-06-12

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 顾文彬 ,  陶永斌 ,  蒋乐跃 ,  金羊华 ,  刘海东

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/12

Abstract: 本实用新型提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本实用新型可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208255386U

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201820417340.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 李大来 ,  蒋乐跃 ,  刘海东

IPC: G01R33/09

Abstract: 本实用新型提供一种基于斜坡的磁电阻传感器的短路条在掩模板上的取向装置，其包括磁电阻传感器和掩模板，磁电阻传感器包括：设置于基板上的斜坡，斜坡包括底面和倾斜表面，且倾斜表面和底面的夹角为斜坡倾斜角α；磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，磁场传感单元包括形成于所述斜坡的倾斜表面的第二磁电阻条和位于所述第二磁电阻条上并与第二磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第二短路条，第二磁电阻条和第二短路条之间的夹角为γ，掩模板包括位于所述掩模板平面内的第一磁电阻条和与第一磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个第一短路条第一磁电阻条和第一短路条之间的夹角设置为β，其中，tan(β)＝tan(γ)cos(α)(1)。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN202548183U

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201220108185.4

申请日：2012-03-20

Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司

Inventor： 蒋乐跃 ,  刘海东 ,  蔡永耀 ,  赵阳 ,  张俊德

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/14

Abstract: 本实用新型涉及一种单芯片电流传感器，其是根据被测定电流产生的磁感应强度来检测所述被测定电流，其包括流过所述被测定电流的导体，以及位于导体周围的两个磁传感器，所述导体和两个磁传感器集成在同一芯片上。本实用新型不仅能够消除外界磁场干扰，提高性能稳定性和灵敏度，还能够提高产品集成度，减小产品体积，降低生产成本。