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公开(公告)号：CN111599890A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010496692.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，属于半导体器件技术领域。包括自下而上设有的衬底、绝缘氧化层、氧化镓层、二硫化钼层，所述二硫化钼层上设有彼此分隔的两块电极；所述氧化镓层与所述二硫化钼层之间形成二维异质结。本发明采用氧化镓/二硫化钼二维异质结结构，同时兼具氧化镓和二硫化钼的优点，能够提高载流子分离输运，使得光电探测器具有更快的上升响应时间和下降响应时间。
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公开(公告)号：CN109326678B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201811181410.5
申请日：2018-10-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性二硫化钼光电晶体管及其制备方法，主要解决现有柔性晶体管制作工艺难度较高及性能较差的问题。该晶体管结构自下而上包括栅极(1)，介电层(2)，半导体层(3)；该半导体层(3)的两端设有分别与介电层(2)连接的源电极(4)和漏电极(5)，该栅极(1)采用表面蒸有ITO透明电极层的柔性透明材料聚萘二甲酸乙二醇酯PEN，该半导体层(3)掺杂有5％‑15％的氢氧化钾水溶液。本发明通过运用衬底转移技术将器件从硅衬底上转移到PEN衬底上，并且在衬底转移过程中对二硫化钼材料进行掺杂以降低其接触电阻，简化了制作工艺，降低了成本，提高了器件的性能和柔性，可用于电子、通信和医疗设备。
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公开(公告)号：CN110518124A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910680391.9
申请日：2019-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以三元四元氧化物为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有技术电子传输层的迁移率低，薄膜致密性和导电性差的问题，其从下而上依次包括透明导电衬底(1)、电子传输层(2)、钙钛矿吸收层(3)、空穴传输层(4)和金属电极(5)。该三元四元氧化物采用铟锌氧化物、铟镓氧化物、锌锡氧化物、锌锆氧化物、铪铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、锆铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铝锌锡氧化物、镓锌锡氧化物、锆锌锡氧化物中的任意一种。本发明由于采用三元四元氧化物的电子传输层，提高了电子传输层的迁移率，改善了薄膜的致密性、导电性和表面能，提高了光电转化效率和可重复性，可用于钙钛矿太阳能电池的光电转化。
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公开(公告)号：CN110518123A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910680268.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以有机聚合物和无机氧化物的复合材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有电子传输层表面粗糙度大，载流子迁移率低，薄膜致密性差的问题。其自下而上包括透明导电衬底(1)、电子传输层(2)、钙钛矿吸收层(3)、空穴传输层(4)和金属电极(5)。其中电子传输层采用有机聚合物和无机氧化物的复合材料，所采用的有机聚合物是PEIE、PEI、PFN、IL中的任意一种，所采用的无机氧化物是氧化锡，氧化锌，氧化钛中的任意一种。本发明降低了表面粗糙度，增强了薄膜致密性，减少电荷缺陷，提高了电子传输层的载流子迁移率，使器件的光电转化性能和稳定性更好，可用于钙钛矿太阳能电池的光电转化。
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公开(公告)号：CN109347469A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811181370.4
申请日：2018-10-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/785 , H01L31/113 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼晶体管的光控开关电路，主要解决现有光控开关电路不能在超低光强度下工作的问题。其包括NPN三极管Q1，PNP三极管Q2，LED发光管，二硫化钼晶体管VT，两个分压电阻，开关和电源。VT的栅极通过第一分压电阻R1连接到电源正极，VT的漏极与Q1的基极连接，VT的源极连接到电源负极，Q1的发射极连接电源负极，Q1的集电极与Q2的基极连接并通过第二分压电阻R2连接电源正极，Q2的发射极连接电源正极，Q2的集电极通过LED连接电源负极，开关与电源串联。本发明通过利用二硫化钼晶体管提高了灵敏度，可探测超低强度光，并能在很小电流和很低电压的条件下工作，可用于光电集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119521928A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411634349.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，涉及一种自驱动低维非铅类钙钛矿紫外探测器，器件基于氧化物半导体/低维类钙钛矿II型异质结，包括衬底基片、图案化底电极、氧化物半导体层、低维类钙钛矿层和窗口顶电极；图案化底电极与窗口顶电极图案互补，且均为复合电极，含有分别接触异质结下表面和上表面的扩散阻挡层；窗口区域为探测器的受光区域。器件特点在于结合了异质结内建电场有利于分离光生电荷的优势，同时紫外光可直接入射光吸收体，避免了传输损耗；且采用了反、正溶剂蒸汽辅助梯度退火技术，获得了高质量类钙钛矿薄膜；并利用扩散阻挡层同时阻挡离子在底电极/氧化物及类钙钛矿/顶电极两界面处扩散。本发明工艺简单，器件光响应快、稳定、环保。
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公开(公告)号：CN117976758A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410136631.X
申请日：2024-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石/AlScN异质结的日盲紫外探测器，包括衬底层、缓冲层、异质结和接触电极，异质结由金刚石层和AlScN铁电材料层构造形成，本发明构造的异质结，超宽禁带的金刚石材料作为容纳二维电子气的沟道层，其另一侧的势垒层使用AlScN铁电材料，能够兼顾响应速度和可调控两个特点，一方面能够使探测器截止波长进一步减小，另一方面通过使用铁电性质更优秀的AlScN铁电材料，增强对异质结内置电场和耗尽区宽度的调控能力，促进光生载流子分离，从而提高探测器的性能。另外，由于AlScN铁电材料的禁带宽度要大于金刚石的禁带宽度，不会对紫外光波段之外的光发生响应，很好地弥补了光响应范围不精准的缺陷。
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公开(公告)号：CN117790604A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311825883.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种基于GaN/AlScN异质结的日盲探测器，包括衬底、GaN层、AlScN层以及电极，GaN层与AlScN层构成GaN/AlScN异质结。本发明还提供了其制备方法，本发明中，GaN/AlScN异质结界面处形成导带偏移和价带偏移，电子从AlScN扩散到GaN中，空穴从GaN扩散到AlScN中，在异质结界面处形成内建电场，当紫外光照射时，入射光被吸收并产生光生载流子，光生载流子在内建电场的作用下被扫至上下电极，在电路中产生光电流。由于AlScN的铁电性，其去除电场极化后仍保留退极化场，在极化状态下，退极化场的方向与内建电场的方向一致，使得内建电场强度增强，耗尽区宽度变大。从而极大地促进了光生载流子的分离和输运，光电流变大，提高其响应速率。
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公开(公告)号：CN116915084A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310648898.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于超疏水薄膜的柔性摩擦纳米发电机，包括正摩擦层和负摩擦层，正负摩擦层选用柔性薄膜作为电极基础材料，正负摩擦极均以柔性材料为基底，正摩擦层和负摩擦层之间存在间隔距离，两摩擦层边缘电性连接，相对连接处两摩擦层能够接触产生正负静电荷，电子在两电极层间流动形成交流电。本发明正负摩擦层选用柔性薄膜作为电极基础材料，获得高介电常数的同时保证聚合物基质的柔韧及拉伸性，有效提高TENG的输出电功率，输出更好的电性能。
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公开(公告)号：CN116779683A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310713333.8
申请日：2023-06-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种基于掺杂Al1‑xScxN的铁电调控场效应晶体管及其制备方法，铁电调控场效应晶体管包括：自下而上依次设置的衬底层、种子层、第一铁电层、第一介质层、沟道层、第二介质层、第二铁电层和栅电极；源电极与漏电极，源电极与漏电极分别设置于沟道层两侧以及部分沟道层的上表面；第二介质层覆盖在沟道层上表面、部分源电极和部分漏电极的上表面；第一铁电层为Sc掺杂浓度为35％～40％的Al1‑xScxN；第二铁电层为HZO。本发明提供的铁电调控场效应晶体管作为存储器件的存储性能好，内存窗口大，在存在外部干扰的情况下数据的可靠性以及稳定性更胜一筹，同时其制备方法能与现有CMOS工艺兼容，降低了生产成本。
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